電力晶體管（Giant Transistor——GTR），是一種耐高電壓、大電流的雙極結(jié)型晶體管（Bipolar Junction Transistor—BJT），所以有時(shí)也稱為Power BJT。但其驅(qū)動(dòng)電路復(fù)雜，驅(qū)動(dòng)功率大。
2024-03-07 17:06:38
950 
串接NPN型晶體管的情況。晶體管基極要求注入電流，產(chǎn)生電流的電壓必須高于（Vo+Vbe），約為（Vo+1）。若基極串接一個(gè)電阻，則電阻輸入端電壓必須高于（Vo+1）以使電流流過。而最經(jīng)濟(jì)易行的方法
2024-03-06 20:49:11
絕緣柵雙極晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT）是一種功率半導(dǎo)體，具有MOSFET 的高速、電壓相關(guān)柵極開關(guān)特性以及 BJT 的最小導(dǎo)通電阻（低飽和電壓）特性。
2024-02-27 16:08:49579 
達(dá)林頓晶體管（Darlington Transistor）也稱為達(dá)林頓對(duì)（Darlington Pair），是由兩個(gè)或更多個(gè)雙極性晶體管（或其他類似的集成電路或分立元件）組成的復(fù)合結(jié)構(gòu)。通過這種結(jié)構(gòu)，第一個(gè)雙極性晶體管放大的電流可以進(jìn)一步被放大，從而提供比其中任意一個(gè)雙極性晶體管高得多的電流增益。
2024-02-27 15:50:53503 
雙極性晶體管是利用兩種離子導(dǎo)電，空穴和自由電子，但是對(duì)于一個(gè)實(shí)際存在的系統(tǒng)，其整體上是呈現(xiàn)電中性的，當(dāng)其中的電子或者空穴移動(dòng)形成電流時(shí)，與之對(duì)應(yīng)的空穴或者電子為什么不會(huì)一起隨著移動(dòng)？
這個(gè)問題困擾
2024-02-21 21:39:24
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《80 V，1 A PNP中等功率晶體管BC53xPAS系列數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-02-19 10:24:04
0 。
在測(cè)試實(shí)際電機(jī)時(shí)，我們遇到的電感浪涌電流超過了 MosFET 的脈沖額定值。
微TLE9853QX
場(chǎng)效應(yīng)晶體管IAUA250N04S6N005
2024-01-29 07:41:55
是，最大輸出電流時(shí)產(chǎn)生0.2 V壓降。功率場(chǎng)效應(yīng)管可以無需任何外接元件而直接并聯(lián)，因?yàn)槠渎O電流具有負(fù)溫度系數(shù)。
1、晶體管的Vbe擴(kuò)散現(xiàn)象是什么原理，在此基礎(chǔ)上為什么要加電阻？
2、場(chǎng)效應(yīng)管無需任何外接
2024-01-26 23:07:21
我在切換晶體管時(shí)遇到了一個(gè)問題。我正在嘗試讓 LED 通過晶體管閃爍。當(dāng)我從評(píng)估板（即 MSP-EXP430G2ET）獲取電源 （3.3V） 時(shí)，該程序有效。但是當(dāng)我使用外部電源 （8.33V） 為
2024-01-22 06:00:31
管子多用于集成放大電路中的電流源電路。
請(qǐng)問對(duì)于這種多發(fā)射極或多集電極的晶體管時(shí)候該如何分析？按照我的理解，在含有多發(fā)射極或多集電極的晶體管電路時(shí)，如果多發(fā)射極或多集電極的每一極分別接到獨(dú)立的電源回路中
2024-01-21 13:47:56
常用的半導(dǎo)體元件還有利用一個(gè)PN結(jié)構(gòu)成的具有負(fù)阻特性的器件一單結(jié)晶體管，請(qǐng)問這個(gè)單結(jié)晶體管是什么？能夠?qū)崿F(xiàn)負(fù)阻特性？
2024-01-21 13:25:27
晶體管在基極和集電極之間并聯(lián)電容有什么作用？是為了米勒電容嗎、？但是米勒電容對(duì)三極管的開通有害的時(shí)候，為什么還要并聯(lián)電容？電容不是越并越大，加大了等效米勒電容？
2024-01-19 22:39:57
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類產(chǎn)品相比，這些GaN內(nèi)部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵
2024-01-19 09:27:13
三極管功率會(huì)先上升后下降，因?yàn)殡妷航翟谙陆刀娏髟谏仙?b class="flag-6" style="color: red">功率最大點(diǎn)在中間位置。
3、當(dāng)基射極電流增大到一定水平，集射極電壓降低到不能再降的程度時(shí)，晶體管進(jìn)入飽和，此時(shí)無論基射極電流如何增大，集射極電流也
2024-01-18 16:34:45
對(duì)于一個(gè)含有晶體管，場(chǎng)效應(yīng)管，運(yùn)放的電路，該如何求解他的輸入電阻和輸出電阻，舉例而言，在含有晶體管的電路射極跟隨器中，求解輸出電阻時(shí)，為什么要考慮基極的電阻和偏置電路的電阻，此時(shí)不應(yīng)該在基極是二極管
2024-01-10 17:17:56
IGBT）是一種半導(dǎo)體器件，它將MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）和BJT（雙極型晶體管）的優(yōu)點(diǎn)集于一身，具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通壓降、高電流密度等優(yōu)點(diǎn)。IGBT廣泛應(yīng)用于電力電子、軌道交通
2024-01-03 15:14:22268 
在經(jīng)歷了近十年和五個(gè)主要節(jié)點(diǎn)以及一系列半節(jié)點(diǎn)之后，半導(dǎo)體制造業(yè)將開始從 FinFET過渡到3nm技術(shù)節(jié)點(diǎn)上的全柵堆疊納米片晶體管架構(gòu)。 相對(duì)于FinFET，納米片晶體管通過在相同的電路占位面積中增加
2023-12-26 15:15:11167 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《BSH201場(chǎng)效應(yīng)功率晶體管英文資料.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-12-26 10:08:450 SIC MOSFET在電路中的作用是什么？ SIC MOSFET（碳化硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種新型的功率晶體管，具有較高的開關(guān)速度和功率密度，廣泛應(yīng)用于多種電路中。 首先，讓我們簡(jiǎn)要了解一下SIC
2023-12-21 11:27:13686 MOSFET (金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管) 和 IGBT (絕緣柵雙極晶體管) 是兩種常見的功率半導(dǎo)體器件。它們?cè)诓煌膽?yīng)用場(chǎng)景中具有不同的特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)。本文將對(duì)MOSFET和IGBT進(jìn)行詳盡
2023-12-15 15:25:35366 晶體管的問世，是20世紀(jì)的一項(xiàng)重大發(fā)明，是微電子革命的先聲。晶體管出現(xiàn)后，人們就能用一個(gè)小巧的、消耗功率低的電子器件，來代替體積大、功率消耗大的電子管了。晶體管的發(fā)明又為后來集成電路的降生吹響了號(hào)角。
2023-12-13 16:42:31427 
【科普小貼士】金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）
2023-12-13 14:22:41260 
一種常見的晶體管類型，在現(xiàn)代集成電路中廣泛應(yīng)用。MOS晶體管具有三個(gè)極，分別是柵極（Gate）、漏極（Drain）和源極（Source）。在MOS晶體管的工作過程中，源極和漏極之間形成一個(gè)電流通道
2023-11-30 14:24:54617 晶體管的工作原理就像電子開關(guān)，它可以打開和關(guān)閉電流。一個(gè)簡(jiǎn)單的思考方法就是把晶體管看作沒有任何動(dòng)作部件的開關(guān)，晶體管類似于繼電器，因?yàn)槟憧梢杂盟鼇泶蜷_或關(guān)閉一些東西。當(dāng)然了晶體管也可以部分打開，這對(duì)于放大器的設(shè)計(jì)很有用。
2023-11-29 16:54:55182 
來至網(wǎng)友的提問：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
為什么要功率放大？ 當(dāng)一個(gè)放大電路比如說晶體管放大電路當(dāng)電壓放大時(shí)，由歐姆定律負(fù)載上的電流不就變大了嗎？這個(gè)我不太理解在功率放大電路中。希望有人給我講一下 謝謝！
2023-11-23 07:36:14
我在進(jìn)行AD8138ARM的熱仿真，datasheet中只有結(jié)到環(huán)境的熱阻JA的數(shù)據(jù)，我需要結(jié)到外殼的熱阻Jc的數(shù)據(jù)，還有AD8138ARM放大器集成的晶體管數(shù)目是多少？
2023-11-21 06:54:43
MOSFET中文名為金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管或MOS管，可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管。而功率MOSFET則指處于功率輸出級(jí)的MOSFET器件，通常工作電流大于1A。
2023-11-03 09:38:34196 
金氧半場(chǎng)效晶體管（MOSFET）憑借其通用性和廣泛用途躋身于最受歡迎的晶體管之列。歐時(shí)電子指南將詳述這類晶體管的工作機(jī)制，并提供關(guān)于使用和選擇恰當(dāng)MOSFET類型的實(shí)用建議。
2023-10-26 10:36:16481 
在電源與充電樁等高功率應(yīng)用中，通常需要專用驅(qū)動(dòng)器來驅(qū)動(dòng)最后一級(jí)的功率晶體管？ 電源與充電樁等高功率應(yīng)用通常需要專用驅(qū)動(dòng)器來驅(qū)動(dòng)最后一級(jí)的功率晶體管，主要是出于以下幾個(gè)方面的考慮。 首先，最后一級(jí)
2023-10-22 14:47:33409 GTO、GTR、MOSFET和IGBT四種晶體管有何優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)？ GTO、GTR、MOSFET和IGBT常被用于功率電子器件中，各有強(qiáng)項(xiàng)和弱點(diǎn)，本文著重闡述四種晶體管的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)。 一、 GTO
2023-10-19 17:01:256154 專業(yè)圖書47-《新概念模擬電路》t-I晶體管
2023-09-28 08:04:05
電源設(shè)計(jì)者只要熟悉雙極型晶體管的設(shè)計(jì)，掌握關(guān)于MOSFET管特性的基本信息，就可以很快學(xué)會(huì)使用MOSFET管進(jìn)行電路設(shè)計(jì)。對(duì)電路設(shè)計(jì)者來說,決定MOSFET管特性的制造材料和固態(tài)物理結(jié)構(gòu)并不太重要,這里
2023-09-28 06:33:09
絕緣柵雙極晶體管也簡(jiǎn)稱為IGBT ，是傳統(tǒng)雙極結(jié)型晶體管(BJT) 和場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)的交叉體，使其成為理想的半導(dǎo)體開關(guān)器件。
2023-09-06 15:12:291490 
晶體管輸出和晶閘管輸出的區(qū)別 晶體管輸出和晶閘管輸出是電子設(shè)備中常見的兩種輸出方式，它們各自擁有不同的優(yōu)缺點(diǎn)和適用場(chǎng)景。本文將詳細(xì)探討這兩種輸出方式的特點(diǎn)和差異，為大家提供深入了
2023-08-25 15:41:311244 該晶體管功率放大器電路僅使用準(zhǔn)互補(bǔ)放大器配置中的四個(gè)晶體管，即可以低成本向 4 歐姆負(fù)載提供 90W 的功率。
2023-08-10 15:29:341000 
650V硅上GaN增強(qiáng)模式功率晶體管，英諾賽科INN650D150A采用雙扁平無引線封裝(DFN),8mmx8mm尺寸，增強(qiáng)型晶體管-正常關(guān)閉電源開關(guān)
2023-08-07 17:22:17964 
的制造商生產(chǎn)半導(dǎo)體（晶體管是該設(shè)備家族的成員），因此有數(shù)千種不同的類型。有低功率、中功率和高功率晶體管，用于高頻和低頻工作，用于非常高電流和/或高電壓工作。本文概述了什么是晶體管、不同類型的晶體管
2023-08-02 12:26:53
該2通道混音器電路基于2n3904晶體管，該晶體管形成2個(gè)前置放大器。2通道混音器電路的第一個(gè)前置放大器具有高增益，可用于麥克風(fēng)輸入，第二個(gè)前置放大器可用于控制音頻電平的輸入。
這種雙通道
2023-08-01 17:19:21
這是使用功率晶體管搭建的150W功率放大器的電路圖。上面的電路本質(zhì)上是一個(gè)單通道電路。要使其成為立體聲通道，您必須構(gòu)建兩個(gè)相同的電路。對(duì)于小場(chǎng)地或大廳/會(huì)議室的音頻系統(tǒng)來說，150W 已經(jīng)足夠了。
2023-07-28 16:37:071099 
MRF427 NPN硅射頻功率晶體管規(guī)格書
2023-07-24 14:27:530 MRF422射頻功率晶體管規(guī)格書
2023-07-24 14:24:070 在過去的幾年里，MOSFET已經(jīng)成為功率開關(guān)的首選器件應(yīng)用程序。雖然導(dǎo)通電阻顯著降低，但它們通常需要驅(qū)動(dòng)器級(jí)以獲得最佳性能，特別是當(dāng)由低電壓、低電流源驅(qū)動(dòng)時(shí)。這就是雙極晶體管固有優(yōu)勢(shì)的優(yōu)勢(shì)所在
2023-07-24 10:01:370 MOSFET是金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Metallic Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）的簡(jiǎn)稱，有時(shí)候我們也會(huì)簡(jiǎn)寫成MOS。下面是一個(gè)典型的MOSFET結(jié)構(gòu)。
2023-07-11 10:56:241285 
功率 MOSFET 即金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（ Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor ）有三個(gè)管腳，分別為柵極（ Gate
2023-06-28 08:39:353665 
高效的400-800V充電和轉(zhuǎn)換與GaNFast功率集成電路和GeneSiC溝槽輔助平面柵場(chǎng)效晶體管
2023-06-16 10:07:03
和更快的切換速度與傳統(tǒng)的硅mosfet和絕緣柵雙極晶體管(igbt)相比，SiC mosfet柵極驅(qū)動(dòng)在設(shè)計(jì)過程中必須仔細(xì)考慮需求。本應(yīng)用程序說明涵蓋為SiC mosfet選擇柵極驅(qū)動(dòng)IC時(shí)的關(guān)鍵參數(shù)。
2023-06-16 06:04:07
ZXTP25020CFF 產(chǎn)品簡(jiǎn)介DIODES 的 ZXTP25020CFF（PNP, 20V, 4.5A, SOT23F）先進(jìn)的工藝能力和封裝最大限度地提高了這種小外形晶體管的功率處理
2023-06-12 18:11:45
引言: 在當(dāng)今科技迅猛發(fā)展的時(shí)代，高效能的功率電子器件對(duì)于各個(gè)領(lǐng)域的應(yīng)用至關(guān)重要。潤(rùn)新微電子的RX65T125HS1B功率晶體管作為一款先進(jìn)的產(chǎn)品，憑借其出色的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域，成為了眾多工程師
2023-06-12 16:48:161016 微波晶體管按功能分類可分為微波低噪聲晶體管和微波大功率晶體管，低噪聲晶體管和大功率晶體管被用于設(shè)計(jì)低噪聲放大器和功率放大器。
2023-06-09 10:59:271639 
功率MOSFET即金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）有三個(gè)管腳，分別為柵極（Gate
2023-06-05 15:12:10671 
我們將討論設(shè)計(jì)MOSFET功率放大器電路時(shí)必須考慮的各種參數(shù)，還分析了雙極結(jié)型晶體管（BJT）和MOSFET特性之間的差異，并了解了為什么MOSFET更適合功率放大器應(yīng)用并使其更有效。
2023-06-05 09:07:19737 
Vertical MOSFET（垂直MOSFET） 5. Power MOSFET（功率MOSFET） 6. Junction Field Effect Transistor (JFET)（結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管
2023-06-02 14:15:36937 我正在尋找摩托羅拉收音機(jī) VHF 射頻末級(jí)中使用的這些舊射頻晶體管的數(shù)據(jù)表，有人可以幫我嗎？
2023-05-30 07:40:02
MOSFET是金屬－氧化物－半導(dǎo)體場(chǎng)效晶體管（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor，MOSFET）
2023-05-26 17:23:471114 
在這篇文章中，我們將討論設(shè)計(jì)MOSFET功率放大器電路時(shí)必須考慮的各種參數(shù)。我們還分析了雙極結(jié)型晶體管（BJT）和MOSFET特性之間的差異，并了解了為什么MOSFET更適合功率放大器應(yīng)用并使其更有效。
2023-05-24 17:25:422111 
Nexperia | 為什么使用雙極性晶體管驅(qū)動(dòng)功率LED？
2023-05-24 12:15:48341 
IGBT（絕緣柵雙極晶體管）和MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）用于許多不同類型的電源應(yīng)用，包括可再生能源、航空航天、汽車和運(yùn)輸、測(cè)試和測(cè)量以及電信。在設(shè)計(jì)階段，這些廣泛使用的功率晶體管
2023-05-24 11:25:281214 。與其他類型的晶體管相比，MOSFET具有更高的功率密度，這是一個(gè)明顯的優(yōu)勢(shì)。此外，與BJT（雙極結(jié)型晶體管）相比，MOSFET需要最少的輸入電流來控制負(fù)載電流。
2023-05-24 11:19:06720 柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件。
2023-05-20 15:19:12583 
嗨，
我正在嘗試使用 2N7000 晶體管切換一些 12v 設(shè)備。整個(gè)電路工作正常，但我的 ESP 變得非常熱（超過 50 C）。目前我在 GPIO 和 GND 之間只有下拉電阻。但是，我認(rèn)為熱量
2023-04-28 06:59:43
單結(jié)晶體管隨著電容的充電放電是如何形成自激振蕩脈沖的？
2023-04-26 15:07:51
差分放大電路輸入共模信號(hào)時(shí)
為什么說RE對(duì)每個(gè)晶體管的共模信號(hào)有2RE的負(fù)反饋效果
這里說的每個(gè)晶體管的共模信號(hào)是指什么信號(hào) 是指輸入信號(hào) 還是指ie1 ie2 uoc ?
另外為什么是負(fù)的反饋
2023-04-25 16:15:31
為什么使用雙極性晶體管驅(qū)動(dòng)功率LED？
2023-04-24 09:09:55413 
雙極結(jié)晶體管電路輸入振幅變大為什么會(huì)導(dǎo)致失真呢？是什么原因呢？
2023-04-21 16:13:13
我正在尋找零件號(hào)“PCAL6408ABSHP”中有關(guān)工藝節(jié)點(diǎn)和晶體管數(shù)量的信息。NXP 網(wǎng)站上是否有一個(gè)位置可以找到 NXP 部件號(hào)的此類信息？
2023-04-19 09:27:44
西門子S7-200電源怎么看是繼電器輸出還是晶體管輸出呢？
2023-04-18 10:08:03
西門子CPUSR30可以增加晶體管擴(kuò)展模塊控制步進(jìn)電機(jī)嗎？
2023-04-17 14:13:13
像蠟燭一樣，功率MOSFET（功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是切換負(fù)載最常見的方式，其四周圍繞著眾多分立電阻器與電容器（以及用于控制功率MOSFET的雙極結(jié)型晶體管（BJT）/第二個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管）圍繞的功率MOSFET）。但在多數(shù)情況下，使用全面集成的負(fù)載開關(guān)具有更顯著的優(yōu)點(diǎn)。
2023-04-15 09:17:39512 
摘要：碳化硅（SiC）由于其優(yōu)異的電學(xué)及熱學(xué)特性而成為一種很有發(fā)展前途的寬禁帶半導(dǎo)體材料。SiC材料制作的功率MOSFET很適合在大功率領(lǐng)域中使用，高溫柵氧的可靠性是大功率MOSFET中最應(yīng)注意
2023-04-04 10:12:34663 
采用晶體管互補(bǔ)對(duì)稱輸出時(shí)，兩管基極之間有電容相連，為什么？c2有什么用？？
2023-03-31 14:02:55
請(qǐng)問BJT工藝的線性穩(wěn)壓源為什么多是PNP型晶體管呢？
2023-03-31 11:56:49
有沒有負(fù)觸發(fā)導(dǎo)通正的晶體管呢？哪位大神知道請(qǐng)賜教。謝謝啦！
2023-03-31 11:47:46
UF2840GRF 功率 MOSFET 晶體管 5W，100-500 MHz，28VRF 功率 MOSFET 晶體管 5W，100-500 MHz，28V 特征N
2023-03-31 10:39:17
DU2860U 射頻功率 MOSFET 晶體管 60W，2-175MHz，28V 射頻功率 MOSFET 晶體管 60W，2-175MHz，28V
2023-03-31 10:37:00
UF28150J 射頻功率 MOSFET 晶體管 150W, 100MHz-500MHz, 28V 特征DMOS結(jié)構(gòu)公共源配置寬帶操作的低電容
2023-03-31 10:34:44
DU2840S 射頻功率 MOSFET 晶體管 40W，2-175MHz，28V 射頻功率 MOSFET 晶體管
2023-03-30 18:07:32
我在設(shè)計(jì) PCB 時(shí)犯了一個(gè)錯(cuò)誤，我的一些晶體管在原理圖上將集電極和發(fā)射極調(diào)換了。“正常”方式是有 1：基極，2：發(fā)射極，3：集電極，但我需要一個(gè)晶體管，1：基極，2：集電極，3：發(fā)射極。引腳號(hào)與此圖像相關(guān)：你知道有這種封裝的晶體管嗎？我知道我可以將它倒置并旋轉(zhuǎn)，但我想知道我是否可以正確使用一個(gè)。
2023-03-28 06:37:56
E4419B EPM 系列雙通道功率計(jì)
2023-03-25 17:53:27160 
晶體管的工作原理就像電子開關(guān)，它可以打開和關(guān)閉電流。一個(gè)簡(jiǎn)單的思考方法就是把晶體管看作沒有任何動(dòng)作部件的開關(guān)，晶體管類似于繼電器，因?yàn)槟憧梢杂盟鼇泶蜷_或關(guān)閉一些東西。當(dāng)然了晶體管也可以部分打開，這對(duì)于放大器的設(shè)計(jì)很有用。
2023-03-25 10:40:43671 集電極發(fā)射極間電壓 : VCE 集電極電流 : IC 數(shù)字晶體管 輸出電壓 : VO (GND‐OUT間電壓) 輸出電流 : IO MOSFET 漏極源極間電壓 : VDS 漏極電流 : ID
2023-03-23 16:52:27762 
電子發(fā)燒友App
工商網(wǎng)監(jiān)
評(píng)論