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      標簽　>　Ascend

      Ascend

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      ascend資訊

      華為Ascend 910和Ascend 310兩款AI芯片，在底層芯片級實現了業界領先

      所謂“全場景”，是指包括公有云、私有云、各種邊緣計算、物聯網行業終端以及消費類終端等部署環境，意味著華為有能力實現智能無所不及，構建萬物互聯的智能世界。

      2018-10-12 標簽：華為人工智能ascend 1.1萬 0

      華為發布了全球首個覆蓋全場景人工智能AI昇騰Ascend系列IP和芯片

      所謂“全場景”，是指包括公有云、私有云、各種邊緣計算、物聯網行業終端以及消費類終端等部署環境，意味著華為有能力實現智能無所不及，構建萬物互聯的智能世界。

      2018-10-11 標簽：華為人工智能ascend 3349 0

      基于昇騰AI | 英碼科技EA500I使用AscendCL實現垃圾分類和視頻物體分類應用

      基于昇騰AI | 英碼科技EA500I使用AscendCL實現垃圾分類和視頻物體分類應用

      ? ? 現如今，人工智能迅猛發展，AI賦能產業發展的速度正在加快，“AI+”的需求蜂擁而來，但AI應用快速落地的過程中仍存在很大的挑戰：向下需要適配的硬...

      2024-04-26 標簽：AI人工智能Ascend 461 0

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      ascend數據手冊

      型號 描述 數據手冊 參考價格
      ASDM540G-R 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):100V;連續漏極電流(Id):33A;功率(Pd):70W;導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):31mΩ@10V,12A;
      ASDM3416EZA-R N型MOS管@@VDS20V,ID7ARDS(on),Typ@VGS=4.5V16mR
      ASDM7002EZA-R
      ASDM3401ZB-R 類型:P溝道;漏源電壓(Vdss):30V;連續漏極電流(Id):4.2A;功率(Pd):1.4W;導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):65mΩ@10V,4A;閾值電壓(Vgs(th)@Id):1.5V@250uA;柵極電荷(Qg@Vgs):-;輸入電容(Ciss@Vds):954pF@15V;反向傳輸電容(Crss@Vds):77pF@15V;工作溫度:-55℃~+150℃@(Tj);
      ASDM20N12ZB-R 類型:N溝道;漏源電壓(Vdss):20V;連續漏極電流(Id):12A;功率(Pd):1.14W;導通電阻(RDS(on)@Vgs,Id):11.5mΩ@4.5V,5A;閾值電壓(Vgs(th)@Id):950mV@250uA;柵極電荷(Qg@Vgs):-;輸入電容(Ciss@Vds):1.035nF@20V;反向傳輸電容(Crss@Vds):150pF@20V;工作溫度:+150℃@(Tj);

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