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標簽 > 刻蝕工藝
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后段刻蝕工藝(Back-End of Line ETCH,簡稱BEOL ETCH)作為集成電路制造的重要環節,其復雜性與重要性毋庸置疑。 ? ? 什么是...
W刻蝕工藝中使用SF6作為主刻步氣體,并通過加入N2以增加對光刻膠的選擇比,加入O2減少碳沉積。在W回刻工藝中分為兩步,第一步是快速均勻地刻掉大部分W,...
首先,以高純硅粉和高純碳粉為原料生長SiC,通過物理氣相傳輸(PVT)制備單晶 第二,使用多線切割設備切割SiC,晶體切成薄片,厚度不超過1毫米 ...
PVP可以在刻蝕過程中形成一層保護性的膜,降低刻蝕劑對所需刻蝕材料的腐蝕作用。它可以填充材料表面的裂縫、孔洞和微小空隙,并防止刻蝕劑侵入。這樣可以減少不...
在半導體前端工藝第三篇中,我們了解了如何制作“餅干模具”。本期,我們就來講講如何采用這個“餅干模具”印出我們想要的“餅干”。這一步驟的重點,在于如何移除...
說到濕法刻蝕了,這個是專業的技術。我們也得用專業的內容才能給大家講解。聽到這個工藝的話,最專業的一定就是講述濕法刻蝕步驟。你知道其中都有哪些步驟嗎?如果...
據“中科院微電子研究所”消息,為了更好地解決SOT-MRAM的刻蝕技術難題以實現SOT-MTJ的高密度片上集成,同時研究不同的刻蝕工藝對器件磁電特性的影...
原沸石是非結晶的,如粉末 X 射線衍射 (XRD) 圖案所示。掃描電子顯微鏡 (SEM) 和透射電子顯微鏡 (TEM) 圖像顯示,原沸石是大小約為5-2...
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