完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>
標(biāo)簽 > 刻蝕機(jī)
刻蝕機(jī)是一種用于電子與通信技術(shù)領(lǐng)域的工藝試驗(yàn)儀器,于2012年5月14日啟用,在半導(dǎo)體和線路板制程上,蝕刻更是不可或缺的技術(shù)。
文章:48個(gè) 瀏覽:4257次 帖子:1個(gè)
IBE (Ion Beam Etching) 離子束刻蝕, 通常使用 Ar 氣體作為蝕刻氣體, 將與電子的沖擊產(chǎn)生的離子在 200~ 1000ev 的范...
說(shuō)到濕法刻蝕了,這個(gè)是專業(yè)的技術(shù)。我們也得用專業(yè)的內(nèi)容才能給大家講解。聽(tīng)到這個(gè)工藝的話,最專業(yè)的一定就是講述濕法刻蝕步驟。你知道其中都有哪些步驟嗎?如果...
近日,中國(guó)證券監(jiān)督管理委員會(huì)(證監(jiān)會(huì))披露了重慶臻寶科技股份有限公司(簡(jiǎn)稱“臻寶科技”)的首次公開(kāi)發(fā)行股票并上市輔導(dǎo)備案報(bào)告,標(biāo)志著該公司正式開(kāi)啟上市輔...
比肩國(guó)際大廠,刻蝕設(shè)備會(huì)是率先實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)替代的嗎?
電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/周凱揚(yáng))在半導(dǎo)體制造的各路工序中,尤其是前道工序中,技術(shù)難度最大的主要三大流程當(dāng)屬光刻、刻蝕和薄膜沉積了。這三大工藝的先進(jìn)程度直接...
2023-07-30 標(biāo)簽:設(shè)備半導(dǎo)體設(shè)備刻蝕機(jī) 2329 0
北方華創(chuàng)發(fā)布首臺(tái)國(guó)產(chǎn)12英寸晶邊刻蝕機(jī)
據(jù)介紹,在器件制造過(guò)程中,由于薄膜沉積、光刻、刻蝕和化學(xué)機(jī)械拋光等工藝步驟的大幅增長(zhǎng),在晶圓的邊緣造成了不可避免的副產(chǎn)物及殘留物堆積,這些晶邊沉積的副產(chǎn)...
據(jù)萬(wàn)業(yè)企業(yè)公告,2021年12月,萬(wàn)業(yè)企業(yè)攜手寧波芯恩半導(dǎo)體科技有限公司(以下簡(jiǎn)稱“寧波芯恩”)成立嘉芯半導(dǎo)體,以20億元總投資規(guī)模,重點(diǎn)打造國(guó)內(nèi)集成電...
勝訴!美國(guó)半導(dǎo)體巨頭侵犯中微刻蝕機(jī)商業(yè)秘密案,終審宣判!
編輯:感知芯視界 來(lái)源:EETOP 2023年7月11日——中微半導(dǎo)體設(shè)備(上海)股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“中微公司”,上交所股票代碼:688012)今日...
中微公司在針對(duì)美商科林研發(fā)提起的侵犯商業(yè)秘密案中贏得二審勝訴
中微公司2010年12月向上海市第一中級(jí)人民法院就科林研發(fā)侵犯公司商業(yè)秘密案提起一審訴訟,并于2017年3月贏得一審訴訟。隨后,該案件被上訴至上海市高級(jí)...
2023-07-11 標(biāo)簽:中微半導(dǎo)體刻蝕機(jī) 538 0
12英寸深硅刻蝕機(jī)銷售突破百腔,北方華創(chuàng)助力Chiplet TSV工藝發(fā)展
隨著晶體管尺寸不斷向原子尺度靠近,摩爾定律正在放緩,面對(duì)工藝技術(shù)持續(xù)微縮所增加的成本及復(fù)雜性,市場(chǎng)亟需另辟蹊徑以實(shí)現(xiàn)低成本前提下的芯片高性能,以TSV(...
12英寸深硅刻蝕機(jī)銷售突破百腔,北方華創(chuàng)助力Chiplet TSV工藝發(fā)展
隨著晶體管尺寸不斷向原子尺度靠近,摩爾定律正在放緩,面對(duì)工藝技術(shù)持續(xù)微縮所增加的成本及復(fù)雜性,市場(chǎng)亟需另辟蹊徑以實(shí)現(xiàn)低成本前提下的芯片高性能,以TSV(...
國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體設(shè)備局面解析
光刻機(jī)、刻蝕機(jī)設(shè)備、氣相沉積設(shè)備是三大核心半導(dǎo)體設(shè)備,占據(jù)了產(chǎn)線設(shè)備總投資額70%。
2023-02-22 標(biāo)簽:光刻機(jī)芯片設(shè)備半導(dǎo)體設(shè)備 1015 0
PTFE管用途:可用于蝕刻搖擺機(jī)的搖擺架,PTFE也稱:可溶性聚四氟乙烯、特氟龍、Teflon 蝕刻機(jī)的簡(jiǎn)單介紹: 1、采用傳動(dòng)裝置,霧化噴淋,結(jié)構(gòu)合理...
我們?nèi)A林科納研究了TMAH溶液中摩擦誘導(dǎo)選擇性蝕刻的性能受蝕刻溫度、刻蝕時(shí)間和刮刻載荷的影響,通過(guò)對(duì)比試驗(yàn),評(píng)價(jià)了硅摩擦誘導(dǎo)的選擇性蝕刻的機(jī)理,各種表面...
本文研究了一種優(yōu)化的食人魚(h2o2:h2so4)混合物,該混合物用于去除高度交聯(lián)并加熱到高溫(~250°C),由于強(qiáng)烈的化學(xué)蝕刻工藝,這些混合物的蝕刻...
用于蝕刻沖洗和干燥MEMS晶片的最佳工藝條件實(shí)驗(yàn)報(bào)告
本研究通過(guò)我們?nèi)A林科納對(duì)使用液體二氧化碳和超臨界二氧化碳進(jìn)行蝕刻和沖洗工藝的各種實(shí)驗(yàn)結(jié)果,選擇合適的共溶劑,獲得最佳的工藝條件,以提高工藝效率和生產(chǎn)率。...
2022-02-08 標(biāo)簽:顯微鏡微機(jī)電系統(tǒng)MEMS傳感 981 0
關(guān)于HF與HNO3混合物中硅的濕化學(xué)蝕刻機(jī)理研究報(bào)告
介紹 本文通過(guò)詳細(xì)的動(dòng)力學(xué)研究,闡明了在富含HF的高頻/HNO3混合物中對(duì)硅的濕式化學(xué)蝕刻的機(jī)理。蝕刻實(shí)驗(yàn)后,我們進(jìn)行進(jìn)行了化學(xué)分析并研究了蝕刻速率與溫...
關(guān)于玻璃濕法蝕刻的研究報(bào)告—江蘇華林科納半導(dǎo)體
引言 器件材料需要具有耐化學(xué)性高、耐熱性高、電絕緣性高、生物相容性好、光學(xué)躍遷范圍大和光吸收低等有趣的特性。在微機(jī)電系統(tǒng)器件制造中,玻璃是僅次于硅的第二...
關(guān)于砷化鎵晶片的濕式化學(xué)蝕刻的研究報(bào)告
引言 外延片或所謂的外延片是一種通過(guò)外延生長(zhǎng)生產(chǎn)的材料,商業(yè)上可用于許多不同的電子應(yīng)用。外延晶片可以由單一材料(單晶晶片)和/或多種材料(異質(zhì)晶片)制成...
編輯推薦廠商產(chǎn)品技術(shù)軟件/工具OS/語(yǔ)言教程專題
電機(jī)控制 | DSP | 氮化鎵 | 功率放大器 | ChatGPT | 自動(dòng)駕駛 | TI | 瑞薩電子 |
BLDC | PLC | 碳化硅 | 二極管 | OpenAI | 元宇宙 | 安森美 | ADI |
無(wú)刷電機(jī) | FOC | IGBT | 逆變器 | 文心一言 | 5G | 英飛凌 | 羅姆 |
直流電機(jī) | PID | MOSFET | 傳感器 | 人工智能 | 物聯(lián)網(wǎng) | NXP | 賽靈思 |
步進(jìn)電機(jī) | SPWM | 充電樁 | IPM | 機(jī)器視覺(jué) | 無(wú)人機(jī) | 三菱電機(jī) | ST |
伺服電機(jī) | SVPWM | 光伏發(fā)電 | UPS | AR | 智能電網(wǎng) | 國(guó)民技術(shù) | Microchip |
Arduino | BeagleBone | 樹莓派 | STM32 | MSP430 | EFM32 | ARM mbed | EDA |
示波器 | LPC | imx8 | PSoC | Altium Designer | Allegro | Mentor | Pads |
OrCAD | Cadence | AutoCAD | 華秋DFM | Keil | MATLAB | MPLAB | Quartus |
C++ | Java | Python | JavaScript | node.js | RISC-V | verilog | Tensorflow |
Android | iOS | linux | RTOS | FreeRTOS | LiteOS | RT-THread | uCOS |
DuerOS | Brillo | Windows11 | HarmonyOS |