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標(biāo)簽 > 晶體管
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非常快,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非常快,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
2016年,勞倫斯伯克利國家實(shí)驗(yàn)室的一個(gè)團(tuán)隊(duì)打破了物理極限,將現(xiàn)有的最精尖的晶體管制程從14nm縮減到了1nm,完成了計(jì)算技術(shù)界的一大突破。
嚴(yán)格意義上講,晶體管泛指一切以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的單一元件,包括各種半導(dǎo)體材料制成的二極管、三極管、場效應(yīng)管、可控硅等。晶體管有時(shí)多指晶體三極管。
晶體管主要分為兩大類:雙極性晶體管(BJT)和場效應(yīng)晶體管(FET)。
晶體管有三個(gè)極;雙極性晶體管的三個(gè)極,分別由N型跟P型組成發(fā)射極(Emitter)、基極(Base) 和集電極(Collector);場效應(yīng)晶體管的三個(gè)極,分別是源極(Source)、柵極(Gate)和漏極(Drain)。
晶體管因?yàn)橛腥N極性,所以也有三種的使用方式,分別是發(fā)射極接地(又稱共射放大、CE組態(tài))、基極接地(又稱共基放大、CB組態(tài))和集電極接地(又稱共集放大、CC組態(tài)、發(fā)射極隨耦器)。
晶體管(transistor)是一種固體半導(dǎo)體器件,具有檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能。晶體管作為一種可變電流開關(guān),能夠基于輸入電壓控制輸出電流。與普通機(jī)械開關(guān)(如Relay、switch)不同,晶體管利用電訊號(hào)來控制自身的開合,而且開關(guān)速度可以非常快,實(shí)驗(yàn)室中的切換速度可達(dá)100GHz以上。
2016年,勞倫斯伯克利國家實(shí)驗(yàn)室的一個(gè)團(tuán)隊(duì)打破了物理極限,將現(xiàn)有的最精尖的晶體管制程從14nm縮減到了1nm,完成了計(jì)算技術(shù)界的一大突破。
嚴(yán)格意義上講,晶體管泛指一切以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的單一元件,包括各種半導(dǎo)體材料制成的二極管、三極管、場效應(yīng)管、可控硅等。晶體管有時(shí)多指晶體三極管。
晶體管主要分為兩大類:雙極性晶體管(BJT)和場效應(yīng)晶體管(FET)。
晶體管有三個(gè)極;雙極性晶體管的三個(gè)極,分別由N型跟P型組成發(fā)射極(Emitter)、基極(Base) 和集電極(Collector);場效應(yīng)晶體管的三個(gè)極,分別是源極(Source)、柵極(Gate)和漏極(Drain)。
晶體管因?yàn)橛腥N極性,所以也有三種的使用方式,分別是發(fā)射極接地(又稱共射放大、CE組態(tài))、基極接地(又稱共基放大、CB組態(tài))和集電極接地(又稱共集放大、CC組態(tài)、發(fā)射極隨耦器)。
互補(bǔ)場效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)和作用
隨著半導(dǎo)體技術(shù)不斷逼近物理極限,傳統(tǒng)的平面晶體管(Planar FET)、鰭式場效應(yīng)晶體管(FinFET)從平面晶體管到FinFET的演變,乃至全環(huán)繞柵...
金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,簡稱MOSFET)是現(xiàn)...
2025-01-20 標(biāo)簽:開關(guān)電源MOS管晶體管 313 0
乙類推挽功率放大器是一種高效且常用的功率放大電路,它通過在正半周期和負(fù)半周期分別使用兩個(gè)特性相同的晶體管,來實(shí)現(xiàn)對(duì)輸入信號(hào)的完整放大。本文將從工作原理、...
倍頻器,作為一種關(guān)鍵的電子電路或器件,在現(xiàn)代電子設(shè)備和通信系統(tǒng)中扮演著至關(guān)重要的角色。其核心功能是將輸入信號(hào)的頻率提高到其整數(shù)倍,這一特性使其在無線通信...
功率器件,作為現(xiàn)代電子設(shè)備和系統(tǒng)中的核心組件,扮演著至關(guān)重要的角色。它們不僅能夠承受和控制較大的電流、電壓,還廣泛應(yīng)用于電力系統(tǒng)、工業(yè)控制、電動(dòng)汽車、通...
絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)作為現(xiàn)代電力電子系統(tǒng)中的核心元件,廣泛應(yīng)用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、新能源發(fā)電、變頻器和電動(dòng)汽車等領(lǐng)域。IGBT在工作過程中會(huì)產(chǎn)生大量的...
絕緣柵雙極型晶體管(Insulated Gate Bipolar Transistor,簡稱IGBT)是一種結(jié)合了金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSF...
詳解IGBT并聯(lián)的技術(shù)要點(diǎn)(1)
大功率系統(tǒng)需要并聯(lián) IGBT來處理高達(dá)數(shù)十千瓦甚至數(shù)百千瓦的負(fù)載,并聯(lián)器件可以是分立封裝器件,也可以是組裝在模塊中的裸芯片。這樣做可以獲得更高的額定電流...
DV2004L1 PNP功率晶體管快充開發(fā)系統(tǒng)控制立即下載
類別:電子資料 2024-12-21 標(biāo)簽:晶體管調(diào)節(jié)器pnp
近日,日本豐田合成株式會(huì)社宣布了一項(xiàng)重大技術(shù)突破:成功開發(fā)出用于垂直晶體管的200mm(8英寸)氮化鎵(GaN)單晶晶圓。
蘋果著手開發(fā)新款MacBook Air,將采用氧化物TFT LCD
近日,據(jù)知情人士透露,蘋果已悄然啟動(dòng)了一項(xiàng)新項(xiàng)目,旨在為其MacBook Air系列開發(fā)配備氧化物薄膜晶體管(TFT)液晶顯示屏(LCD)的新款筆記本。...
創(chuàng)飛芯90nm BCD工藝OTP IP模塊規(guī)模量產(chǎn)
一站式 NVM 存儲(chǔ) IP 供應(yīng)商創(chuàng)飛芯(CFX)今日宣布,其反熔絲一次性可編程(OTP)技術(shù)繼 2021年在國內(nèi)第一家代工廠實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)后,2024 年在...
電子產(chǎn)品的發(fā)展歷程猶如一部波瀾壯闊的科技史詩,從早期的電子管設(shè)備到如今高度集成的智能芯片,從笨重的大型計(jì)算機(jī)到輕薄便攜的移動(dòng)設(shè)備,每一步都見證了人類科技...
意法半導(dǎo)體推出了標(biāo)準(zhǔn)閾值電壓(VGS(th))的40V STripFET F8 MOSFET晶體管,新系列產(chǎn)品兼?zhèn)鋸?qiáng)化版溝槽柵技術(shù)的優(yōu)勢和出色的抗噪能力...
2025-01-16 標(biāo)簽:MOSFET意法半導(dǎo)體晶體管 173 0
本文主要介紹微型晶體管高分辨率X射線成像 ? 一種經(jīng)過升級(jí)的X射線可對(duì)芯片內(nèi)部進(jìn)行3D成像,展現(xiàn)其設(shè)計(jì)和缺陷。這種方法的分辨率為4納米,提供的圖像非常清...
TTL電平是一種數(shù)字電路中使用的電壓標(biāo)準(zhǔn),它定義了邏輯電平的高低狀態(tài)。TTL電平的特點(diǎn)是: 電壓范圍 :TTL電平的高電平(邏輯1)通常在2.4V到5V...
在電子工程領(lǐng)域,信號(hào)電平的轉(zhuǎn)換是一個(gè)常見的需求,尤其是在不同技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)之間。TTL(晶體管-晶體管邏輯)電平和高電平信號(hào)是兩種不同的電平標(biāo)準(zhǔn),它們在電壓水...
在數(shù)字電子領(lǐng)域,TTL電平是一種非常基礎(chǔ)且廣泛使用的信號(hào)標(biāo)準(zhǔn)。TTL電平的全稱是晶體管-晶體管邏輯(Transistor-Transistor Logi...
2025-01-16 標(biāo)簽:嵌入式系統(tǒng)晶體管數(shù)字電子 272 0
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