西部數(shù)據(jù)（以下簡稱西數(shù)）最近宣布公司在HDD（機械硬盤）技術(shù)上取得重大突破。未來如何增加HDD的存儲密度？之前媒體已經(jīng)介紹過許多技術(shù)，例如HAMR（熱輔助磁記錄）技術(shù)，這種技術(shù)已經(jīng)出現(xiàn)在地平線上，只是還沒有推廣使用。

　　有許多企業(yè)（包括西數(shù)）都在研究HAMR技術(shù)，未來可以用它提高盤片密度。早在2013年就有企業(yè)展示過原型產(chǎn)品，不過技術(shù)要想變成可以生產(chǎn)、穩(wěn)定的產(chǎn)品，還有很遠的路要走。之前希捷曾信誓旦旦說，10年之內(nèi)將會生產(chǎn)出60TB HAMR HDD，現(xiàn)在已經(jīng)過去5年了，照眼下的形勢看，短期內(nèi)HAMR HDD還無法為生產(chǎn)做好充分的準備。

　　既然HAMR還沒有準備好，我們應(yīng)該怎么辦呢？西數(shù)似乎找到了答案，事實上，在過去近十年里，西數(shù)實驗室一直在研究該技術(shù)。從上圖我們可以看到PMR（垂直磁記錄）的最高極限是多少：1.1TB/平方英寸。有了SMR（疊瓦式磁記錄）技術(shù)，極限可以提高到1.4TB。不過行業(yè)碰到一個無法解決的難題：寫限制（writeability limit），簡單來說，就是說當介質(zhì)的密度越高、磁域越小，寫磁頭/磁場到了某個臨界點時就會太小，無法克服順磁物質(zhì)的閥值問題。如何提高極限呢？寫操作時用激光給介質(zhì)加熱是一種辦法，這就是所謂HAMR技術(shù)，還有另一種不同的方法，它的效果更好，這種技術(shù)就是MAMR（微波輔助磁記錄）。

　　不要讓“微波”這個術(shù)語迷惑你，這里的微波能量不會大到讓介質(zhì)熱起來。如果想讓數(shù)據(jù)穩(wěn)定存儲到磁盤上，密度越高（晶粒越小），就會需要更強的“寫場”（write field），上面這張圖反映了二者的關(guān)系。

? ? ?你不妨想像一下：一個磁體有南極和北極，如果你拿出一個更強的磁場，想將磁體當前存儲狀態(tài)的極性逆轉(zhuǎn)，要做到肯定很難。目前的HDD技術(shù)必須讓場足夠強，強到可以逆轉(zhuǎn)存儲極性。MAMR技術(shù)不一樣，它用到了“Spin Torque Oscillator”（簡稱STO，力矩震蕩器），以很高的頻率運行（20-40 GHz），與介質(zhì)的鐵磁共振保持一質(zhì)。這樣一來存儲場就會動進（又叫旋進），讓垂直軸傾斜。共振會讓能量增加（除了寫場還會增加能量），最終讓場朝著想要的方向翻轉(zhuǎn)。整個過程之所以能夠?qū)崿F(xiàn)，主要歸功于“共振效應(yīng)”，STO可以將寫場的效率提高3-4倍，它所消耗的電能只有生成寫場所需電能的1/100。有了MAMR技術(shù)，介質(zhì)的阻尼常數(shù)縮小，磁域也可以縮小，從而提高盤片密度。

　　MAMR技術(shù)還有一個好處：它只是將其它技術(shù)簡單整合在一起，這些技術(shù)已經(jīng)存在。西數(shù)已經(jīng)用先進的“Damascene”工藝制造驅(qū)動器磁頭，3年前，它就悄悄采用該技術(shù)。Damascene技術(shù)可以讓磁頭擁有更高的物理精度，提高密度。現(xiàn)在這門技術(shù)有了更大的用武之地，因為它的存在，西數(shù)將STO放進磁頭變得更容易。除了磁頭有變化，驅(qū)動電流也會更小。總之，不改變硬盤的基本技術(shù)就可以增加密度肯定是一件好事。充氦硬盤可以使用MAMR技術(shù)，SMR硬盤也可以用。

　　西數(shù)還宣布另一個消息：公司正在從老式的“nested actuator”技術(shù)向更新的“micro-actuator”技術(shù)轉(zhuǎn)移，2009年西數(shù)曾用“nested actuator”推出2TB HDD。與之前的技術(shù)相比，新致動器的連接點離磁頭更近，這樣一來磁頭的追蹤能力會更強，磁道間距可以擴大。目前西數(shù)的技術(shù)可以達到400TPI（每英寸磁道數(shù)），未來，因為有了新的追蹤技術(shù)、有了MAMR、介質(zhì)化學(xué)特性提升，西數(shù)希望硬盤可以達到100萬TPI。

　　40TB HDD會不會一夜之間突然涌向市場？不會。西數(shù)必須提高STO磁頭產(chǎn)能，即使產(chǎn)能提高了，介質(zhì)技術(shù)也要提升，這樣才能真正發(fā)揮MAMR的潛力。

　　現(xiàn)在我們已經(jīng)知道，西數(shù)找到了一種更簡單的辦法翻轉(zhuǎn)磁極存儲數(shù)據(jù)，不需要依賴HAMR技術(shù)，真正用HAMR技術(shù)生產(chǎn)硬盤還要等很多年。

　　西數(shù)在聲明中表示，公司之所以取得技術(shù)突破，STO是關(guān)鍵，它會生成微波場，當磁盤密度提高時記錄數(shù)據(jù)的能力會更強，穩(wěn)定性不會下降。有了MAMR技術(shù)，未來每英寸可以存儲4TB的數(shù)據(jù)。西數(shù)認為MAMR在2025年之前可以將硬盤的容量提高到40TB，甚至超過40TB，未來還會繼續(xù)增加。

　　來源：pcper