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      標簽　>　外延片

      外延片

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      外延片技術

      氮化鎵外延片工藝流程介紹 外延片與晶圓的區別

      氮化鎵外延片工藝是一種用于制備氮化鎵外延片的工藝，主要包括表面清洗、氮化處理、清洗處理、干燥處理和檢測處理等步驟。

      2023-02-20 標簽：集成電路晶體管氮化鎵 1.3萬 0

      氮化鎵外延片工藝介紹 氮化鎵外延片的應用

      氮化鎵外延片生長工藝較為復雜，多采用兩步生長法，需經過高溫烘烤、緩沖層生長、重結晶、退火處理等流程。兩步生長法通過控制溫度，以防止氮化鎵外延片因晶格失配...

      2023-02-05 標簽：氮化鎵外延片 5758 0

      光電子應用推動砷化鎵晶圓和外延片市場進入新時代

      在GaAs射頻市場獲得成功之后，GaAs光電子正成為一顆冉冉升起的新星 據麥姆斯咨詢介紹，作為最成熟的化合物半導體之一，GaAs無處不在，儼然成為每部智...

      2018-09-04 標簽：光電子gaas外延片 4477 0

      硅基氮化鎵外延片是什么 硅基氮化鎵外延片工藝

      氮化鎵外延片指采用外延方法，使單晶襯底上生長一層或多層氮化鎵薄膜而制成的產品。近年來，在國家政策支持下，我國氮化鎵外延片行業規模不斷擴大。

      2023-02-06 標簽：氮化鎵外延片硅基氮化鎵 4129 0

      SiC外延片測試需要哪些分析

      SiC外延片測試需要哪些分析

      對于摻雜的SiC外延片，紅外光譜測量膜厚為通用的行業標準。碳化硅襯底與外延層因摻雜濃度的不同導致兩者具有不同的折射率，因此試樣的反射光譜會出現反映外延層...

      2023-08-05 標簽：測試儀SiC紅外光譜 2136 0

      外延片和拋光片區別在哪

      外延片和拋光片是兩種不同的半導體材料加工工藝，它們在制造過程中有著不同的應用和特點。本文將介紹外延片和拋光片的區別。 一、外延片的定義和制備方法 外延片...

      2024-07-12 標簽：半導體材料金屬外延片 1828 0

      外延片和擴散片的區別是什么

      外延片和擴散片都是半導體制造過程中使用的材料。它們的主要區別在于制造過程和應用領域。 制造過程： 外延片是通過在單晶硅片上生長一層或多層半導體材料來制造...

      2024-07-12 標簽：集成電路晶體管半導體制程 1043 0

      ATA-2161高壓放大器基于單端接觸原理的LED外延片無損檢測的應用

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      實驗名稱：基于單端接觸原理的LED外延片無損檢測實驗內容：基于單注入模式，使用新型檢測系統獲取LED外延片的電學參數與光學參數。研究方向：LED外延片檢...

      2024-10-25 標簽：led高壓放大器外延片 330 0

      集成電路外延片詳解：構成、工藝與應用的全方位剖析

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      集成電路是現代電子技術的基石，而外延片作為集成電路制造過程中的關鍵材料，其性能和質量直接影響著最終芯片的性能和可靠性。本文將深入探討集成電路外延片的組成...

      2025-01-24 標簽：集成電路半導體封裝外延片 287 0

      用于半導體外延片生長的CVD石墨托盤結構

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      一、引言 在半導體制造業中，外延生長技術扮演著至關重要的角色。化學氣相沉積（CVD）作為一種主流的外延生長方法，被廣泛應用于制備高質量的外延片。而在CV...

      2025-01-08 標簽：半導體外延片CVD 158 0

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      外延片資訊

      聚力成外延片和芯片產線項目落戶重慶市大足區 總投資約50億元

      9月10日上午，重慶市大足區人民政府與重慶捷舜科技有限公司舉行“聚力成外延片和芯片產線項目”簽約儀式。該項目落戶大足高新區，總投資50億元，占地500畝...

      2018-09-11 標簽：芯片外延片 9468 0

      IEMN 結果顯示ALLOS新型硅基氮化鎵外延片產品具有超過1400V的擊穿電壓

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      法國阿斯克新城和德國德累斯頓 - 2018 年 2 月 1 日 - 來自電子、微電子及納米技術研究院 （IEMN） 的最新結果顯示，ALLOS 即將推出...

      2018-02-26 標簽：外延片iemn硅基氮化鎵 6025 0

      上海合晶科創板IPO獲受理！超8成營收來自外延片，已突破12英寸技術，募資15.64億研發及擴產優質外延片

      電子發燒友網報道（文/劉靜）近日，上海合晶硅材料股份有限公司（簡稱：上海合晶）科創板IPO獲上交所受理！ ? ? ? 此次科創板IPO，上海合晶擬公開發...

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      近日，聚燦光電發布2018年報問詢函回復公告。就深交所問詢的關于2018毛利率大幅下滑等八個問題，聚燦光電在回復公告中一一作出了解釋。

      2019-06-26 標簽：led芯片外延片 3031 0

      希科半導體引領SiC外延片量產新時代

      國產之光希科半導體： 引領SiC外延片量產新時代 希科半導體科技(蘇州)有限公司 碳化硅外延片新聞發布 暨投產啟動儀式圓滿成功 中國蘇州，2022年11...

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      天域半導體IPO：國內碳化硅外延片行業第一，2024年上半年陷入增收不增利困局

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      2025-01-06 標簽：碳化硅外延片 2378 0

      LED外延片介紹及辨別質量方法

      20世紀80年代早期開始使用外延片，它具有標準PW所不具有的某些電學特性并消除了許多在晶體生長和其后的晶片加工中所引入的表面/近表面缺陷。

      2011-05-06 標簽：LED外延片 1993 0

      碳化硅公司上半年難過盈利大關

      　在國內市場上，隨著越來越多的新參與者加入，碳化硅的產業鏈各個環節，如襯底、外延片、器件制造和應用等，都有廠商進行布局。

      2023-09-19 標簽：功率器件SiC碳化硅 1159 0

      半導體硅外延片制造商上海合晶上市

      上海合晶硅材料股份有限公司（簡稱“上海合晶”，股票代碼：688584）近期在科創板成功上市，成為半導體行業的新星。該公司專注于半導體硅外延片的研發與生產...

      2024-02-26 標簽：半導體硅材料外延片 1072 0

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