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      標簽　>　相變化內存

      相變化內存

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      　　相變化內存簡稱PCM， PRAM， PCRAM， CRAM，又譯為相變位內存，是一種非易失性存儲器裝置。

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      相變化內存簡介

      　　PRAM 使用含一種或多種硫族化物的玻璃（Chalcogenide glass）制成，主流為GeSbTe系合金。硫屬玻璃的特性是，經由加熱可以改變它的狀態，成為晶體（Crystalline）或非晶體（Amorphous）。這些不同狀態具有相應的電阻值。因此 PRAM 可以用來存儲不同的數值。 它是未來可能取代快閃存儲器的技術之一。

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      相變化內存技術

      相變化內存原理分析及設計使用技巧

      相變化內存原理分析及設計使用技巧

      　　相變化內存(Phase Change Memory，PCM)是一項全新的內存技術，目前有多家公司在從事該技術的研發活動。這項技術集當今揮發性內存和非...

      2010-11-01 標簽：相變化內存 942 0

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