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微波器件的薄膜化過程中會遇到很多的技術(shù)難點，本文以環(huán)形器薄膜化過程中遇到的技術(shù)難點為例來分析微波器件薄膜化過程中所遇到的共性與個性的技術(shù)難點。工作在微波波段（300～300000兆 赫）的器件。它的電子產(chǎn)品都在向的小型化，集成化方向發(fā)展，元器件尺寸和重量已成為電子系統(tǒng)設(shè)計考慮的主要因素，微波器件薄膜化對電子產(chǎn)品小型化集成化意義重大，隨著單片（MMIC）技術(shù)和混合微波集成電路（HMIC）技術(shù)的發(fā)展，薄膜化微波集成電路較好地滿足了電子裝備在體積和重量方面的需求。薄膜區(qū)別于塊材的性質(zhì)主要有以下方面： 1、薄膜材料的厚度很薄，很容易產(chǎn)生尺寸效應(yīng) 。 2、表面效應(yīng)很顯著。 3、薄膜材料包含大量的表面晶粒間界和缺陷態(tài)，影響電子運輸。 4、薄膜與基片之間還會存在一定的相互作用，會影響薄膜與基片之間的粘附性以及內(nèi)應(yīng)力。環(huán)行器是一個多端口的無源器件，它的特性是使輸入信號依次環(huán)行傳輸，如圖1當輸入信號由1端輸入時，通過環(huán)行器將由2 端輸出，不會傳至3端。
環(huán)形器薄膜化過程中遇到的技術(shù)難點是：制備高質(zhì)量薄膜和減小外加磁場。鐵氧體薄膜制備難。薄膜材料容易對環(huán)形器引入插入損耗，如何制備高質(zhì)量的薄膜是當前薄膜化環(huán)形器急需解決的難點之一 。常用薄膜制備主要方法有：磁控濺射，液相外延法，脈沖激光沉積（PLD，化學(xué)氣相沉積法。薄膜質(zhì)量要求有要厚度均勻，缺陷少，表面粗糙度小，合適的磁性能。
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