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• 國產(chǎn)首款！成功驗(yàn)證

  來源：新華網(wǎng) 我國在太空成功驗(yàn)證第三代半導(dǎo)體材料制造的功率器件 ? 以碳化硅（SiC）為代表的第三代半導(dǎo)體材料是我國制造

  2025-02-05 標(biāo)簽： 功率器件 SiC 58 0

• 碳化硅功率器件的散熱方法

  碳化硅（SiC）作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，因其耐高壓、耐高溫、高開關(guān)速度和高導(dǎo)熱率等優(yōu)良特性，在新能源、光伏發(fā)電、軌道交

  2025-02-03 標(biāo)簽： 半導(dǎo)體 SiC 碳化硅 69 0

• 碳化硅功率器件的封裝技術(shù)解析

  碳化硅（SiC）功率器件因其低內(nèi)阻、高耐壓、高頻率和高結(jié)溫等優(yōu)異特性，在電力電子系統(tǒng)中得到了廣泛關(guān)注和應(yīng)用。然而，要充分

  2025-02-03 標(biāo)簽： 功率器件 SiC 碳化硅 63 0

• 碳化硅襯底的生產(chǎn)過程

  碳化硅（SiC）作為一種寬禁帶半導(dǎo)體材料，因其出色的物理和化學(xué)特性，如高硬度、高熔點(diǎn)、高熱導(dǎo)率和化學(xué)穩(wěn)定性，在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

  2025-02-03 標(biāo)簽： 半導(dǎo)體 SiC 碳化硅 72 0

• 溝槽型SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)和應(yīng)用

  碳化硅（SiC）作為第三代半導(dǎo)體材料，因其出色的寬禁帶、高臨界擊穿電場、高電子飽和遷移速率和高導(dǎo)熱率等特性，在新能源、智

  2025-02-02 標(biāo)簽： MOSFET SiC 碳化硅 104 0

• SiC MOSFET的參數(shù)特性

  碳化硅（SiC）MOSFET作為寬禁帶半導(dǎo)體材料（WBG）的一種，具有許多優(yōu)異的參數(shù)特性，這些特性使其在高壓、高速、高溫

  2025-02-02 標(biāo)簽： MOSFET SiC 碳化硅 85 0

• 25個(gè)半導(dǎo)體項(xiàng)目達(dá)成簽約、開工、封頂及投產(chǎn)等重要進(jìn)展

  ? ? 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)網(wǎng)獲悉：近日，華天盤古半導(dǎo)體先進(jìn)封測項(xiàng)目、士蘭集宏的8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線項(xiàng)目、百立新半導(dǎo)

  2025-01-24 標(biāo)簽： 半導(dǎo)體 SiC 封測 745 0

• 國產(chǎn)首款高壓抗輻射SiC功率器件完成空間驗(yàn)證并實(shí)現(xiàn)在軌電源系統(tǒng)應(yīng)用

  功率器件是實(shí)現(xiàn)電能變換和控制的核心，被譽(yù)為電力電子系統(tǒng)的心臟，是最為基礎(chǔ)、最為廣泛應(yīng)用的器件之一。隨著硅（Si）基功率器

  2025-01-23 標(biāo)簽： 電源 功率器件 SiC 366 0

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  為什么650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件？

  650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超結(jié)MOSFET和高壓GaN氮化鎵器件

  2025-01-23 標(biāo)簽： MOSFET SiC 氮化鎵 144 0

• SiC產(chǎn)業(yè)融資熱潮持續(xù),五家企業(yè)近期成功獲資

  近期，全球及國內(nèi)的碳化硅（SiC）產(chǎn)業(yè)迎來了融資加速期，又有五家企業(yè)成功獲得融資，進(jìn)一步推動了SiC產(chǎn)業(yè)的發(fā)展。

  2025-01-23 標(biāo)簽： SiC 碳化硅 145 0

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