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EUV光刻技術(shù) - 即將在芯片上繪制微小特征的下一代技術(shù) – 原來是預(yù)計(jì)在2012年左右投產(chǎn)。但是幾年過去了，EUV已經(jīng)遇到了一些延遲，將技術(shù)從一個(gè)節(jié)點(diǎn)推向下一個(gè)階段，本單元詳細(xì)介紹了EUV光刻機(jī)，EUV光刻機(jī)技術(shù)的技術(shù)應(yīng)用，EUV光刻機(jī)的技術(shù)、市場問題，國產(chǎn)euv光刻機(jī)發(fā)展等內(nèi)容。

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euv技術(shù)

氦質(zhì)譜檢漏儀 EUV ***檢漏

上海伯東客戶日本某生產(chǎn)半導(dǎo)體用光刻機(jī)公司, 光刻機(jī)真空度需要達(dá)到 1x10-11 pa 的超高真空, 因?yàn)樵O(shè)備整體較大, 需要對構(gòu)成光刻機(jī)的真空相關(guān)部件...

2023-06-02 標(biāo)簽：EUV EUV光刻機(jī)氦質(zhì)譜檢漏儀 877 0

微納制造技術(shù)：定向自組裝（DSA）終于找到了立足點(diǎn)

英特爾的發(fā)言人表示，該公司目前正在尋求多種利用定向自組裝（DSA）的集成工藝流程。“我們在 SPIE 等會議上公開討論過的一個(gè)工藝流程是使用 DSA 進(jìn)...

2023-08-22 標(biāo)簽：DSA 極紫外光刻機(jī)器學(xué)習(xí) 4244 0

高數(shù)值孔徑EUV的技術(shù)要求是什么

今年的大部分討論都集中在 EUV 的下一步發(fā)展以及高數(shù)值孔徑 EUV 的時(shí)間表和技術(shù)要求上。ASML戰(zhàn)略營銷高級總監(jiān)Michael Lercel表示，目...

2023-08-11 標(biāo)簽：EUV 光刻膠光刻設(shè)備 637 0

光刻技術(shù)的發(fā)展如何彎道超車或者換道超車

三十年來，半導(dǎo)體掩模技術(shù)基本保持不變，掩模的制作是在可變成形機(jī)上進(jìn)行的，這些機(jī)器將可變元件限制在 45 度角。隨著功能縮小并變得更加復(fù)雜，電子束和多束掩...

2023-08-01 標(biāo)簽：光刻 EUV 光刻膠 546 0

EUV光刻的作用和重要性分析

根據(jù)這些信息，我們可以嘗試提取和評估每季度的 EUV 晶圓產(chǎn)量。首先，由于有些季度沒有報(bào)告產(chǎn)出，我們將使用四次多項(xiàng)式擬合進(jìn)行插值。使用四次多項(xiàng)式作為最佳...

2023-07-24 標(biāo)簽：晶圓 EUV 436 0

Overlay如何與EUV圖案保持同步

套刻計(jì)量（Overlay metrology）工具可提高精度，同時(shí)提供可接受的吞吐量，解決日益復(fù)雜的設(shè)備中的競爭要求。

2023-07-10 標(biāo)簽：內(nèi)存光刻機(jī)器學(xué)習(xí) 1780 0

晶圓代工廠如何突破物理極限提升光刻技術(shù)？

EUV微影技術(shù)的落實(shí)延續(xù)了摩爾定律的壽命，這里的EUV指的其實(shí)是一種紫外光源，跟過去光刻技術(shù)所采用的光源比起來，EUV的波長更短，因此有助于大幅提高分辨率。

2023-06-27 標(biāo)簽：摩爾定律晶圓代工光刻技術(shù) 588 0

ASML***發(fā)展歷程 ***核心系統(tǒng)設(shè)計(jì)流程

光刻機(jī)可分為前道光刻機(jī)和后道光刻機(jī)。光刻機(jī)既可以用在前道工藝，也可以用在后道工藝，前道光刻機(jī)用于芯片的制造，曝光工藝極其復(fù)雜，后道光刻機(jī)主要用于封裝測試...

2023-06-15 標(biāo)簽：芯片制造光刻機(jī)EUV 4273 0

幾種新興存儲器的技術(shù)對比

根據(jù)存儲與計(jì)算的距離遠(yuǎn)近，將廣義存算一體的技術(shù)方案分為三大類，分別是近存計(jì)算 (Processing Near Memory，PNM)、存內(nèi)處理(Pro...

2023-06-09 標(biāo)簽：存儲器光刻機(jī)EUV 1636 0

芯片制造之光刻工藝詳細(xì)流程圖

2023-06-09 標(biāo)簽：芯片制造光刻機(jī)EUV 1.0萬 0

極紫外光刻隨機(jī)效應(yīng)的表現(xiàn)及產(chǎn)生原因

　　極紫外光刻的制約因素　　耗電量高極紫外線波長更短，但易被吸收，可利用率極低，需要光源提供足夠大的功率。如ASML 3400B光刻機(jī)，250W的功...

2023-06-08 標(biāo)簽：光刻機(jī)EUV 547 0

芯片制造光刻步驟詳解

芯片前道制造可以劃分為七個(gè)環(huán)節(jié)，即沉積、涂膠、光刻、去膠、烘烤、刻蝕、離子注入。

2023-06-08 標(biāo)簽：集成電路 PAC 光刻機(jī) 5916 0

一文解析EUV掩模版缺陷分類、檢測、補(bǔ)償

光刻機(jī)需要采用全反射光學(xué)元件，掩模需要采用反射式結(jié)構(gòu)。這些需求帶來的是EUV光刻和掩模制造領(lǐng)域的顛覆性技術(shù)。EUV光刻掩模的制造面臨著許多挑戰(zhàn)，...

2023-06-07 標(biāo)簽：光刻機(jī)光刻技術(shù)EUV 2637 0

一文看懂EUV光刻

極紫外 (EUV) 光刻系統(tǒng)是當(dāng)今使用的最先進(jìn)的光刻系統(tǒng)。本文將介紹這項(xiàng)重要但復(fù)雜的技術(shù)。

2023-06-06 標(biāo)簽：半導(dǎo)體晶圓光刻 1290 0

***工藝流程圖及成像過程詳解

IGBT相比MOSFET，可在更高電壓下持續(xù)工作，同時(shí)需要兼顧高功率密度、低損耗、高可靠性、散熱好、低成本等因素。一顆高性能、高可靠性與低成本的IGBT...

2023-06-06 標(biāo)簽：MOSFET IGBT 芯片制造 6614 0

EUV光源四種產(chǎn)生方式及對比分析

隨著光刻技術(shù)的進(jìn)步，光刻光源的曝光波長已經(jīng)減小很多。早期投影式光刻技術(shù)的曝光波長為436nm、365nm （分別來自于汞弧燈可見光g線和紫外光i線），所...

2023-06-01 標(biāo)簽：集成電路光刻 EUV 2452 0

半導(dǎo)體工藝與制造裝備技術(shù)發(fā)展趨勢

摘要：針對半導(dǎo)體工藝與制造裝備的發(fā)展趨勢進(jìn)行了綜述和展望。首先從支撐電子信息技術(shù)發(fā)展的角度，分析半導(dǎo)體工藝與制造裝備的總體發(fā)展趨勢，重點(diǎn)介紹集成電路...

2023-05-23 標(biāo)簽：集成電路半導(dǎo)體工藝 1585 0

納米壓印，終于走向臺前？

納米壓印技術(shù)，即Nanoimprint Lithography（NIL），是一種新型的微納加工技術(shù)。該技術(shù)將設(shè)計(jì)并制作在模板上的微小圖形，通過壓印等技術(shù)...

2023-05-19 標(biāo)簽：晶體管納米光刻機(jī) 1678 0

EUV光刻技術(shù)優(yōu)勢及挑戰(zhàn)

EUV光刻技術(shù)仍被認(rèn)為是實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體行業(yè)持續(xù)創(chuàng)新的關(guān)鍵途徑。隨著技術(shù)的不斷發(fā)展和成熟，預(yù)計(jì)EUV光刻將在未來繼續(xù)推動芯片制程的進(jìn)步。

2023-05-18 標(biāo)簽：光刻人工智能 EUV 3176 0

ChatGPT是怎么看EUV光刻的呢？

EUV光刻膠需要具有足夠的耐刻蝕性，以便在后續(xù)的刻蝕過程中保護(hù)圖案。為了提高耐刻蝕性，研究人員正在開發(fā)新型刻蝕抑制劑和交聯(lián)劑，以增強(qiáng)光刻膠的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性。

2023-05-08 標(biāo)簽：人工智能光刻技術(shù)EUV 793 0

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3D打印（3DP）即快速成型技術(shù)的一種，它是一種以數(shù)字模型文件為基礎(chǔ)，運(yùn)用粉末狀金屬或塑料等可粘合材料，通過逐層打印的方式來構(gòu)造物體的技術(shù)。
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上海安路信息科技有限公司成立于2011年，總部位于浦東新區(qū)張江高科技園區(qū)。安路科技專注于為客戶提供高性價(jià)比的可編程邏輯器件（FPGA）、可編程系統(tǒng)級芯片（SOC）、定制化可編程芯片、及相關(guān)軟件設(shè)計(jì)工具和創(chuàng)新系統(tǒng)解決方案。
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驍龍835（一般指高通驍龍?zhí)幚砥鳎┦且豢钣?017年初由高通廠商研發(fā)的支持Quick Charge 4.0快速充電技術(shù)的手機(jī)處理器。
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