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標簽 > GaN晶體管
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HVPE(氫化物氣相外延法)與上述兩種方法的區(qū)別還是在于鎵源,此方法通常以鎵的氯化物GaCl3為鎵源,NH3為氮源,在襯底上以1000 ℃左右的溫度生長...
GaN晶體管是新電源應用的理想選擇。它們具有較小的尺寸,非常高的運行速度并且非常高效。它們可用于輕松構建任何電力項目。在本教程中,我們將使用EPC的Ga...
iCoupler技術為AC/DC設計中的氮化鎵(GaN)晶體管帶來諸多優(yōu)勢
GaN晶體管支持大多數(shù)包含單獨功率因數(shù)校正(PFC)和DC-DC部分的AC/DC電源:前端、無電橋PFC以及其后的LLC諧振轉換器(兩個電感和一個電容)...
SiC晶體管是天然的E型MOSFET。這些器件可在高達1 MHz的頻率下進行開關,其電壓和電流水平遠高于硅MOSFET。
全新60W GaN HEMT Psat晶體管幫助降低軍用和民用雷達系統(tǒng),對于高功率放大器尺寸、重量以及散熱的要求
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