JW7109是一款具有可編程導通上升時間的低導通電阻雙通道負載開關，且支持較快的上升斜率，以滿足快速時序的要求。它包含兩個N溝道MOSFET，每個溝道可以提供6A的最大連續電流。每個通道可以在
2024-03-18 14:39:12
JW7107S是一款具有可編程導通上升時間的低導通電阻雙通道負載開關。它包含兩個N溝道MOSFET，每個溝道可以提供6A的最大連續電流。每個通道可以在0.8V到5.5V的輸入電壓范圍內工作。 每個
2024-03-18 14:36:43
如何區別普通電阻和保險電阻？如何檢驗保險電阻好壞？ 普通電阻和保險電阻是兩種不同的電子元件，下面將詳細介紹如何區分普通電阻和保險電阻，并說明如何檢驗保險電阻的好壞。 1. 普通電阻和保險電阻的定義
2024-03-05 15:48:06
201 二極管種類有很多，按照所用的半導體材料，可分為鍺?極管（Ge管）和硅?極管（Si管），現在也有用碳化硅做材料的二極管，美國的cree和深圳薩科微slkor（www.slkoric.com)半導體推出
2024-03-05 14:23:46
帶來怎樣的驚喜呢？拭目以待吧。
瑞薩 RZ/G2UL 系列處理器是一款專為工業級應用設計的芯片，它集成了 ARM Cortex-A55 高性能 CPU 和 ARM Cortex-M33 實時CPU
2024-02-04 23:38:07
150V高耐壓降壓芯片是一種電源管理芯片，其主要功能是將輸入電壓降低到較低的輸出電壓。以下是一般的高耐壓降壓芯片的工作原理：
輸入電壓穩壓：首先，芯片會接收輸入電壓，這個電壓可能來自電池、電源適配器
2024-01-26 14:13:26
安建半導體 (JSAB) 隆重推出全新的150V SGT MOSFET產品平臺，平臺采用先進的技術和設計，提供了卓越的開關特性和低導通電阻，從而實現了高效的能源轉換和低能耗操作，不僅可以顯著提高
2024-01-23 13:36:49291 
抗浪涌電阻和普通電阻的區別? 抗浪涌電阻和普通電阻雖然都屬于電阻器件，但在功能、結構和特性方面有很大的區別。本文將詳盡、詳實、細致地從多個方面對這兩種電阻進行比較分析。 1. 功能區別: 抗浪涌電阻
2024-01-18 16:16:58559 瑞薩電子推出圍繞64位RISC-V CPU內核構建的RZ/5個通用微處理器單元（MPU），具體的型號是多少？性能怎么樣？
2024-01-11 13:03:31
band gap power devices, power management ICs, and modules, today announced the release of two aMOS5? 600V FRD Super Junction MO
2024-01-05 15:05:39844 近日，昕感科技在新能源領域取得重大突破，推出了一款具有業界領先超低導通電阻的SiC MOSFET器件新產品（N2M120007PP0）。該產品的導通電阻達到了驚人的7mΩ，電壓規格為1200V，將為新能源領域提供更為高效、可靠的功率半導體開關解決方案。
2024-01-04 14:37:57316 用萬用表如何檢測普通電阻器？ 萬用表是一種多功能測量工具，用于測量電流、電壓和電阻。它可以用于檢測各種類型的電阻器，包括普通電阻器。在本文中，我們將介紹如何使用萬用表來檢測普通電阻器的詳細步驟
2023-12-20 10:46:24669 惠斯通電橋測電阻的基本原理和方法 惠斯通電橋是一種常用的電阻測量工具，廣泛應用于實驗室和工業控制領域。本文將詳細介紹惠斯通電橋的基本原理和方法，并說明其測量電阻的優勢和局限性。 一、基本原理
2023-12-15 10:55:392758 型號：PV600BA-VB絲印：VBA1311品牌：VBsemi參數說明：- MOSFET類型：N溝道- 額定電壓：30V- 最大電流：12A- 導通電阻（RDS(ON)）：12mΩ @ 10V
2023-12-14 11:43:03
型號: NTJD4001NT1G-VB絲印: VBK3215N品牌: VBsemi詳細參數說明:- 溝道類型: N溝道- 額定電壓: 20V- 最大電流: 2A- 靜態導通電阻 (RDS
2023-12-14 10:34:15
小型封裝（6.50mm×7.00mm×1.66mm）的600V耐壓Super Junction MOSFET *1 ，新產品非常適用于照明用小型電源、電泵和電機等應用。 R6004END4
2023-12-12 12:10:01222 
全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開發出采用SOT-223-3小型封裝(6.50mm×7.00mm×1.66mm)的600V耐壓Super Junction MOSFET
2023-12-08 17:38:08242 
SL3038的輸入電壓范圍為4.5V至150V，使得它能夠適應各種不同的電源電壓。這意味著您可以在不同的輸入電壓下使用SL3038，從而實現更靈活的應用。
2. 高耐壓能力
SL3038的最大
2023-11-28 17:03:22
華芯微特SWM241系列性能完美兼容瑞薩的R5F100LEA，提供更高性價比的小家電32位MCU，SWM241 系列 32 位 MCU 內嵌 ARM? CortexTM-M0 內核
24位系統定時器
2023-11-20 15:43:07
的工作效率。在這些應用中，中等耐壓的MOSFET被廣泛應用于各種電 路中，制造商要求進一步降低功耗。另一方面，“導通電阻
2023-11-20 01:30:56189 高壓功率MOSFET管早期主要為平面型結構，采用厚低摻雜的N-外延層epi，保證器件具有足夠擊穿電壓，低摻雜N-外延層epi尺寸越厚，耐壓額定值越大，但是，導通電阻隨電壓以2.4-2.6次方增長，導通電阻急劇增大，電流額定值降低。
2023-11-04 08:46:121426 
美格納半導體宣布推出微納加工增強型第六代 600V 超級結金屬氧化物半導體場效應晶體管 (SJ MOSFET)。 這款第六代 600V SJ MOSFET (MMD60R175S6ZRH) 采用
2023-11-02 17:04:01473 請教大俠們 瑞薩的集成LO芯片8V97051，8V97051 L,8V97051 A
這三款有沒有區別？？
2023-10-30 12:36:41
精密電阻和普通電阻的區別 普通電阻能否代替精密電阻？ 電阻是電子工程中一個常見的元件，它被用來控制電流和電壓。精密電阻和普通電阻是電阻中的兩個主要類別，它們之間的區別在于精度和穩定性。本文將詳細介紹
2023-10-29 11:21:55933 瑞薩RX130在時鐘頻率32MHz時，指令最短執行時間是多少？
2023-10-28 07:01:18
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出兩款600V小型智能功率器件（IPD）—“TPD4163K”和“TPD4164K”，可用于空調、空氣凈化器和泵等直流無刷電機驅動應用。
2023-10-27 11:05:54657 
TDK的NTCRP系列（NTC熱敏電阻）廣泛應用于各種可靠性要求較高的應用中，包括電動汽車的驅動電機和電池、工業設備的溫度檢測等。而嚴格的絕緣電阻和絕緣耐壓測試是保障用戶使用安全性和可靠性的重要措施
2023-10-25 15:55:03283 
羅姆半導體推出了雙 MOSFET，該器件在單個封裝中集成了兩個 100V 芯片，使其適用于驅動通信基站和工業設備中的風扇電機。這五款新型號已添加到HP8KEx/HT8KEx(Nch+Nch
2023-10-23 15:44:02482 美格納半導體公司 宣布推出兩款基于其第8代溝槽MOSFET技術的新型150V MXT MV 金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）。MXT MV MOSFET，代表美格納極限溝槽
2023-10-12 17:15:09736 ? 1、超級結構 高壓功率MOSFET管早期主要為平面型結構，采用厚低摻雜的N-外延層epi，保證器件具有足夠擊穿電壓，低摻雜N-外延層epi尺寸越厚，耐壓額定值越大，但是，導通電阻隨電壓
2023-10-07 09:57:362772 
電子發燒友網站提供《600V三相MOSFET/IGBT驅動器.pdf》資料免費下載
2023-09-25 11:27:50
0 SL3160
150V/0.8A 開關降壓型轉換器
概述
SL3160 是一款用于開關電源的內置150V 高壓MOSFET 的DC-DC 控制器。
SL3160 內置高壓啟動和自供電功能，可滿足
2023-09-18 14:44:25
說明
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-18 08:28:24
說明
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-18 08:28:22
說明
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-18 08:09:45
說明
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點，使其特別適用于要求更高效、更緊湊、更輕、更高
2023-09-18 07:44:11
說明
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點，使其特別適用于要求更高效、更緊湊、更輕、更高
2023-09-18 07:42:05
說明
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-18 07:30:53
說明
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點，使其特別適用于要求更高效、更緊湊、更輕、更高
2023-09-18 06:56:21
說明
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-18 06:47:35
說明
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-18 06:28:58
說明
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-18 06:19:55
說明
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-18 06:19:44
說明
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-18 06:08:07
說明
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-18 06:07:42
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
說明
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點，使其特別適用于要求更高效、更緊湊、更輕、更高
2023-09-15 08:16:35
SJ MOSFET是一種先進的高電壓功率MOSFET，根據P&S的超結原理。報價設備提供了快速切換的所有好處并且導通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superp&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-15 08:12:36
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:08:54
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 07:55:12
說明
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點，使其特別適用于要求更高效、更緊湊、更輕、更高
2023-09-15 07:17:57
說明
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-15 07:12:49
說明
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-15 07:06:08
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:55:35
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點，使其特別適用于要求更高效、更緊湊、更輕、更高
2023-09-15 06:17:30
說明
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-15 06:09:58
波動，起到開關作用的MOSFET需要具備100V的耐壓能力。而另一方面，提高耐壓意味著與其存在權衡關系的導通電阻也會提高，效率會變差，因此，如何同時兼顧更高耐壓和更低導通電阻，是一個很大的挑戰。風扇電機通常會使用多個MOSFET進行驅動，為了節
2023-09-14 19:12:41305 
相對于IGBT，SiC-MOSFET降低了開關關斷時的損耗，實現了高頻率工作，有助于應用的小型化。相對于同等耐壓的SJ-MOSFET，導通電阻較小，可減少相同導通電阻的芯片面積，并顯著降低恢復損耗。
2023-09-11 10:12:33566 
這些超結快速恢復硅基功率MOSFET兼具超低恢復電荷（Qrr）和超快快恢復時間（trr），以及出色的品質因數（RDS(on) x Qg），能夠為要求嚴苛的橋式拓撲和ZVS相移轉換器帶來極高的效率
2023-09-08 06:00:53
射頻電阻和普通電阻區別? 隨著科技的不斷進步和應用范圍的擴大，射頻技術在越來越多領域被廣泛使用。在射頻電路中使用的電阻，被稱為射頻電阻，而普通電路中使用的電阻，被稱為普通電阻。射頻電阻和普通電阻之間
2023-09-02 10:25:431207 【瑞薩RAMCU創意氛圍賽】基于RA6M5的電子墨水屏微信信息站大信(QQ:8125036)一、創意方案簡介
手機微信是我們日常生活中使用越來越多的通信工具之一，手機微信在給我們帶來便利的同時，也
2023-08-28 04:06:56
器件描述：漏源電壓（Vdss）：600V 連續漏極電流（Id）（25°C 時）：4A(Tc) 柵源極閾值電壓：4.5V @ 50uA 漏源導通電阻：2Ω @ 2A,10V 最大功率耗散
2023-08-21 10:49:56
SLH60R028E7是一款600VN溝道多層外延工藝的超結MOS，由于MOSFET的導通電阻隨著擊穿電壓的上升而迅速增大，故在高壓領域，普通MOSFET導通阻抗大，難以滿足實際應用需要
2023-08-18 08:32:56513 
全球知名半導體制造商ROHM(總部位于日本京都市)面向通信基站和工業設備等的風扇電機驅動應 用，開發出將兩枚100V耐壓MOSFET* 1一體化封裝的雙MOSFET新產品。新產品分“HP8KEx
2023-08-11 11:16:16538 
報告中介紹，隨著功率半導體應用領域逐漸擴大，當應用在計算機和航空電子等領域中時，低導通壓降能夠縮小整機的冷卻系統，從而降低整機尺寸和成本，所以用戶對器件的導通電阻提出了更高的要求。
2023-08-09 16:21:36326 比起通用型片式電阻（RK73）把最高使用電壓加以高耐壓化
2023-08-02 16:47:01506 
收到米爾瑞薩RZ/G2L開發板后一直對米爾旗下開發板的做工感到非常精致，同時也有著很強大的功能，也一直很喜歡米爾系列開發板。
引領工業市場從32位MPU向64位演進
基于瑞薩高性價比RZ/G2L
2023-07-29 00:21:11
同時實現業界超快反向恢復時間和業界超低導通電阻，可進一步降低工業設備和白色家電的損耗 ROHM的600V耐壓Super Junction MOSFET PrestoMOS 產品陣容中又新增
2023-07-12 12:10:08437 關于電阻的使用，很多做低壓供電電子產品的硬件工程師不關注耐壓，甚至不知道有這個參數。
2023-07-10 10:35:28651 
納芯微全新推出120V半橋驅動NSD1224系列產品，該系列產品具備3A/-4A的峰值驅動電流能力，集成 高壓自舉二極管 ，提供使能、互鎖、欠壓保護不同版本，有SOP8、HSOP8、DFN10
2023-06-27 15:14:07
兩者因為其柵極都是在外延表面生長出來的平面結構所以都統稱為平面柵MOSFET。還有另外一種結構是把柵極構建在結構內部，挖出來的溝槽里面，叫做溝槽型MOSFET。針對兩種不同的結構，對其導通電阻的構成進行簡單的分析介紹。
2023-06-25 17:19:021448 
線。該器件采用超級結結構，耐壓600V，適用于數據中心、開關電源和光伏發電機功率調節器。該新產品是東芝DTMOSVI系列中的首款600V產品，于今日開始批量出貨。 ? ? 通過對柵極設計和工藝進行優化，與具有相同漏源電壓額定值的東芝目前的DTMOSIV-H系列產品相比，600V DTMOSVI系列產品的
2023-06-13 16:38:50712 
效的保證，芯片的內部缺陷遠小于低成本的溝槽工藝產品，其高溫穩定性大大提高。 內阻低 超結MOS具有極低的內阻，在相同的芯片面積下，超結MOS芯片的內阻甚至只有傳統MOS的一半以上。
體積小 在同等
2023-06-13 16:30:37
收到的米爾瑞薩RZ/G2L開發板上電測試一下SSH登錄方式和其它測試！
SSH登錄
在使用之前，需要事先連接網絡，筆者這里使用的是以太網，事先需要使用串口的登錄，然后輸入以下命令查看IP地址
2023-06-11 21:47:39
【瑞薩RA MCU創意氛圍賽】1. PWM驅動LED以及STLINK下載配置【瑞薩RA MCU創意氛圍賽】2. KEIL下串口重定向printf和scanf
前言
OLED是單片機開發中會
2023-05-26 14:06:17
大多是基于51、stm32、arduino，所以想試試將自己玩過的模塊移植到瑞薩上
PS:本人本次參賽題目為基于NBIOT和阿里云的采集系統，但是發現板子上自帶esp8266模塊，會先采用esp8266
2023-05-26 09:42:11
今天剛剛收到米爾瑞薩RZ/G2L開發板，拆開包裹后給人的感覺是驚艷，板卡設計真的很棒，來看看視頻做個簡單了解吧。
更多板卡可以登錄官網了解哦。https://www.myir.cn/
2023-05-22 21:58:13
引言
很高興能有機會參加【瑞薩RA MCU創意氛圍賽】，在以前學習stm32的時候，就是野火的開發板、文檔以及視頻帶我入門的。現在有空體驗一下野火的產品——瑞薩系統的 啟明4M2 ，主控
2023-05-21 17:02:36
近日羅姆新推出“ RS6xxxx 系列/ RH6xxxx 系列 ”共13款Nch MOSFET產品（40V/60V/80V/100V/150V），備受各個廠家的青睞。本文將為各位工程師呈現該系
2023-05-17 13:35:02471 
Limited?（AOS,?納斯達克代碼:AOSL)推出 600V aMOS7? 超結高壓MOSFET。 aMOS7? 是 AOS最新一代高壓 MOSFET平臺，旨在滿足服務器、工作站、通信電源整流器
2023-05-11 13:52:15664 
新產品不僅利用微細化工藝提高了器件性能，還通過采用低阻值銅夾片連接的HSOP8封裝和HSMT8封裝，實現了僅2.1mΩ的業界超低導通電阻（Ron）*2，相比以往產品，導通電阻降低了50%。
2023-05-10 14:20:06215 
、靈活性較差。為此，RT-Thread 聯合 瑞薩 推出了全新的 HMI Board 開發模式，取代傳統的 HMI + 主控板 硬件，一套硬件即可實現 HMI + IoT + 控制 的全套能力。依托于瑞薩
2023-05-08 08:22:12
ROHM | 開發出具有業界超低導通電阻的Nch MOSFET
2023-05-03 11:31:44372 
瑞薩RH850 R7F7010693 誰能破解？可以的加我V：13520223020
2023-04-22 14:29:33
有助于配備小型電機的設備減少抗噪聲設計工時和部件數量，并降低功率損耗 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）在其600V耐壓Super Junction MOSFET
2023-04-19 17:50:02407 
Toshiba研發出一種SiC金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET)，其將嵌入式肖特基勢壘二極管（SBD）排列成格子花紋（check-pattern embedded SBD），以降低導通電阻
2023-04-11 15:29:18
供應電機常用igbt管SGTP50V60FD2PU耐壓600V 50A，提供SGTP50V60FD2PU關鍵參數 ，更多產品手冊、應用料資請向士蘭微IGBT代理驪微 電子申請。>>
2023-04-03 17:24:105 供應全橋逆變IGBT耐壓600V、20A SGT20T60SDM1P7，提供SGT20T60SDM1P7關鍵參數 ，更多產品手冊、應用料資請向士蘭微IGBT代理驪微電子申請。>>
2023-04-03 16:02:491 供應5a、600v耐壓igbt SGTP5T60SD1DFS可代換AOD5B65M1 ，提供SGTP5T60SD1DFS規格書參數 ，可應用于光伏，變頻器，UPS,SMPS以及PFC等領域，更多產品手冊、應用料資請向士蘭微IGBT代理商驪微電子申請。>>
2023-04-03 14:48:131 1 比賽歷程總結我是在RA4M2測評活動第一次深入接觸瑞薩，瑞薩的產品真的是非常豐富，而且生態也做得非常好，有專業的開發工具，比如e2Studio，Renesas RA Smart
2023-04-02 21:56:47
感言有幸參加瑞薩舉辦的RA4M2網關設計挑戰賽，了解了瑞薩RA系列單片機布局，工具鏈支持等。因為工具鏈的完美支持，RA4M2作品開發起來事半功倍，用戶可以只專注于功能邏輯的開發而不需要了解底層硬件
2023-03-31 16:07:32
中國上海， 2023 年 3 月 30 日 ——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出150V N溝道功率MOSFET---“TPH9R00CQ5”，其采用最新一代
2023-03-30 13:37:14609 
逆變器、全橋驅動逆變器等領域。ir2104替代芯片ID7U603SEC-R1特點■浮動工作電壓可達600V■拉灌電流典型值210mA/360mA■兼容3.3V/5V的輸入邏輯電平■dV/dt抗干擾能力±5
2023-03-29 09:24:35930 
1200V耐壓的MOS管。當前市面上這種MOSFET較少，且價格都很貴。另外，常規的1200V高壓MOSFET，其導通電阻比600V MOSFET的Rds(on)高，不容易實現高效率的要求。選擇ISOP交錯并聯LLC拓撲，就可以繼續采用600V的MOS管，型號豐富，成本低，且模塊效率高。
2023-03-24 11:08:587905 
電子發燒友App
工商網監
評論