電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《30V N 溝道NexFET? 功率MOSFET CSD17556Q5B數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載
2024-03-22 14:11:23
0 JW7109是一款具有可編程導(dǎo)通上升時(shí)間的低導(dǎo)通電阻雙通道負(fù)載開(kāi)關(guān)，且支持較快的上升斜率，以滿足快速時(shí)序的要求。它包含兩個(gè)N溝道MOSFET，每個(gè)溝道可以提供6A的最大連續(xù)電流。每個(gè)通道可以在
2024-03-18 14:39:12
JW7107S是一款具有可編程導(dǎo)通上升時(shí)間的低導(dǎo)通電阻雙通道負(fù)載開(kāi)關(guān)。它包含兩個(gè)N溝道MOSFET，每個(gè)溝道可以提供6A的最大連續(xù)電流。每個(gè)通道可以在0.8V到5.5V的輸入電壓范圍內(nèi)工作。 每個(gè)
2024-03-18 14:36:43
全球知名半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N溝道TrenchFET?第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。這款新型功率
2024-03-12 10:38:14
102 近日，全球知名的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay宣布推出新型80V對(duì)稱(chēng)雙通道N溝道功率MOSFET，型號(hào)為SiZF4800LDT。這款新產(chǎn)品將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV
2024-03-12 10:32:0293 另外，CoolSiC MOSFET產(chǎn)品組合還成功實(shí)現(xiàn)了SiC MOSFET市場(chǎng)中的最低導(dǎo)通電阻值（Rdson），這大大提高了能效、功率密度，以及在電力系統(tǒng)中的可靠性，降低了零件使用數(shù)量。
2024-03-10 12:32:41502 如何區(qū)別普通電阻和保險(xiǎn)電阻？如何檢驗(yàn)保險(xiǎn)電阻好壞？ 普通電阻和保險(xiǎn)電阻是兩種不同的電子元件，下面將詳細(xì)介紹如何區(qū)分普通電阻和保險(xiǎn)電阻，并說(shuō)明如何檢驗(yàn)保險(xiǎn)電阻的好壞。 1. 普通電阻和保險(xiǎn)電阻的定義
2024-03-05 15:48:06201 Vishay 推出多功能新型 30 V N 溝道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，進(jìn)一步提高工業(yè)、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子和通信應(yīng)用的功率密度，增強(qiáng)熱性能。
2024-02-22 17:11:08353 
**類(lèi)型：** N-Channel 溝道 MOSFET- **電壓等級(jí)：** 60V- **電流等級(jí)：** 28A- **導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）：** 80mΩ @
2024-02-20 09:57:40
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《NCE N溝道增強(qiáng)型功率MOSFET NCE3010S數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-01-24 11:06:590 抗浪涌電阻和普通電阻的區(qū)別? 抗浪涌電阻和普通電阻雖然都屬于電阻器件，但在功能、結(jié)構(gòu)和特性方面有很大的區(qū)別。本文將詳盡、詳實(shí)、細(xì)致地從多個(gè)方面對(duì)這兩種電阻進(jìn)行比較分析。 1. 功能區(qū)別: 抗浪涌電阻
2024-01-18 16:16:58559 功率MOSFET是一種廣泛應(yīng)用于電力電子轉(zhuǎn)換器的高性能開(kāi)關(guān)器件。它具有高輸入阻抗、低導(dǎo)通電阻、快速開(kāi)關(guān)速度和良好的熱穩(wěn)定性等特點(diǎn)，因此在各種高壓、高頻、高效率的電源系統(tǒng)中發(fā)揮著重要作用。 結(jié)構(gòu)
2024-01-17 17:24:36294 
近日，昕感科技在新能源領(lǐng)域取得重大突破，推出了一款具有業(yè)界領(lǐng)先超低導(dǎo)通電阻的SiC MOSFET器件新產(chǎn)品（N2M120007PP0）。該產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻達(dá)到了驚人的7mΩ，電壓規(guī)格為1200V，將為新能源領(lǐng)域提供更為高效、可靠的功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)解決方案。
2024-01-04 14:37:57316 型號(hào)：SPD09N05-VB絲?。篤BE1695品牌：VBsemi參數(shù)說(shuō)明：- 類(lèi)型：N溝道- 額定電壓：60V- 最大電流：18A- 靜態(tài)導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）：73mΩ @ 10V, 85m
2023-12-20 11:18:21
）：** 60V，表示MOSFET的耐壓上限，可用于需要較高電壓的電路。- **持續(xù)電流（ID）：** 45A，表示MOSFET可以承受的最大電流。- **導(dǎo)通電阻（RDS(O
2023-12-18 09:05:59
型號(hào): FDS3672-NL-VB絲印: VBA1104N品牌: VBsemi參數(shù):- 溝道類(lèi)型: N溝道- 額定電壓: 100V- 最大電流: 9A- 靜態(tài)導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)): 32m
2023-12-16 09:50:18
型號(hào): IRF530S-VB絲印: VBL1101M品牌: VBsemi參數(shù):- 溝道類(lèi)型: N溝道- 額定電壓: 100V- 最大電流: 20A- 靜態(tài)導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)): 100m
2023-12-15 13:48:13
型號(hào): FDC6401N-VB絲印: VB3222品牌: VBsemi參數(shù):- 溝道類(lèi)型: N溝道- 額定電壓: 20V- 最大電流: 4.8A- 靜態(tài)導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)): 22m
2023-12-15 10:15:22
型號(hào): BSO072N03S-VB絲印: VBA1311品牌: VBsemi參數(shù):- 溝道類(lèi)型: N溝道- 額定電壓: 30V- 最大電流: 12A- 靜態(tài)導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)): 12m
2023-12-15 09:25:38
型號(hào)：IRF640NS-VB絲?。篤BL1208N品牌：VBsemi參數(shù)說(shuō)明：- MOSFET類(lèi)型：N溝道- 額定電壓：200V- 最大電流：40A- 導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）：48m
2023-12-14 17:14:22
型號(hào): MCH3409-TL-VB絲印: VBK1270品牌: VBsemi參數(shù):- 溝道類(lèi)型: N溝道- 額定電壓: 20V- 最大電流: 4A- 靜態(tài)導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)): 45m
2023-12-14 16:35:15
型號(hào)：FQD3N50C-VB絲印：VBE165R04品牌：VBsemi參數(shù)說(shuō)明：- MOSFET類(lèi)型：N溝道- 額定電壓：650V- 最大電流：4A- 導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）：2200m
2023-12-14 16:10:27
型號(hào): BF1107-VB絲印: VB162K品牌: VBsemi參數(shù):- 溝道類(lèi)型: N溝道- 額定電壓: 60V- 最大電流: 0.3A- 靜態(tài)導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)): 2800m
2023-12-14 15:40:19
型號(hào)：FDC637AN-VB絲?。篤B7322品牌：VBsemi參數(shù)說(shuō)明：- MOSFET類(lèi)型：N溝道- 額定電壓：30V- 最大電流：6A- 導(dǎo)通電阻（RDS(ON)）：30mΩ @ 10V
2023-12-14 15:12:28
型號(hào): 44N10-VB絲印: VBM1104N品牌: VBsemi參數(shù):- 溝道類(lèi)型: N溝道- 額定電壓: 100V- 最大電流: 55A- 靜態(tài)導(dǎo)通電阻 (RDS(ON)): 36m
2023-12-14 13:42:59
：1.2V；封裝：SOT23-6應(yīng)用簡(jiǎn)介：P2402CAG (VB7322) 是一款N溝道MOSFET，適用于需要中等功率電流控制的應(yīng)用。其中等導(dǎo)通電阻使其在多種應(yīng)用中
2023-12-08 16:34:43
;應(yīng)用簡(jiǎn)介：N3PF06適用于功率開(kāi)關(guān)和逆變器等應(yīng)用的P溝道MOSFET。其低導(dǎo)通電阻和高耐壓特性有助于降低功率損耗和提高效率。適用領(lǐng)域與模塊：適用于電源開(kāi)關(guān)、逆變器和功
2023-12-08 16:18:17
IRLR7843TRPBF (VBE1303)參數(shù)說(shuō)明:極性：N溝道；額定電壓：30V；最大電流：100A；導(dǎo)通電阻：2mΩ @ 10V, 3mΩ @ 4.5V；門(mén)源電壓范圍：20Vgs (±V
2023-12-08 15:47:58
：IRLR3110ZPBF適用于高功率N溝道MOSFET，常見(jiàn)于電源開(kāi)關(guān)、電機(jī)控制和逆變器等領(lǐng)域模塊。其極低的導(dǎo)通電阻使其在低電壓降場(chǎng)景中性能卓越。優(yōu)勢(shì)與適用領(lǐng)域
2023-12-08 15:44:47
IRFR1205TRPBF (VBE1638)參數(shù)說(shuō)明:極性：N溝道；額定電壓：60V；最大電流：45A；導(dǎo)通電阻：24mΩ @ 10V, 28mΩ @ 4.5V；門(mén)源電壓范圍：20Vgs (±V
2023-12-08 15:21:47
;應(yīng)用簡(jiǎn)介：FR3505是一款高功率N溝道MOSFET，適用于高電流、高功率的應(yīng)用，常見(jiàn)于電機(jī)驅(qū)動(dòng)、電源開(kāi)關(guān)和電池管理等領(lǐng)域模塊。其低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力使其
2023-12-06 15:31:48
：CES2312是一款中低電壓N溝道MOSFET，適用于電源開(kāi)關(guān)、電機(jī)控制和穩(wěn)壓等應(yīng)用。其低導(dǎo)通電阻和可調(diào)的閾值電壓使其在多種場(chǎng)景中具備靈活性。優(yōu)勢(shì)與適用領(lǐng)域：具有
2023-12-06 14:05:49
適用于高功率N溝道MOSFET，常見(jiàn)于電源開(kāi)關(guān)、電機(jī)控制和逆變器等領(lǐng)域模塊。其極低的導(dǎo)通電阻使其在低電壓降場(chǎng)景中性能卓越。優(yōu)勢(shì)與適用領(lǐng)域：適用于高功率應(yīng)用，如電源開(kāi)
2023-12-06 13:38:03
是一款高電流N溝道MOSFET，適用于高性能電源開(kāi)關(guān)、電機(jī)控制和逆變器等領(lǐng)域模塊。其低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力使其在大電流應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。
2023-12-06 11:56:13
硬件面試中有遇到過(guò)這樣的事嗎？通常讓你畫(huà)一個(gè)增強(qiáng)型的MOSFET，或是N溝道MOSFET或是P溝道MOSFET
2023-11-21 15:05:31778 
電路和外置場(chǎng)效應(yīng)晶體管驅(qū)動(dòng)電路等，具有外部元件少，電路簡(jiǎn)單等優(yōu)點(diǎn)。
當(dāng)接通輸入電源后，F(xiàn)S4067進(jìn) 入充電狀態(tài)，控制外置N溝道MOSFET導(dǎo)通，電感電流上升，當(dāng)上升到外部電流檢測(cè)電阻設(shè)置的上限時(shí)，外置
2023-11-21 12:14:43
的工作效率。在這些應(yīng)用中，中等耐壓的MOSFET被廣泛應(yīng)用于各種電 路中，制造商要求進(jìn)一步降低功耗。另一方面，“導(dǎo)通電阻
2023-11-20 01:30:56189 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《用TrenchFET IV功率MOSFET系列設(shè)計(jì)更綠色、更小的電源.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-11-13 15:11:290 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）近日宣布，推出“SSM10N961L”低導(dǎo)通電阻30V N溝道共漏極MOSFET，適用于帶有USB的設(shè)備以及電池組保護(hù)。
2023-11-09 17:39:10459 ?Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")日前推出了“SSM10N961L”。這是一款低導(dǎo)通電阻、30V N溝道共漏MOSFET，適用于帶USB的設(shè)備和電池組保護(hù)。產(chǎn)品發(fā)貨即日起開(kāi)始。
2023-11-08 16:22:22319 ISL9N310AD3ST-VB是一款VBsemi品牌的N溝道功率MOSFET。絲印為VBE1307，具有以下詳細(xì)參數(shù) 額定電壓（Vds） 30V
2023-11-08 15:51:23
型號(hào) NTR4170NT1G絲印 VB1330品牌 VBsemi詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明 - 類(lèi)型 N溝道MOSFET- 最大耐壓 30V- 最大電流 6.5A- 導(dǎo)通電阻 30mΩ@10V, 33m
2023-11-07 10:46:53
型號(hào) AP2306GN絲印 VB1240品牌 VBsemi詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明 類(lèi)型 N溝道MOSFET 最大耐壓 20V 最大電流 6A 導(dǎo)通電阻 24mΩ@4.5V, 33mΩ@2.5V
2023-11-06 10:21:13
高壓功率MOSFET管早期主要為平面型結(jié)構(gòu)，采用厚低摻雜的N-外延層epi，保證器件具有足夠擊穿電壓，低摻雜N-外延層epi尺寸越厚，耐壓額定值越大，但是，導(dǎo)通電阻隨電壓以2.4-2.6次方增長(zhǎng)，導(dǎo)通電阻急劇增大，電流額定值降低。
2023-11-04 08:46:121426 
型號(hào) IRF8788TRPBF絲印 VBA1302品牌 VBsemi詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明 類(lèi)型 N溝道MOSFET 最大耐壓 30V 最大電流 20A 導(dǎo)通電阻 4mΩ@10V, 4.5m
2023-11-03 15:31:19
型號(hào) STD10NF10T4絲印 VBE1101M品牌 VBsemi詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明 類(lèi)型 N溝道MOSFET 最大耐壓 100V 最大電流 18A 導(dǎo)通電阻 115mΩ@10V, 121m
2023-11-03 13:44:15
型號(hào) AO4430絲印 VBA1303品牌 VBsemi詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明 類(lèi)型 N溝道MOSFET 最大耐壓 30V 最大電流 18A 導(dǎo)通電阻 5mΩ @10V, 6.5mΩ @4.5V
2023-11-03 11:26:46
型號(hào) FDT86113LZ絲印 VBJ1101M品牌 VBsemi詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明 類(lèi)型 N溝道MOSFET 最大耐壓 100V 最大電流 5A 導(dǎo)通電阻 100mΩ@10V, 120m
2023-11-02 11:37:02
型號(hào) AO3416絲印 VB1330品牌 VBsemi詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明 類(lèi)型 N溝道MOSFET 最大耐壓 30V 最大電流 6.5A 導(dǎo)通電阻 30mΩ @10V, 33mΩ @4.5V
2023-11-01 14:27:18
型號(hào) 15N10 TO251絲印 VBFB1101M品牌 VBsemi詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明 類(lèi)型 N溝道MOSFET 最大耐壓 100V 最大電流 15A 導(dǎo)通電阻 115mΩ @10V
2023-11-01 13:45:32
型號(hào) AFN4634WSS8RG絲印 VBA1303品牌 VBsemi詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明 類(lèi)型 N溝道MOSFET 最大耐壓 30V 最大電流 18A 導(dǎo)通電阻 5mΩ @10V, 6.5m
2023-11-01 11:21:18
型號(hào) RSD050N10TL絲印 VBE1101M品牌 VBsemi詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明 類(lèi)型 N溝道MOSFET 最大耐壓 100V 最大電流 18A 導(dǎo)通電阻 115mΩ @10V
2023-10-31 14:54:56
IRLR3410TRPBF詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明 極性 N溝道 額定電壓 100V 額定電流 18A 導(dǎo)通電阻 115mΩ @ 10V, 121mΩ @ 4.5V 門(mén)源電壓 20Vgs (±V
2023-10-31 14:23:09
型號(hào) IRF7413TRPBF絲印 VBA1311品牌 VBsemi詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明 類(lèi)型 N溝道MOSFET 最大耐壓 30V 最大電流 12A 導(dǎo)通電阻 12mΩ @10V, 15m
2023-10-31 11:06:50
型號(hào) FDC3512絲印 VB7101M品牌 VBsemi詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明 類(lèi)型 N溝道MOSFET 最大耐壓 100V 最大電流 3.2A 導(dǎo)通電阻 100mΩ @10V, 127m
2023-10-31 10:23:37
IRFR4620TRPBF詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明 極性 N溝道 額定電壓 200V 額定電流 25A 導(dǎo)通電阻 54mΩ @ 10V, 112mΩ @ 4.5V 門(mén)源電壓 20Vgs (±V
2023-10-30 11:06:43
精密電阻和普通電阻的區(qū)別 普通電阻能否代替精密電阻？ 電阻是電子工程中一個(gè)常見(jiàn)的元件，它被用來(lái)控制電流和電壓。精密電阻和普通電阻是電阻中的兩個(gè)主要類(lèi)別，它們之間的區(qū)別在于精度和穩(wěn)定性。本文將詳細(xì)介紹
2023-10-29 11:21:55933 型號(hào) AP4563GH絲印 VBE5415品牌 VBsemi詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明 類(lèi)型 N+P溝道MOSFET 最大耐壓 ±40V 最大電流 50A/50A 導(dǎo)通電阻 15mΩ @10V
2023-10-28 16:06:13
型號(hào) BSN20絲印 VB162K品牌 VBsemi詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明 - 類(lèi)型 N溝道MOSFET- 最大耐壓 60V- 最大電流 0.3A- 導(dǎo)通電阻 2800mΩ @10V, 3000m
2023-10-28 09:33:35
FDC5661N詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明 - 極性 N溝道- 額定電壓 60V- 額定電流 7A- 導(dǎo)通電阻 30mΩ @ 10V, 35mΩ @ 4.5V- 門(mén)源電壓 20Vgs (±V
2023-10-27 17:10:05
AOB414 (VBL1102N)參數(shù)說(shuō)明：N溝道，100V，70A，導(dǎo)通電阻18mΩ@10V，22mΩ@4.5V，20Vgs(±V)，閾值電壓2V，封裝：TO263。應(yīng)用簡(jiǎn)介：AOB414適用于高
2023-10-26 16:36:04
和小功率MOSFET類(lèi)似，功率MOSFET也有分為N溝道和P溝道兩大類(lèi);每個(gè)大類(lèi)又分為增強(qiáng)型和耗盡型兩種。
2023-10-25 10:42:27493 
Littelfuse 公司宣布推出CPC3981Z，一種800V、100mA、45歐姆小功率N溝道耗盡型MOSFET。
2023-10-18 09:13:28502 眾所周知，由于采用了絕緣柵，功率MOSFET器件只需很小的驅(qū)動(dòng)功率，且開(kāi)關(guān)速度優(yōu)異?？梢哉f(shuō)具有“理想開(kāi)關(guān)”的特性。其主要缺點(diǎn)是開(kāi)態(tài)電阻(RDS(on))和正溫度系數(shù)較高。本教程闡述了高壓N型溝道功率
2023-10-18 09:11:42621 
我們知道，SiC MOSFET現(xiàn)階段最“頭疼”的問(wèn)題就是柵氧可靠性引發(fā)的導(dǎo)通電阻和閾值電壓等問(wèn)題，最近，日本東北大學(xué)提出了一項(xiàng)新的外延生長(zhǎng)技術(shù)，據(jù)說(shuō)可以將柵氧界面的缺陷降低99.5%，溝道電阻可以降低85.71%，整體SiC MOSFET損耗可以降低30%。
2023-10-11 12:26:49611 
? 1、超級(jí)結(jié)構(gòu) 高壓功率MOSFET管早期主要為平面型結(jié)構(gòu)，采用厚低摻雜的N-外延層epi，保證器件具有足夠擊穿電壓，低摻雜N-外延層epi尺寸越厚，耐壓額定值越大，但是，導(dǎo)通電阻隨電壓
2023-10-07 09:57:362772 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《P溝道增強(qiáng)模式功率MOSFET G040P04M規(guī)格書(shū).pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-19 17:29:110 說(shuō)明
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-18 08:28:24
說(shuō)明
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-18 07:30:53
說(shuō)明
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-18 06:47:35
說(shuō)明
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-18 06:19:55
說(shuō)明
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-18 06:19:44
說(shuō)明
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-18 06:08:07
說(shuō)明
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-18 06:07:42
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高電壓功率MOSFET，根據(jù)P&S的超結(jié)原理。報(bào)價(jià)設(shè)備提供了快速切換的所有好處并且導(dǎo)通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
射頻電阻和普通電阻區(qū)別? 隨著科技的不斷進(jìn)步和應(yīng)用范圍的擴(kuò)大，射頻技術(shù)在越來(lái)越多領(lǐng)域被廣泛使用。在射頻電路中使用的電阻，被稱(chēng)為射頻電阻，而普通電路中使用的電阻，被稱(chēng)為普通電阻。射頻電阻和普通電阻之間
2023-09-02 10:25:431207 垂直導(dǎo)電平面結(jié)構(gòu)功率MOSFET管水平溝道直接形成JFET效應(yīng)，如果把水平的溝道變?yōu)榇怪?b class="flag-6" style="color: red">溝道，從側(cè)面控制溝道，就可以消除JFET效應(yīng)。
2023-08-28 10:10:392920 
功率MOSFET有兩種類(lèi)型：N溝道和P溝道，在系統(tǒng)設(shè)計(jì)的過(guò)程中選擇N管還是P管，要針對(duì)實(shí)際的應(yīng)用具體來(lái)選擇，N溝道MOSFET選擇的型號(hào)多，成本低；P溝道MOSFET選擇的型號(hào)較少，成本高。
2023-08-25 10:07:56188 
和卓越的功率特性而聞名。無(wú)論是高性能工業(yè)設(shè)備還是創(chuàng)新電子產(chǎn)品，STF140N6F7都能勝任。STF140N6F7擁有60V的工作電壓，典型導(dǎo)通電阻僅為0.0031
2023-08-21 16:34:33
器件描述：漏源電壓（Vdss）：600V 連續(xù)漏極電流（Id）（25°C 時(shí)）：4A(Tc) 柵源極閾值電壓：4.5V @ 50uA 漏源導(dǎo)通電阻：2Ω @ 2A,10V 最大功率耗散
2023-08-21 10:49:56
SLH60R028E7是一款600VN溝道多層外延工藝的超結(jié)MOS，由于MOSFET的導(dǎo)通電阻隨著擊穿電壓的上升而迅速增大，故在高壓領(lǐng)域，普通MOSFET導(dǎo)通阻抗大，難以滿足實(shí)際應(yīng)用需要
2023-08-18 08:32:56513 
Q A 問(wèn)： Vishay熱敏電阻的計(jì)算工具 (阻值-溫度表) Vishay 熱敏電阻的計(jì)算工具為Vishay 的許多 ? NTC 熱敏電 ? 提供了一個(gè)電阻-溫度表。此免費(fèi)工具可下載到任何一臺(tái)
2023-07-05 20:05:09295 
。功率MOSFET的漏極之間有一個(gè)寄生二極管，當(dāng)漏極與反向電壓連接時(shí)，器件連接。功率MOSFET的導(dǎo)通電阻具有正溫度系數(shù)，有利于并聯(lián)器件時(shí)的均流。
2023-07-04 16:46:37975 
X-H工藝制造而成的100V N溝道功率MOSFET“TPH3R10AQM”。新款產(chǎn)品適用于數(shù)據(jù)中心和通信基站所用的工業(yè)設(shè)備電源線路上的開(kāi)關(guān)電路和熱插拔電路[1]等應(yīng)用。該產(chǎn)品于今日開(kāi)始支持批量出貨。 ? ? TPH3R10AQM具有業(yè)界領(lǐng)先的[2]3.1mΩ最大漏極-源極導(dǎo)通電阻，比東芝目前100V產(chǎn)品“
2023-07-03 14:48:14477 
點(diǎn)擊“東芝半導(dǎo)體”，馬上加入我們哦！ 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布， 推出采用東芝最新一代U-MOS X-H工藝制造而成的100V N溝道功率MOSFET“TPH3R10AQM
2023-06-29 17:40:01368 
在H橋電路中實(shí)現(xiàn)P溝道MOSFET可能看起來(lái)既簡(jiǎn)單又誘人，但可能需要一些嚴(yán)格的計(jì)算和參數(shù)才能實(shí)現(xiàn)最佳響應(yīng)。
2023-06-29 15:28:02957 
在這個(gè)設(shè)計(jì)中，我們看到了使用N溝道MOSFET實(shí)現(xiàn)BPS電路的理想方法。
2023-06-27 17:29:31599 
兩者因?yàn)槠鋿艠O都是在外延表面生長(zhǎng)出來(lái)的平面結(jié)構(gòu)所以都統(tǒng)稱(chēng)為平面柵MOSFET。還有另外一種結(jié)構(gòu)是把柵極構(gòu)建在結(jié)構(gòu)內(nèi)部，挖出來(lái)的溝槽里面，叫做溝槽型MOSFET。針對(duì)兩種不同的結(jié)構(gòu)，對(duì)其導(dǎo)通電阻的構(gòu)成進(jìn)行簡(jiǎn)單的分析介紹。
2023-06-25 17:19:021448 
PTS4842 N溝道高功率MOSFET規(guī)格書(shū)
PTS4842采用溝槽加工技術(shù)設(shè)計(jì)，實(shí)現(xiàn)極低的導(dǎo)通電阻。并且切換速度快，傳輸效率提高。這些特征結(jié)合在一起，使這種設(shè)計(jì)成為一種適用于各種DC-DC應(yīng)用的高效可靠的設(shè)備。
2023-06-14 16:55:480 AEC-Q200 認(rèn)證，采用 SOT-227 小型封裝，可直接安裝在散熱器上的全新厚膜功率電阻。? Vishay MCB? ISOA? 具有高脈沖處理能力，在 85?C底殼溫度下，功率耗散達(dá) 120
2023-06-03 08:25:02533 
?！皩?dǎo)通電阻”和“Qgd”是引起MOSFET功率損耗的兩項(xiàng)主要參數(shù)，但對(duì)于普通的MOSFET而言，由于導(dǎo)通電阻與芯片尺寸成反比，
2023-05-17 13:35:02471 
新產(chǎn)品不僅利用微細(xì)化工藝提高了器件性能，還通過(guò)采用低阻值銅夾片連接的HSOP8封裝和HSMT8封裝，實(shí)現(xiàn)了僅2.1mΩ的業(yè)界超低導(dǎo)通電阻（Ron）*2，相比以往產(chǎn)品，導(dǎo)通電阻降低了50%。
2023-05-10 14:20:06215 
高壓SiC MOSFET的結(jié)構(gòu)和技術(shù)存在著幾個(gè)重要瓶頸：1）器件漂移區(qū)的導(dǎo)通電阻隨電壓等級(jí)相應(yīng)增加，其他結(jié)構(gòu)（溝道、JFET區(qū)等）的存在進(jìn)一步提高了總導(dǎo)通電阻。
2023-05-04 09:43:181393 
ROHM | 開(kāi)發(fā)出具有業(yè)界超低導(dǎo)通電阻的Nch MOSFET
2023-05-03 11:31:44372 
在本文中，我們將學(xué)習(xí)如何使用 P溝道和 N 溝道 MOSFET 構(gòu)建通用全橋或 H 橋 MOSFET 驅(qū)動(dòng)電路，該電路可用于制造電機(jī)、逆變器和許多不同的功率轉(zhuǎn)換器的高效驅(qū)動(dòng)電路。
2023-04-29 09:35:005288 
MOSFET是以金屬層（M）柵極隔著氧化層（O）利用電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制半導(dǎo)體（S）的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特點(diǎn)是用柵極電壓來(lái)控制漏極電流。根據(jù)其溝道的極性不同，MOSFET可分為電子占多數(shù)的N溝道型與空穴占多數(shù)的P溝道型，通常又稱(chēng)為N型MOSFET（NMOSFET）和P型MOSFET（PMOSFET）。
2023-04-13 09:40:30691 并提高可靠性。東芝實(shí)驗(yàn)證實(shí)，與現(xiàn)有SiC MOSFET相比，這種設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)在不影響可靠性的情況下[1]，可將導(dǎo)通電阻[2]（RonA）降低約20%。功率器件是管理各種電子設(shè)備電能，降低功耗以及實(shí)現(xiàn)碳中和
2023-04-11 15:29:18
中國(guó)上海， 2023 年 3 月 30 日 ——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出150V N溝道功率MOSFET---“TPH9R00CQ5”，其采用最新一代
2023-03-30 13:37:14609 
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