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標(biāo)簽 > 氮化硅
氮化硅基板是一種新型的材料,具有高功率密度、高轉(zhuǎn)換效率、高溫性能和高速度等特點。氮化硅(SI3N4)陶瓷線路板是一種采用氮化硅陶瓷材料作為基板的高性能電子線路板。它具有優(yōu)異的機械和電性能。
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英諾賽科發(fā)布40V車規(guī)產(chǎn)品 駕駛艙快充首選
近年來,隨著第三代半導(dǎo)體氮化鎵器件在充電器領(lǐng)域的廣泛普及應(yīng)用,大功率充電器也日益小型化。大眾對電子設(shè)備的頻繁使用以及電量焦慮,使得出行時的充電需求變得十...
氮化硅(Si?N?)薄膜是一種高性能介質(zhì)材料,在集成電路制造領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。作為非晶態(tài)絕緣體,氮化硅薄膜不僅介電特性優(yōu)于傳統(tǒng)的二氧化硅,還具備對...
一、氮化硅薄膜制備方法及用途 氮化硅(Si3N4)薄膜是一種應(yīng)用廣泛的介質(zhì)材料。作為非晶態(tài)絕緣體,氮化硅薄膜的介電特性優(yōu)于二氧化硅,具有對可移動離子較強...
鼎龍股份CMP拋光液業(yè)務(wù)突破:千萬元級訂單助力產(chǎn)能擴張
近日,鼎龍股份宣布了其子公司武漢鼎澤新材料技術(shù)有限公司(簡稱“鼎澤新材料”)在CMP(化學(xué)機械拋光)拋光液領(lǐng)域的重大進展,標(biāo)志著公司在半導(dǎo)體材料供應(yīng)鏈中...
Atonarp過程控制質(zhì)譜儀Aston?半導(dǎo)體工藝解決方案案例
上海伯東代理日本 Atonarp 過程控制質(zhì)譜儀 Aston?, 通過使用分子傳感技術(shù), 提供半導(dǎo)體制程中 ALD, CVD, 蝕刻, ALE 和腔室...
國科光芯實現(xiàn)傳輸損耗-0.1dB/cm(1550 nm波長)級別氮化硅硅光芯片的量產(chǎn)
據(jù)麥姆斯咨詢報道,經(jīng)過兩年、十余次的設(shè)計和工藝迭代,國科光芯(海寧)科技股份有限公司(簡稱:國科光芯)在國內(nèi)首個8英寸低損耗氮化硅硅光量產(chǎn)平臺,實現(xiàn)了傳...
國科光芯:專注氮化硅硅光技術(shù),探索硅光產(chǎn)業(yè)發(fā)展新路徑
第三,我們確實在今年上半年全面升級了發(fā)展戰(zhàn)略、使命及愿景。正如剛剛在介紹國科光芯的發(fā)展里程碑話題里提到的,基于激光雷達這幾年的深度研究,以及參考國際上硅...
介質(zhì)超構(gòu)表面的CMOS兼容制備工藝的進展
超構(gòu)表面為納米光子器件賦予了更高的自由度與靈活度,使實用的微納米光子器件的實現(xiàn)成為可能。
2023-07-27 標(biāo)簽:帶通濾波器光刻機CMOS技術(shù) 1661 0
隨著游戲產(chǎn)業(yè)和數(shù)據(jù)中心的蓬勃發(fā)展,全球 NAND 市場正呈擴張之勢。而由于新冠疫情的爆發(fā),人們更多選擇遠程辦公和在線課程,對數(shù)據(jù)中心和云服務(wù)器的需求隨之增長
在選擇陶瓷基板材料時,還需要考慮其對電路設(shè)計的影響。不同的陶瓷基板材料具有不同的介電常數(shù)和介質(zhì)損耗,這會影響到電路的傳輸特性和性能穩(wěn)定性。因此,需要根據(jù)...
國產(chǎn)氮化硅陶瓷基板邂逅碳化硅功率模塊,國產(chǎn)新能源汽車開啟性能狂飆模式
新能源電動汽車爆發(fā)式增長的勢頭不可阻擋,氮化硅陶瓷基板升級SiC功率模塊,對提升新能源汽車加速度、續(xù)航里程、充電速度、輕量化、電池成本等各項性能尤為重要。
使用 ClF 3 H 2遠程等離子體在氧化硅上選擇性蝕刻氮化硅
在濕蝕刻的情況下,隨著SiNx/SiOy層的厚度減小,剩余的SiOy層由于表面張力而坍塌,蝕刻溶液對孔的滲透變得更具挑戰(zhàn)性。
國產(chǎn)氮化硅陶瓷基板升級SiC功率模塊,提升新能源汽車性能優(yōu)勢
國產(chǎn)氮化硅陶瓷基板升級SiC功率模塊,提升新能源汽車加速度、續(xù)航里程、輕量化、充電速度、電池成本5項性能優(yōu)勢
石英坩堝和石墨坩堝升級換代 可重復(fù)利用的高熱導(dǎo)氮化硅陶瓷坩堝5項優(yōu)勢助力我國單晶硅行業(yè)提質(zhì)增效
石英坩堝和石墨坩堝升級換代? 可重復(fù)利用的高熱導(dǎo)氮化硅陶瓷坩堝5項優(yōu)勢助力我國單晶硅行業(yè)提質(zhì)增效 石英坩堝在單晶硅行業(yè)的應(yīng)用 目前,國內(nèi)拉制半導(dǎo)體單晶硅...
隨著電子器件特別是第三代半導(dǎo)體的興起和應(yīng)用,半導(dǎo)體器件越來越小型化、集成化、多功能化,對襯底封裝性能提出了更高的要求。陶瓷基板具有高導(dǎo)熱性和耐熱性、低熱...
如何提高氮化硅的實際熱導(dǎo)率實現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)的問題解決
綜合上述研究可發(fā)現(xiàn),雖然燒結(jié)方式不一樣,但都可以制備出性能優(yōu)異的氮化硅陶瓷。在實現(xiàn)氮化硅陶瓷大規(guī)模生產(chǎn)時,需要考慮成本、操作難易程度和生產(chǎn)周期等因素,因...
針對越來越明顯的大功率電子元器件的散熱問題,主要綜述了目前氮化硅陶瓷作為散熱基板材料的研究進展。對影響氮化硅陶瓷熱導(dǎo)率的因素、制備高熱導(dǎo)率氮化硅陶瓷的方...
中國第3代半導(dǎo)體半導(dǎo)體理想封裝材料——高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷基板突破“卡脖子”難題
2022年9月,威海圓環(huán)先進陶瓷股份有限公司生產(chǎn)的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格0.32mmX139.7mmX190.5mm的高導(dǎo)熱氮化硅陶瓷基板已經(jīng)達到量產(chǎn)規(guī)模,高導(dǎo)熱...
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