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安世半導體(中國)有限公司于2000年01月28日成立。法定代表人容詩宗,公司經營范圍包括:研究、設計、開發和測試半導體技術軟件、集成電路、電子元配件和其他電子產品;生產和銷售半導體、新型電子元器件:片式元器件(微小型表面貼裝元器件:片式二極管、片式三極管);銷售自產產品。
基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia(安世半導體)近日發布了新一代固定方向電壓電平轉換器系列,適用于多種常
隨著物聯網(IoT)的發展和工業4.0時代的到來,工業轉型正朝著提高能效、實現功率微型化和改善系統可靠性的方向發展。面對
在中國,新能源電動汽車市場已經進入了高速發展期。根據公安部數據顯示,截至2024年6月底,我國新能源汽車保有量已達247
經典的雙極性晶體管(BJT- Bipolar Junction Transistor)的物理原理已有大約100年的歷史,
為滿足越來越多的對穩健、高效和具有成本效益的電源解決方案日益旺盛的需求,Nexperia IGBT采用先進的載流子儲存溝
理想二極管與負載開關的電氣性能出色,能為智能電表、安防系統、電池供電的可穿戴設備和汽車遠程信息處理等安全關鍵應用帶來諸多
在2024年12月12日落幕的行家說三代半年會上,行業內上下游主流企業及行業精英匯聚深圳,共同探討行業趨勢,深化交流合作
基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia(安世半導體)近日發布了一系列采用微型車規級MicroPak XSON
安世半導體CCPAK1212封裝再次提升Nexperia功率MOSFET的性能表現
基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia(安世半導體)近日宣布推出16款新80 V和100 V功率MOSFET
IGBT是中高壓應用的主要器件。為滿足越來越多的對穩健、高效和具有成本效益的電源解決方案日益旺盛的需求,Nexperia
安世半導體(中國)有限公司于2000年01月28日成立。法定代表人容詩宗,公司經營范圍包括:研究、設計、開發和測試半導體技術軟件、集成電路、電子元配件和其他電子產品;生產和銷售半導體、新型電子元器件:片式元器件(微小型表面貼裝元器件:片式二極管、片式三極管);銷售自產產品,研發成果轉讓,上述產品的批發、進出口和傭金代理(拍賣除外),并提供相關的技術咨詢、技術服務、售后服務、倉儲服務等。
Nexperia(安世半導體)將向您展示H橋直流電機控制電路參考設計。 H橋電路是一個全橋DC-DC轉換器,支持有刷直流電動機(最大電壓48 V、最小電...
兩家公司宣布,安世半導體與三菱電機株式會社已建立戰略合作伙伴關系,共同開發SiC MOSFET。為了滿足對高效分立功率半導體日益增長的需求,并提高SiC...
基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia(安世半導體)近日發布了新一代固定方向電壓電平轉換器系列,適用于多種常見的推挽數據接口(包括UART、...
隨著物聯網(IoT)的發展和工業4.0時代的到來,工業轉型正朝著提高能效、實現功率微型化和改善系統可靠性的方向發展。面對這些挑戰,安世半導體的智能工業應...
經典的雙極性晶體管(BJT- Bipolar Junction Transistor)的物理原理已有大約100年的歷史,可追溯到Julius E Lil...
為滿足越來越多的對穩健、高效和具有成本效益的電源解決方案日益旺盛的需求,Nexperia IGBT采用先進的載流子儲存溝柵場截止(FS)工藝,為工業應用...
理想二極管與負載開關的電氣性能出色,能為智能電表、安防系統、電池供電的可穿戴設備和汽車遠程信息處理等安全關鍵應用帶來諸多益處。
在2024年12月12日落幕的行家說三代半年會上,行業內上下游主流企業及行業精英匯聚深圳,共同探討行業趨勢,深化交流合作。安世半導體作為其中的重要一員,...
基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia(安世半導體)近日發布了一系列采用微型車規級MicroPak XSON5無引腳封裝的新型邏輯IC。這些...
安世半導體CCPAK1212封裝再次提升Nexperia功率MOSFET的性能表現
基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia(安世半導體)近日宣布推出16款新80 V和100 V功率MOSFET。這些產品均采用創新型銅夾片CC...
IGBT是中高壓應用的主要器件。為滿足越來越多的對穩健、高效和具有成本效益的電源解決方案日益旺盛的需求,Nexperia IGBT采用先進的載流子儲存溝...
在物聯網系統的復雜電源架構中,安世半導體理想二極管和負載開關可以協同工作,以實現高效的電源路徑管理。理想二極管較傳統二極管的卓越特性有哪些?負載開關如何...
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