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長鑫存儲

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2016年5月，長鑫存儲技術(shù)有限公司的事業(yè)在 “創(chuàng)新之都”——安徽合肥啟動。作為一體化存儲器制造商，公司專業(yè)從事動態(tài)隨機存取存儲芯片（DRAM）的設(shè)計、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產(chǎn)。DRAM 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于移動終端、電腦、服務(wù)器、虛擬現(xiàn)實和物聯(lián)網(wǎng)等領(lǐng)域，市場需求巨大并持續(xù)增長。

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長鑫存儲"半導(dǎo)體器件冷卻設(shè)備"專利公開

該發(fā)明涉及一種新型半導(dǎo)體器件冷卻裝置，主要由冷卻部及驅(qū)動部組成。冷卻部內(nèi)置第一冷卻介質(zhì)通道，驅(qū)動部可在第一位置與第二位置

2024-04-26 標簽：半導(dǎo)體器件長鑫存儲 419 0
長鑫存儲公布新型存儲器延時控制電路

具體來說，譯碼模塊負責接收并解析模式寄存器信號，產(chǎn)生多個譯碼信號。而延時模塊則由多個延時子模塊組成，可以根據(jù)譯碼信號選擇

2024-04-26 標簽：寄存器存儲器長鑫存儲 463 0
長鑫存儲科技有限公司“沉積設(shè)備、靜電卡盤、加熱系統(tǒng)及其控溫技術(shù)”

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2024-04-15 標簽：控制器熱元件長鑫存儲 504 0
長鑫存儲獲半導(dǎo)體器件制備裝置及方法專利

這項發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件制備設(shè)備及制備策略，主要包含氣體管道、氣體優(yōu)化系統(tǒng)及反應(yīng)腔室三大組件。其中，氣體管道設(shè)有多個氣體入

2024-04-03 標簽：晶圓半導(dǎo)體器件長鑫存儲 367 0
長鑫科技融資108億元！增資助推DRAM業(yè)務(wù)騰飛，估值達1400億元

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2024-03-30 標簽： DRAM 長鑫存儲 2764 0
長鑫存儲新專利揭示半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)與制造方法

這個新穎的發(fā)明主要是關(guān)于一款包含以下幾個部分的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)：基底，基底上分布著一系列等距排列的電容接觸結(jié)構(gòu)，隔離結(jié)構(gòu)，它處

2024-03-14 標簽：半導(dǎo)體電容長鑫存儲 709 0
首款國產(chǎn)LPDDR5存儲芯片來了！已在小米、傳音等品牌機型上完成驗證

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2023-12-06 標簽：芯片長鑫存儲 LPDDR5 1437 0
長鑫存儲取得時鐘信號生成技術(shù)專利

據(jù)國家知識產(chǎn)權(quán)局公告，長鑫存儲技術(shù)有限公司取得一項名為“時鐘信號生成電路、方法及存儲器”的專利，授權(quán)公告號CN11663

2023-12-04 標簽：時鐘信號長鑫存儲 486 0
中國長鑫存儲自主研發(fā) LPDDR5 完成

長鑫存儲最近在其官網(wǎng)上宣布，已研發(fā)出中國首款 LPDDR5 DRAM記憶體芯片，并即將推出包括12GB LPDDR5、P

2023-12-03 標簽：芯片 DRAM 長鑫存儲 990 0
長鑫存儲LPDDR5正式進軍移動終端市場

資料顯示，LPDDR是低功耗的DRAM存儲器，由DDR內(nèi)存演化而來。LPDDR的架構(gòu)和接口針對低功耗應(yīng)用進行了專門優(yōu)化，

2023-12-01 標簽： DRAM DDR LPDDR 559 0

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　　我們將憑借值得信賴的產(chǎn)品和服務(wù)滿足不斷增長的市場需求，致力于成為技術(shù)領(lǐng)先與商業(yè)成功的半導(dǎo)體存儲芯片公司，以存儲科技賦能信息社會，改善人類生活。

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基于長鑫國產(chǎn)顆粒的DDR4內(nèi)存的測試報告

從2018年開始，世界的局勢越來越緊張，米國尤其在以芯片為代表的高科技行業(yè)對我們?nèi)矫娴膹棄海员ＷC芯片的自立自主呼聲越來越高。之前我們也測試過一對紫...

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內(nèi)外兼修，江波龍DDR4內(nèi)存已通過KTI專項測試認證

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2020-06-23 標簽：內(nèi)存 DDR4 江波龍 2721 0

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長鑫存儲"半導(dǎo)體器件冷卻設(shè)備"專利公開

該發(fā)明涉及一種新型半導(dǎo)體器件冷卻裝置，主要由冷卻部及驅(qū)動部組成。冷卻部內(nèi)置第一冷卻介質(zhì)通道，驅(qū)動部可在第一位置與第二位置間移動，在第一位置時，驅(qū)動部與冷...

2024-04-26 標簽：半導(dǎo)體器件長鑫存儲 419 0

長鑫存儲公布新型存儲器延時控制電路

具體來說，譯碼模塊負責接收并解析模式寄存器信號，產(chǎn)生多個譯碼信號。而延時模塊則由多個延時子模塊組成，可以根據(jù)譯碼信號選擇合適的目標延時模塊，然后根據(jù)目標...

2024-04-26 標簽：寄存器存儲器長鑫存儲 463 0

長鑫存儲科技有限公司“沉積設(shè)備、靜電卡盤、加熱系統(tǒng)及其控溫技術(shù)”

此項發(fā)明涉及一種新型沉積設(shè)備、靜電卡盤和加熱機構(gòu)，并提供了相應(yīng)的控溫方法。加熱機構(gòu)主要由導(dǎo)熱板、加熱組件及控制器組成。加熱組件包含至少兩個加熱元件，其中...

2024-04-15 標簽：控制器熱元件長鑫存儲 504 0

長鑫存儲獲半導(dǎo)體器件制備裝置及方法專利

這項發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件制備設(shè)備及制備策略，主要包含氣體管道、氣體優(yōu)化系統(tǒng)及反應(yīng)腔室三大組件。其中，氣體管道設(shè)有多個氣體入口管道；在反應(yīng)腔室內(nèi)，自上而下依...

2024-04-03 標簽：晶圓半導(dǎo)體器件長鑫存儲 367 0

長鑫科技融資108億元！增資助推DRAM業(yè)務(wù)騰飛，估值達1400億元

本輪所有投資人均以相同條款及價格，與長鑫科技、上述三個早期股東簽署增資協(xié)議，并將簽署《關(guān)于長鑫科技集團股份有限公司之股東協(xié)議》，共同參與長鑫科技增資事項。

2024-03-30 標簽：DRAM 長鑫存儲 2764 0

長鑫存儲新專利揭示半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)與制造方法

這個新穎的發(fā)明主要是關(guān)于一款包含以下幾個部分的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)：基底，基底上分布著一系列等距排列的電容接觸結(jié)構(gòu)，隔離結(jié)構(gòu)，它處于基底頂部并在電容接觸結(jié)構(gòu)之間；...

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首款國產(chǎn)LPDDR5存儲芯片來了！已在小米、傳音等品牌機型上完成驗證

LPDDR5芯片是第五代超低功耗雙倍速率動態(tài)隨機存儲器。與上一代LPDDR4X相比，長鑫存儲LPDDR5單一顆粒的容量和速率均提升50%，分別達到12G...

2023-12-06 標簽：芯片長鑫存儲 LPDDR5 1437 0

中國長鑫存儲自主研發(fā) LPDDR5 完成

長鑫存儲最近在其官網(wǎng)上宣布，已研發(fā)出中國首款 LPDDR5 DRAM記憶體芯片，并即將推出包括12GB LPDDR5、POP封裝的12GB LPDDR5...

2023-12-03 標簽：芯片 DRAM 長鑫存儲 990 0

長鑫存儲取得時鐘信號生成技術(shù)專利

據(jù)國家知識產(chǎn)權(quán)局公告，長鑫存儲技術(shù)有限公司取得一項名為“時鐘信號生成電路、方法及存儲器”的專利，授權(quán)公告號CN116631469B，申請日期為2023年7月。

2023-12-04 標簽：時鐘信號長鑫存儲 486 0

長鑫存儲LPDDR5正式進軍移動終端市場

資料顯示，LPDDR是低功耗的DRAM存儲器，由DDR內(nèi)存演化而來。LPDDR的架構(gòu)和接口針對低功耗應(yīng)用進行了專門優(yōu)化，提供更窄的通道寬度、尺寸更小、工...

2023-12-01 標簽：DRAM DDR LPDDR 559 0

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