資料介紹
在過去的幾年里,MOSFET已經成為功率開關的首選器件應用程序。雖然導通電阻顯著降低,但它們通常需要驅動器級以獲得最佳性能,特別是當由低電壓、低電流源驅動時。這就是雙極晶體管固有優勢的優勢所在,如下所述。功率MOSFET通常被認為是電壓驅動的器件,因此可能會被錯誤地認為期望從任何信號源驅動而與電流能力無關。這可能是一個在直流或極低頻開關應用中驅動時可接受的假設,其中快速邊緣速度并不重要,但越來越多的功率MOSFET被用于開關數百kHz至10MHz的電路,以及在這些情況下的柵極電荷要求是一個主要考慮因素。完全增強功率MOSFET所需的電荷來源于其柵極-源極和柵極-漏極電容,并通過外部電阻器傳輸。大門電壓遵循特征RC時間常數,該時間常數(在EMI約束范圍內)必須較短足以穿過線性區域而不會在功率中引起過大的開關損耗MOSFET。
例如,典型的100V、35m DPAK MOSFET需要大約50nC。如果需要為了在20ns內切換,需要2.5安培的柵極電流。有許多潛在的解決方案可以為功率MOSFET提供柵極驅動,包括專用IC驅動器、標準邏輯IC、分立MOSFET和雙極晶體管。
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