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標(biāo)簽 > zvs
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玩ZVS很久了,一直沒有試過感應(yīng)加熱,是因?yàn)閭€(gè)人條件的問題所以。。。總之現(xiàn)在有條件了,做一個(gè)來玩玩,同時(shí)也算是一個(gè)教程
2018-09-12 標(biāo)簽:ZVS感應(yīng)加熱 17.3萬 1
零電壓開關(guān)(ZVS)/零電流開關(guān)(ZCS)技術(shù),或稱軟開關(guān)技術(shù),小功率軟開關(guān)電源效率可提高到80%~85%。20世紀(jì)70年代諧振開關(guān)電源奠定了軟開關(guān)技術(shù)的基礎(chǔ)。
ZVS的實(shí)現(xiàn)方案解析和MOSFET的損耗分析
MOSFET的損耗主要包括如下幾個(gè)部分:1導(dǎo)通損耗,導(dǎo)通損耗是比較容易理解的,即流過MOSFET的RMS電流在MOSFET的Rdson上的I^2R損耗。...
今天在進(jìn)行《磁性元件與開關(guān)電源設(shè)計(jì)技術(shù)》企業(yè)內(nèi)訓(xùn)時(shí);在開關(guān)電源設(shè)計(jì)技術(shù)-LLC設(shè)計(jì)調(diào)試技巧中對(duì)LLC的關(guān)鍵技術(shù)及易發(fā)生故障的狀況進(jìn)行了分析;
要實(shí)現(xiàn)LLC原邊MOSFET ZVS,MOSFET電容必須滿足的條件
LLC的優(yōu)勢(shì)之一就是能夠在比較寬的負(fù)載范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)原邊MOSFET的零電壓開通(ZVS),MOSFET的開通損耗理論上就降為零了。要保證LLC原邊MOSF...
相比于傳統(tǒng)RCD鉗位反激和準(zhǔn)諧振反激變換器,有源鉗位反激最大的優(yōu)勢(shì)在于原邊功率管的ZVS可以實(shí)現(xiàn)。通過增加一個(gè)鉗位功率管和鉗位電容,變壓器漏感中的能量可...
ZVS振蕩器的工作原理及參數(shù)設(shè)計(jì)
簡 介:本文基于 LTspice 仿真,分析了 ZVS 振蕩器的工作原理以及相關(guān)的參數(shù)設(shè)計(jì)。
提出一種諧振型高壓側(cè)調(diào)制的電流型雙向變換器 并介紹其優(yōu)點(diǎn)
本文提出了一種諧振型高壓側(cè)調(diào)制雙向直流變換器,通過理論分析和實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證,該直流變換器有如下優(yōu)點(diǎn)。
如圖19所示,當(dāng)上管關(guān)斷后,在上管的驅(qū)動(dòng)Vg1上出現(xiàn)一個(gè)電壓尖峰,當(dāng)死區(qū)時(shí)間減少,下管ZVS開通不完全時(shí),這個(gè)電壓尖峰會(huì)更大,從圖20可以看出這個(gè)尖峰出...
該拓?fù)淇刂品绞降腜FC電路,有橋堆整流,為后邊的Boost電路提供直流輸入,TM的控制方式使高頻開關(guān)MOS管可以實(shí)現(xiàn)VS或者ZVS,續(xù)流二極管可以自...
基于多相交錯(cuò)BUCK/BOOST的TCM控制的實(shí)現(xiàn)后我考慮到單相逆變器其實(shí)等效于是BUCK,所以直接把TCM控制思想沿用到了逆變器上,經(jīng)過簡單測試,效果...
LLC電路的ZVS零電壓開通十分重要,如果能夠保證ZVS,則無論是開關(guān)管的損耗,還是開關(guān)管的DS電壓應(yīng)力,都能夠得到比較好的效果。全球30A的開發(fā)過程證...
2023-03-20 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)電路ZVS 4562 0
這期內(nèi)容同樣是關(guān)于現(xiàn)有的ACF控制器SZ1131中的控制方案。該控制器出自Silanna 半導(dǎo)體公司。不過,與前面兩種控制器中實(shí)現(xiàn)的ACF專用控制策略不...
零電壓開關(guān)(Zero Voltage Switch,簡稱ZVS)是一種先進(jìn)的電力電子技術(shù),其核心思想是在開關(guān)管開通或關(guān)斷時(shí),通過控制電壓或電流波形,使其...
2024-08-21 標(biāo)簽:電容器ZVS零電壓開關(guān) 3030 0
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