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標簽 > euv
EUV光刻技術 - 即將在芯片上繪制微小特征的下一代技術 – 原來是預計在2012年左右投產。但是幾年過去了,EUV已經遇到了一些延遲,將技術從一個節點推向下一個階段,本單元詳細介紹了EUV光刻機,EUV光刻機技術的技術應用,EUV光刻機的技術、市場問題,國產euv光刻機發展等內容。
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作為近乎壟斷的光刻機巨頭,ASML的EUV光刻機已經在全球頂尖的晶圓廠中獲得了使用。無論是英特爾、臺積電還是三星,EUV光刻機的購置已經是生產支出中很大...
EUV 作為現在最先進的光刻機,是唯一能夠生產 7nm 以下制程的設備,因為它發射的光線波長僅為現有設備的十五分之一,能夠蝕刻更加精細的半導體電路,所...
近日見到一文7nm大戰在即買不到EUV光刻機的大陸廠商怎么辦?。 受瓦圣納條約的限止,今天中國即便有錢想買EUV光刻機也不可能,此話是事實,不是危言聳聽...
正在進行的第三屆進博會上,光刻機巨頭ASML也參展了,并且還在自己的展臺上曬出展示了DUV光刻機。
我國成功研發出9nm線寬雙光束超衍射極限光刻試驗樣機 打破國外技術壟斷
4月10日記者從武漢光電國家研究中心獲悉,該中心甘棕松團隊采用二束激光在自研的光刻膠上突破了光束衍射極限的限制,采用遠場光學的辦法,光刻出最小9納米線寬...
2019-04-16 標簽:EUV 9040 0
麒麟990處理器或采用臺積電EUV技術 7納米+加強版制程預計2019年的第1季進行流片
日前,才在英國倫敦發布會上展出4款Mate 20系列手機,以及新款麒麟980處理器的華為,根據外電報導,更新一代的麒麟990處理器也已經發展到一個階段。...
芯片行業從20世紀90年代開始就考慮使用13.5nm的EUV光刻(紫外線波長范圍是10~400nm)用以取代現在的193nm。EUV本身也有局限,比如容...
三星3nm工藝創新采用‘GAAFET結構’ 芯片面積減少45%
韓國三星電子于15日宣布在Samsung Foundry Forum 2019 USA上發布工藝設計套件(PDK)0.1版3nm Gate-All-Ar...
這還要從三星正式推出8nm制程說起。2017年5月,三星電子半導體事業部在美國圣克拉拉舉行的三星代工論壇上,公布了其未來幾年的制程工藝路線圖,其中,8n...
EUV要解決的不僅是波長問題,更重要的是,ASML的LPP EUV光源中,激光器需要達到20kW的功率,而這樣的發射功率經過重重反射,達到焦點處的功率卻...
與過去相比,研究人員現在已經將EUVL作為存儲器關鍵結構的圖形化工藝的一個選項,例如DRAM的柱體結構及STT-MRAM的MTJ。在本文的第二部分,IM...
說到芯片,估計每個人都知道它是什么,但說到光刻,許多人可能不知道它是什么。光刻機是制造芯片的機器和設備。沒有光刻機的話,就無法生產芯片,因此每個人都知道...
新思科技Custom Design Platform獲批三星7LPP工藝技術認證
· 新思科技Custom Design Platform為三星7LPP工藝技術提供經認證的工具、PDK、仿真模型、運行集(runsets)以及定制參考流...
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