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標簽 > VCO

VCO簡介

  VCO即壓控振蕩器,是射頻電路的重要組成部分。 射頻電路多采用調制解調方式,因此嚴重依賴本振。而現代通信技術要求復用、跳頻等新技術,采用電壓控制振蕩回路中電容的電容量,進而改變振蕩回路諧振頻率就成為實現這些技術的手段之一。

VCO百科

  VCO即壓控振蕩器,是射頻電路的重要組成部分。 射頻電路多采用調制解調方式,因此嚴重依賴本振。而現代通信技術要求復用、跳頻等新技術,采用電壓控制振蕩回路中電容的電容量,進而改變振蕩回路諧振頻率就成為實現這些技術的手段之一。

  設計介紹

  電壓控制

  藍牙收發器

  ◆藍牙發射器 藍牙無線信號采用高斯頻移鍵控(GFSK)方式調制,發射數據(Tx)通過高斯濾波器濾波后,用濾波器的輸出對VCO頻率進行調制。根據串行輸入數據流邏輯電平,VCO頻率會從其中心頻率向正負兩端偏離,偏移量決定了發射器的調制指數,調制的信號經放大后由天線發射出去。

  藍牙無線信號在半雙工模式下工作,用一個RF多路復用開關(位于天線前)將天線連接到發射或接收模式。

  藍牙

  與設備接收部分相似,從另一個藍牙設備發射來的GFSK信號也是由天線接收的。在這期間,開關與低噪聲放大器(LNA)相連,對接收到的信號(Rx)進行放大。下一級混頻器將接收信號下變換到IF頻率(一般為幾MHz),進行該步驟時用于發射的PLL/VCO部分作為接收器下變頻本機振蕩器使用,將IF信號解調并恢復出數據。

  擴展頻譜

  藍牙無線通信的一個獨特之處就是它使用了擴頻技術,該技術原來是為軍事應用開發的,因為軍事應用中無線數據傳送必須安全可靠。傳統意義上的窄帶應用要消耗更多功率,在一個頻率上停留的時間很長,因此頻譜很容易被檢測到;而將發射器功率分配(擴展)到更大的帶寬上之后,此時信號看起來更像隨機噪聲,這相當于犧牲帶寬效率來換取可靠性和安全性。由于功率密度較低,這些系統對其它信號接收器干擾小,而且即便存在信號丟失頻段,數據也可以在其它頻率恢復,從而增強了對干擾和噪聲的抵抗能力。兩種最主要的擴頻形式是跳頻(FHSS)和直接序列(DSSS),用原始數據對載波進行調制并使用與每個鏈路端點跳頻代碼一致的頻率范圍發射時(圖2)使用FHSS系統。采用這種方式后,由于某個頻率干擾而丟失的數據可以通過另一個頻率發射,FHSS中的擴展代碼生成器直接用GFSK調制技術對載波頻率進行調制。

  振蕩器自其誕生以來就一直在通信、電子、航海航空航天及醫學等領域扮演重要的角色,具有廣泛的用途。在無線電技術發展的初期,它就在發射機中用來產生高頻載波電壓,在超外差接收機中用作本機振蕩器,成為發射和接收設備的基本部件。隨著電子技術的迅速發展,振蕩器的用途也越來越廣泛,例如在無線電測量儀器中,它產生各種頻段的正弦信號電壓:在熱加工、熱處理、超聲波加工和某些醫療設備中,它產生大功率的高頻電能對負載加熱;某些電氣設備用振蕩器做成的無觸點開關進行控制;電子鐘和電子手表中采用頻率穩定度很高的振蕩電路作為定時部件等。尤其在通信系統電路中,壓控振蕩器(VCO)是其關鍵部件,特別是在鎖相環電路、時鐘恢復電路和頻率綜合器電路等更是重中之重,可以毫不夸張地說在電子通信技術領域,VCO幾乎與電流源和運放具有同等重要地位。

  對振蕩器的研究未曾停止過。從早期的真空管時代到后期的晶體管時代,無論是理論上還是電路結構和性能上,無論是體積上還是制作成本上無疑都取得了飛躍性的進展,但在很長的一段時期內都是處在用分離元件組裝而成的階段,其性能較差,成本相對較高,體積較大和難以大批量生產。隨著通信領域的不斷向前推進,終端產品越來越要求輕、薄、短、小,越來越要求低成本、高性能、大批量生產,這對于先前的分離元件組合模式將不再勝任,并提出新的要求和挑戰。集成電路各項技術的發展迎合了這些要求,特別是主流CMOS工藝提供以上要求的解決方案,單片集成振蕩器的研制取得了極大的進步。

  然而,由于工藝條件的限制,RF電路的設計多采用GaAs, Bipolar, BiCMOS工藝實現,難以和主流的標準CMOS工藝集成。因此,優性能的標準的CMOS VCO設計成為RF電路設計的熱門課題。

  vco振蕩器

  VCO是一個簡單的LC振蕩器,可以采用直流輸入控制電壓改變其輸出頻率??梢允褂米內荻O管來達到這個目的。這些二極管根據直流電壓來改變電容值。

  當被放在LC振蕩器的振蕩回路中時,振蕩回路的諧振頻率,也就是振蕩器的諧振頻率,在靜態頻率(或中心頻率)上下變化。靜態頻率由變容二極管兩端的DC偏置產生,一般初始值被設置為某個中間值。因此,通過升高或降低靜態偏執只,振蕩器的頻率可以在一個大范圍內變動。

  在VCO電路中,有兩種不同的變容二極管。一種是突變性變容二極管,具有很高的Q值和較低的相位噪聲,在整個電容值范圍內其輸入電壓的調節范圍也很寬(0~50V)。這點說明變容二極管的調諧靈敏度不高。另外,突變二極管的電容值變化范圍很小,可能失真也很小。

  另一種是超圖變性變容二極管,為了提高靈敏度,電壓調節范圍大約是0~20V,所以經常應用在寬帶和低電壓情況下。與突變二極管相比,超突變二極管具有較低的Q值和較大的相位噪聲。

  兩種類型的變容二極管都具有0V電容特性,但是由于非線性和Q值問題,二極管的兩端總是至少有0.1V的電壓,有時會更高。

  壓控振蕩器(VCO)的設計

  壓控振蕩器(以下簡稱VCO)已經成為當今無線收發器系統中不可缺少的模塊, 它是鎖相環中最重要的block, 他的噪聲性能直接決定了PLL輸出相位噪聲的噪聲性能。 有關PLL整體的分析和設計, 我們將在后期重點討論。 這里先重點討論一下VCO的理論, 設計以及對于廣大初學者最為關心的設計注意點。

  根據參考書的理論, 振蕩器其實就是帶有”設計缺陷”的放大器, 分析振蕩器原理主要有兩個方法, 第一。 負反饋理論

  

  ABS(H(jw))》1, 并且deg(H(jw)) =180度, 注意, 這里180度指的是反饋回路是與輸入信號相減再輸入到放大器A中的, 而放大器A的增益絕對值實際上要至少要為1dB, 而不是理論上的0dB.

  第二, 負阻抗分析法, 這種方法原理簡單, 形象明了, 不僅用于振蕩器分析, 也經常用于帶有反饋結構電路的振蕩與否的分析。

  振蕩器常用的類型有環形振蕩器, LC振蕩器, 前者主要應用于低頻模擬設計中, 今天我們主要談一下LC振蕩器的設計, 現在IC芯片設計中, 比較流行的LC差分結構, 核心差分管可以是MOS, 也可以是bipolar, biploar結構一般頻率設計的可以較高, 相同電流下易起振(gm較大) , 而MOS管還可以分為NMOS型和PMOS型, 在CMOS工藝下, 比如在64QAM以上的調制的系統中, 對相位噪聲的性能要求較高, 則一般設計成PMOS結構。

  

  圖2. NMOS型VCO

  一般判斷NMOS型VCO是否起振的條件為Rp-2/gm》0, Rp為平行諧振回路的總阻抗(Rl//Rc//Rother), gm為單個NMOS管子開環時的gm,

  

  圖3 bipolar LC VCO

  判斷bipolar型VCO是否起振的條件為Rp-1/gm》0, 注意與上式的區別, gm只要大于1/Rp即可起振, 而NMOS型, gm要大于2/Rp才能起振, 也就是說相同的振蕩頻率, 振蕩范圍, bipolar型VCO所需要的功率消耗是mos的一半, 這也是為什么在高頻振蕩電路中, 現在還往往選用bipolar型VCO結構。

  現在最流行的設計結構即圖3所示, 筆者在VCO設計中, 有一定的經驗和專利, 如果詳細談VCO的設計的話, 可能篇幅會很長, 這里主要談一下其設計要點。

  1) 關于inductor的設計

  一般受process工藝的限制, ind的選用也有諸多限制, 比如沒有全差分型的ind, 或者ind的寄生電阻值較大, 導致Rp變大, 增加設計難度。 如果有條件設計ind的話, 我們會碰到如何對ind參數抽出及仿真的問題, 這里我會另設一篇文章專門談談ind的設計, 等效電路建立, 參數提取,以及如何通過S參數測試實際的電感值和Q值, R值。

  總的來說, 在設計VCO的時候, 最好對ind先進行AC仿真, 了解你所使用的ind的Q曲線, freq曲線等特性。

  2) 圖3中基極電容的作用

  基極電容可是使vco振蕩信號幅度加大, 使其在非放大區也能工作。 電容要取適當, 太大相當于增加寄生電容, 頻率下降, 太小隔離作用減小, 輸出信號幅度減少。

  3) 關于varactor

  Varactor一般也分MOS型和PN型, MOS型一般可變范圍在-0.5-+0.5V, 變化率較陡, 范圍較窄, 而PN型一般在0-Vdd之間都變法, 范圍較寬, 但是PN型由于要反向加偏壓的緣故, 需要與其串接一個電容(直流隔離), 這個電容的大小又反過來影響了varactor的可變范圍。 PN還有一個缺點,就是它的溫度特性要比MOS來的大, 也就是用它來設計的VCO的溫度特性需要特別注意, 如果過大, 則需要采取一些溫度補償措施來防止溫度變化中PLL的失鎖問題的出現。

  這里還有一點需要注意, 從Vctrl端看VCO, 往往存在較大的寄生電容, 所以在設計PLL的環形濾波器時, 需要把其考慮進去

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vco知識

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