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      標簽　>　X-FAB

      X-FAB

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      x-fab技術

      X-FAB宣布升級其襯底耦合分析工具，將BCD-on-SOI工藝納入其中

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      中國北京，2022年4月21日——全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，擴展...

      2022-04-21 標簽：芯片X-FABFD-SOI工藝 6183 0

      是誰在拉動嵌入式存儲的技術革新和市場擴張

      近年來，受到全球半導體產能短缺、新冠疫情以及季節性需求等因素的影響，存儲器件的價格呈現出較大的波動態勢。

      2023-07-13 標簽：X-FAB嵌入式存儲存儲器件 504 0

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      2020-09-17 標簽：mems富士康X-FAB 7962 0

      X-FAB增強其180nm高壓CMOS技術產品組合中的車用嵌入式閃存產品

      X-FAB專有的XSTI嵌入式非易失性存儲器（NVM）IP測試接口也已包括在內，以達成對存儲器的完全串行接駁。

      2021-04-15 標簽：閃存混合信號晶圓代工 2753 0

      X-FAB宣布對180nm BCD-on-SOI技術平臺進行擴展，推出用于下一代汽車應用的新型高壓器件

      全球領先的模擬/混合信號代工廠商X-FAB Silicon Foundries，今天宣布推出針對不斷增長的48V汽車電源系統（48V board net...

      2019-07-11 標簽：電池管理系統X-FAB汽車電源系統 2636 0

      X-FAB宣布采用Cadence EMX Solver電磁仿真技術，加速創新通信和車用射頻設計

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      中國北京，2022年5月25日——全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，與E...

      2022-05-26 標簽：仿真技術X-FAB 2597 0

      X-Fab Silicon Foundries公司開發了一種基于硅的微流控原型平臺

      設計人員將可以獲得開發基于芯片的微流控子系統所需的所有關鍵元素--使他們能夠更快地完成項目的原型設計階段，并達到可以開始考慮規模量產的程度。通過將眾多元...

      2020-11-16 標簽：硅晶圓微流控X-FAB 2258 0

      X-FAB推出最新一代雪崩光電二極管和單光子雪崩二極管器件

      性能提升最明顯的領域之一是光子探測概率（PDP）。405nm波長入射光PDP數值為42%，而在近紅外（NIR）頻率上的改進幅度更進一步，高達150%；8...

      2021-02-04 標簽：雪崩二極管光電二極管X-FAB 1804 0

      X-FAB增強工藝改進顯著提升光電二極管響應速度

      透過該模塊，X-FAB現在可以為客戶帶來六種不同的光電二極管供選擇，覆蓋了從紫外線（UV）到近紅外（NIR）的波長；該系列光電二極管的不同工作參數意味著...

      2021-03-26 標簽：光電二極管X-FAB 1728 0

      X-FAB首創200V SOI晶圓代工技術

      X-FAB Silicon Foundries 日前推出全新的 XT018 制程，這是180奈米200V MOS的獨立溝槽電介質（SOI）代工制程。

      2012-11-28 標簽：晶圓代工SOIX-FAB 1553 0

      X-FAB在180nm BCD-on-SOI平臺上新增非易失性存儲器功能

      X-FAB在180nm BCD-on-SOI平臺上新增非易失性存儲器功能

      　基于公司成熟的SONOS技術，新增的Flash和EEPROM為汽車，醫療和工業領域帶來了許多新的可能性。

      2019-10-18 標簽：FlaShEEPROM非易失性存儲器 1281 0

      X-FAB為針對模擬電路設計而降低了XP018芯片的成本

      X-FAB針對可攜式模擬應用提供180nm優化的工藝。XP018工藝的多樣選擇以降低芯片的成本。這些選項是成本敏感的消費性應用與需要180nm技術、模擬...

      2019-10-14 標簽：模擬電路X-FAB 1118 0

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