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igbt芯片

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igbt芯片技術(shù)

IGBT芯片自身的短路分析

這里，我們只關(guān)注IGBT芯片自身的短路，不考慮合封器件中并聯(lián)的二極管或者是RC-IGBT的寄生二極管。

2023-12-05 標(biāo)簽：IGBT 漏電流驅(qū)動(dòng)電阻 9222 0

光伏組串逆變器需要ANPC 3L拓?fù)鋯幔克亲罴堰x擇嗎？

ANPC 3L，英文全稱叫Active Neutral Point Clamped Three Level；中文全稱叫有源中性點(diǎn)鉗位三電平。

2023-11-09 標(biāo)簽：PWM控制光伏逆變器 NPC 6876 0

IGBT芯片互連常用鍵合線材料特性

鋁線鍵合是目前工業(yè)上應(yīng)用最廣泛的一種芯片互連技術(shù)，鋁線鍵合技術(shù)工藝十分成熟，且價(jià)格低廉。鋁線根據(jù)直徑的不同分為細(xì)錫線和粗鋁線兩種，直徑小于100um的鋁...

2023-03-27 標(biāo)簽：IGBT 功率器件寄生電感 4741 0

PT與NPT結(jié)構(gòu)與原理對(duì)比

PT-IGBT很好地解決了IGBT的閂鎖問(wèn)題，但是需要增加外延層厚度，技術(shù)復(fù)雜，成本也高。IGBT芯片中的外延層與電壓規(guī)格是直接相關(guān)的，電壓規(guī)格越高、外...

2023-02-26 標(biāo)簽：電壓 IGBT igbt芯片 4647 0

探討一下IGBT的片上電流傳感器基本原理及用法

片上電流傳感器的電氣原理圖如下圖所示，按照比例設(shè)計(jì)一個(gè)采樣IGBT，并單獨(dú)引線到外部做采樣電路。圖中還包含了溫度傳感器，這里不展開(kāi)講。主要聊聊電流傳感器。

2023-10-10 標(biāo)簽：傳感器溫度傳感器 IGBT 3085 0

IGBT芯片互連常用鍵合線材料特性

IGBT芯片與芯片的電極端子間，IGBT芯片電極端子與二極管芯片間，芯片電極端子與絕緣襯板間一般通過(guò)引線鍵合技術(shù)進(jìn)行電氣連接。

2023-04-01 標(biāo)簽：二極管 IGBT IC芯片 2607 0

IGBT單管及IGBT模塊的區(qū)別在哪？

IGBT最常見(jiàn)的形式其實(shí)是模塊（Module），而不是單管。

2023-12-08 標(biāo)簽：IGBT 晶體管 PFC 2559 0

IGBT中都有哪些PN結(jié)？PN結(jié)的組合會(huì)給IGBT帶來(lái)哪些特性？

如下圖所示為目前國(guó)際上最為主流的IGBT芯片俯視圖和截面示意圖

2023-11-28 標(biāo)簽：半導(dǎo)體 IGBT PN結(jié) 2389 0

IGBT芯片技術(shù)的發(fā)展

加工技術(shù)：IGBT芯片的加工技術(shù)包括晶圓制備、摻雜、光刻、腐蝕、沉積等方面。加工技術(shù)的發(fā)展可以提高芯片的制造精度和一致性。例如，采用新型的晶圓制備技術(shù)，...

2023-02-20 標(biāo)簽：晶圓光刻 igbt芯片 2210 0

關(guān)于IGBT模塊可靠性測(cè)試

作為電力電子重要大功率主流器件之一，IGBT已經(jīng)廣泛應(yīng)用于家用電器、交通運(yùn)輸、電力工程、可再生能源和智能電網(wǎng)等領(lǐng)域。

2023-06-04 標(biāo)簽：IGBT SAM IGBT模塊 1816 0

igbt芯片vce與結(jié)溫的關(guān)系

IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種廣泛應(yīng)用于電力電子領(lǐng)域的半導(dǎo)體器件，具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通壓降、快速開(kāi)關(guān)速度等特點(diǎn)。在IGBT的應(yīng)用過(guò)程中，VCE（集...

2024-08-08 標(biāo)簽：集電極半導(dǎo)體器件 VCE 1679 0

IGBT芯片的電熱性能分析

本文對(duì)IGBT芯片的電熱性能進(jìn)行了廣泛的研究，用于IGBT芯片中的3D封裝結(jié)構(gòu)。在過(guò)去的幾年里，半導(dǎo)體技術(shù)取得了長(zhǎng)足的進(jìn)步，特別是在電力電子領(lǐng)域，在研究...

2023-02-19 標(biāo)簽：IGBT 雙極晶體管 igbt芯片 1625 0

IGBT芯片與IGBT模塊有什么不同

IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）芯片與IGBT模塊在電力電子領(lǐng)域中扮演著至關(guān)重要的角色，它們?cè)诮Y(jié)構(gòu)、功能、應(yīng)用及性能等方面存在顯著的差異。以下是對(duì)兩者區(qū)別...

2024-08-08 標(biāo)簽：晶體管 IGBT模塊 igbt芯片 1514 0

IGBT模塊的額定值和特性介紹

如果施加超過(guò)額定值的負(fù)載。會(huì)立即損壞元件或降低元件的可靠性。請(qǐng)遵照規(guī)格書(shū)額定值進(jìn)行設(shè)計(jì)

2023-10-13 標(biāo)簽：二極管整流二極管 IGBT模塊 1450 0

為什么不用SiC來(lái)做IGBT？未來(lái)是否會(huì)大規(guī)模的使用SiC來(lái)做IGBT呢？

IGBT芯片是IGBT器件的主要部分，通常由硅制成。它由四個(gè)區(qū)域組成：N+型集電極、P型漏極、N型溝道和P+型柵極。

2023-08-08 標(biāo)簽：MOSFET 驅(qū)動(dòng)電路 SiC 1362 0

為什么逆導(dǎo)型IGBT是大功率PFC應(yīng)用的最佳選擇呢？

對(duì)于功率因數(shù)校正（PFC），通常使用升壓轉(zhuǎn)換器Boost拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。它可以最大限度地減少輸入電流的諧波。

2023-08-23 標(biāo)簽：升壓轉(zhuǎn)換器續(xù)流二極管 CCM 1278 0

如何正確理解IGBT廠家給出的功率循環(huán)曲線？

近年來(lái)IGBT的可靠性問(wèn)題一直受到行業(yè)的廣泛關(guān)注，特別是風(fēng)力發(fā)電、軌道交通等應(yīng)用領(lǐng)域。

2023-06-08 標(biāo)簽：IGBT CIPS igbt芯片 916 0

為什么CIPOS? Mini更偏向于使用IGBT芯片，而非Si MOSFET？

英飛凌作為電力電子領(lǐng)域創(chuàng)新解決方案的領(lǐng)先企業(yè)，其取得的一大顯著成就是，開(kāi)發(fā)了用于集成功率模塊（IPM）的絕緣柵雙極晶體管（IGBT）和金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)...

2024-02-19 標(biāo)簽：MOSFET 半導(dǎo)體 igbt芯片 451 0

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