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集成電路圓片級(jí)芯片封裝技術(shù)（WLCSP）及其產(chǎn)品屬于集成創(chuàng)新，是江陰長(zhǎng)電先進(jìn)封裝
有限公司結(jié)合了銅柱凸塊工藝技術(shù)及公司自身在封裝領(lǐng)域的技術(shù)沉淀，開發(fā)出的區(qū)別于國(guó)外技術(shù)的新型圓片級(jí)芯片封裝技術(shù)。相比傳統(tǒng)的封裝技術(shù)，該技術(shù)創(chuàng)新點(diǎn)為將芯片制造技術(shù)與封裝技術(shù)融為一體；取代傳統(tǒng)引線鍵合技術(shù)，采用芯片凸塊技術(shù)（Bumping）；將厚膜/薄膜技術(shù)應(yīng)用于WLCSP 技術(shù)中；產(chǎn)片封裝尺寸與裸片尺寸大小一致，尺寸比值約等于1；產(chǎn)品封裝I/O 數(shù)可最小化，≤2 或最大化，>3000；錫球間距≤0.1mm 或≥0.5mm；在芯片與PCB 之間無需框架或基板；互連工藝采用錫球，沒有焊片及鍵合制程等等。
有限公司結(jié)合了銅柱凸塊工藝技術(shù)及公司自身在封裝領(lǐng)域的技術(shù)沉淀，開發(fā)出的區(qū)別于國(guó)外技術(shù)的新型圓片級(jí)芯片封裝技術(shù)。相比傳統(tǒng)的封裝技術(shù)，該技術(shù)創(chuàng)新點(diǎn)為將芯片制造技術(shù)與封裝技術(shù)融為一體；取代傳統(tǒng)引線鍵合技術(shù)，采用芯片凸塊技術(shù)（Bumping）；將厚膜/薄膜技術(shù)應(yīng)用于WLCSP 技術(shù)中；產(chǎn)片封裝尺寸與裸片尺寸大小一致，尺寸比值約等于1；產(chǎn)品封裝I/O 數(shù)可最小化，≤2 或最大化，>3000；錫球間距≤0.1mm 或≥0.5mm；在芯片與PCB 之間無需框架或基板；互連工藝采用錫球，沒有焊片及鍵合制程等等。
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