本文檔的詳細(xì)介紹的是二極管單向?qū)щ娦院?a target='_blank' class='arckwlink_none'>半導(dǎo)體的介紹及基本電路的詳細(xì)資料概述主要內(nèi)容包括了：1.二極管單向?qū)щ娦裕?.半導(dǎo)體的基本知識（半導(dǎo)體材料，半導(dǎo)體的共價鍵結(jié)構(gòu)，本征半導(dǎo)體，雜質(zhì)半導(dǎo)體）3.PN結(jié)的形成及特性（PN結(jié)的形成，PN結(jié)的單向?qū)щ娦裕琍N結(jié)的反向擊穿，PN結(jié)的電容效應(yīng)）4.半導(dǎo)體二極管（半導(dǎo)體二極管的結(jié)構(gòu)，二極管的伏安特性，二極管的參數(shù)）5.二極管基本電路及其分析方法（二極管V-I 特性的建模，應(yīng)用舉例）6.特殊體二極管（穩(wěn)壓二極管，變?nèi)荻O管，光電子器件）7.場效應(yīng)管放大電路（1.結(jié)型場效應(yīng)管，2 砷化鎵金屬-半導(dǎo)體場效應(yīng)管，3 金屬氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)管，4 場效應(yīng)管放大電路，5各種放大器件電路性能比較）8.功率放大器（1.功率放大電路的一般問題，2. 乙類互補(bǔ)對稱功率放大電路，3.甲乙類互補(bǔ)對稱功率放大電路）

　　1. 二極管單向?qū)щ娦?/p>

　　一般方法：假設(shè)法

　　二極管截至（較好）

　　二極管導(dǎo)通

　　總的原則：某一時刻，電路狀態(tài)唯一。

　　根據(jù)物體導(dǎo)電能力（電阻率）的不同，來劃分導(dǎo)體、絕緣體和半導(dǎo)體。

　　典型的半導(dǎo)體有硅Si和鍺Ge以及砷化鎵GaAs等。

　　半導(dǎo)體有溫敏、光敏和摻雜等導(dǎo)電特性。

　　本征半導(dǎo)體——化學(xué)成分純凈的半導(dǎo)體。它在物理結(jié)構(gòu)上呈單晶體形態(tài)。

　　電子空穴對——由熱激發(fā)而產(chǎn)生的自由電子和空穴對。

　　空穴的移動——空穴的運(yùn)動是靠相鄰共價鍵中的價電子依次充填空穴來實現(xiàn)的。

　　本征半導(dǎo)體中雖然存在兩種載流子，但因本征載流子的濃度很低，所以總的來說導(dǎo)電能力很差。本征半導(dǎo)體的載流子濃度，除與半導(dǎo)體材料本身的性質(zhì)有關(guān)以外，還與溫度密切相關(guān)，而且隨著溫度的升高，基本上按指數(shù)規(guī)律增加。因此，本征載流子的濃度對溫度十分敏感。