透鏡 透明 非對(duì)稱 螺釘
2024-03-14 23:11:32
僅透鏡，需固定座 透明 非對(duì)稱
2024-03-14 23:11:32
透鏡 透明 非對(duì)稱 膠帶
2024-03-14 23:11:32
透鏡條 白色 非對(duì)稱 卡入式
2024-03-14 23:11:32
G473使用TIM1非對(duì)稱模式做移相，用TIM8Combined PWM模式做對(duì)角的移相與門輸出，為啥占空比對(duì)了時(shí)序不對(duì)？
2024-03-14 07:49:55
半導(dǎo)體開發(fā)出第一個(gè)單片式集成電路時(shí)，事情開始變得非常有趣了。看一看下面這張由計(jì)算機(jī)歷史博物館提供的照片，它展示了一些參與這一開創(chuàng)性工作的早期先驅(qū)（我們稱其為八叛逆）。請(qǐng)注意，照片中的每個(gè)人都穿著夾克，打著
2024-03-13 16:52:37
蓉矽半導(dǎo)體近日宣布，其自主研發(fā)的1200V 40mΩ SiC MOSFET產(chǎn)品NC1M120C40HT已順利通過AEC-Q101車規(guī)級(jí)測(cè)試和HV-H3TRB加嚴(yán)可靠性考核。這一里程碑式的成就不僅彰顯了蓉矽半導(dǎo)體在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的技術(shù)實(shí)力，也進(jìn)一步證明了其產(chǎn)品在新能源汽車、光伏逆變等高端應(yīng)用領(lǐng)域的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)力。
2024-03-12 11:06:30
228 意法半導(dǎo)體（ST）近日推出了一系列功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器，這些產(chǎn)品不僅在設(shè)計(jì)上追求穩(wěn)健性和可靠性，還致力于提供高度的系統(tǒng)集成性和靈活性，以滿足不同應(yīng)用場(chǎng)景的需求。
2024-03-12 10:54:43224 近日，全球知名的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay宣布推出新型80V對(duì)稱雙通道N溝道功率MOSFET，型號(hào)為SiZF4800LDT。這款新產(chǎn)品將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV
2024-03-12 10:32:0293 想問一下，半導(dǎo)體設(shè)備需要用到溫度傳感器的有那些設(shè)備，比如探針臺(tái)有沒有用到，具體要求是那些，
2024-03-08 17:04:59
意法半導(dǎo)體（下文為ST）的功率MOSFET和IGBT柵極驅(qū)動(dòng)器旨在提供穩(wěn)健性、可靠性、系統(tǒng)集成性和靈活性的完美結(jié)合。
2024-02-27 09:05:36578 
樁中決定充電效率和能量轉(zhuǎn)化的關(guān)鍵元件是IGBT和MOSFET。在各類半導(dǎo)體功率器件中，未來增長(zhǎng)最強(qiáng)勁的產(chǎn)品將是MOSFET與IGBT模塊。MOSFET和IGBT區(qū)別以
2024-02-19 12:28:04191 
為什么三相短路是對(duì)稱故障？單相短路是非對(duì)稱故障呢？ 三相短路是對(duì)稱故障，而單相短路是非對(duì)稱故障，其根本原因在于電網(wǎng)中的相量關(guān)系和電壓分布。 首先，對(duì)稱故障指的是三相之間的關(guān)系相同，而非對(duì)稱故障指的是
2024-02-18 11:41:26341 三菱電機(jī)近日宣布，將推出一系列新型J3系列功率半導(dǎo)體模塊，專為各類電動(dòng)汽車（EV、PHEV等）設(shè)計(jì)。這些模塊采用先進(jìn)的半導(dǎo)體技術(shù)，具有緊湊的設(shè)計(jì)和卓越的性能，可大幅提高電動(dòng)汽車的能效和續(xù)航里程。
2024-01-25 16:04:19259 三菱電機(jī)集團(tuán)近日（2024年1月23日）宣布即將推出六款用于各種電動(dòng)汽車（xEV）的新型J3系列功率半導(dǎo)體模塊，
2024-01-24 14:14:07785 
今日（1月18日），意法半導(dǎo)體在官微宣布，公司與聚焦于碳化硅（SiC）半導(dǎo)體功率模塊和先進(jìn)電力電子變換系統(tǒng)的中國(guó)高科技公司致瞻科技合作，為致瞻科技電動(dòng)汽車車載空調(diào)中的壓縮機(jī)控制器提供意法半導(dǎo)體第三代碳化硅（SiC）MOSFET技術(shù)。
2024-01-19 09:48:16254 
“功率器件”是指逆變器、轉(zhuǎn)換器等電力轉(zhuǎn)換設(shè)備以及安裝在其中的半導(dǎo)體元件。按功能劃分，有功率晶體管（MOSFET、IGBT等）、二極管、晶閘管、雙向可控硅等半導(dǎo)體元件；按形式劃分，有半導(dǎo)體元件（分立
2024-01-10 09:38:25565 
功率半導(dǎo)體是一類特殊的半導(dǎo)體器件，具有高電壓、大電流和高溫等特點(diǎn)，廣泛應(yīng)用于電力電子、電力系統(tǒng)、新能源等領(lǐng)域。本文將對(duì)功率半導(dǎo)體的原理和功能進(jìn)行詳細(xì)介紹。 功率半導(dǎo)體的工作原理 功率半導(dǎo)體的工作原理
2024-01-09 16:22:11380 
新半導(dǎo)體技術(shù)將提升功率轉(zhuǎn)換效率
2023-12-15 09:18:51165 
半導(dǎo)體是我們生活中使用的電器里比較常用的一種器件，那么你對(duì)半導(dǎo)體有多少了解呢？今天我們就從最基礎(chǔ)的半導(dǎo)體功率器件入手，全面了解半導(dǎo)體的“前世今生”。
2023-12-14 09:25:09451 根據(jù)不同的誘因，常見的對(duì)半導(dǎo)體器件的靜態(tài)損壞可分為人體，機(jī)器設(shè)備和半導(dǎo)體器件這三種。
當(dāng)靜電與設(shè)備導(dǎo)線的主體接觸時(shí)，設(shè)備由于放電而發(fā)生充電，設(shè)備接地，放電電流將立即流過電路，導(dǎo)致靜電擊穿。外部物體
2023-12-12 17:18:54
功率半導(dǎo)體電流額定值和熱設(shè)計(jì)
2023-12-07 14:36:27233 
功率半導(dǎo)體冷知識(shí)：功率器件的功率密度
2023-12-05 17:06:45264 
，如功率二極管、功率晶體管、功率MOSFET（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）等。它們主要在電源、變頻器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等功率電子領(lǐng)域中使用。 集成電路是將大量電子器件（如晶體管、電阻、電容等）集成在單個(gè)芯片上，形成一個(gè)完整的
2023-12-04 17:00:57682 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出其首款碳化硅(SiC) MOSFET，并發(fā)布兩款采用 3 引腳 TO-247 封裝的 1200 V 分立器件，RDS(on) 分別為 40 mΩ 和 80 mΩ。
2023-12-04 10:39:50413 、晶閘管等等，主要用于工業(yè)和電力系統(tǒng)（正因如此，早期才被稱為電力電子器件）后來，隨著以功率MOSFET器件為代表的新型功率半導(dǎo)體器件的迅速發(fā)展，現(xiàn)在功率半導(dǎo)體器件已經(jīng)非常廣泛，在計(jì)算機(jī)、通行、消費(fèi)
2023-12-03 16:33:191134 
本帖最后由 Tronlong創(chuàng)龍科技 于 2023-12-1 09:36 編輯
“非對(duì)稱AMP”雙系統(tǒng)是什么
AMP(Asymmetric Multi-Processing)，即非對(duì)稱
2023-12-01 09:35:26
三菱電機(jī)公司宣布將與Nexperia B.V.結(jié)成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，共同為電力電子市場(chǎng)開發(fā)硅碳（SiC）功率半導(dǎo)體。三菱電機(jī)將利用其廣帶隙半導(dǎo)體技術(shù)開發(fā)和供應(yīng)SiC MOSFET芯片，這些芯片將用于Nexperia開發(fā)SiC分立器件。
2023-11-30 16:14:09165 
官方網(wǎng)站稱，2015年6月成立的鉅芯科技是從事半導(dǎo)體輸出芯片和零部件研發(fā)，生產(chǎn)，銷售的高新技術(shù)企業(yè)。產(chǎn)品包括半導(dǎo)體分立元件芯片、半導(dǎo)體分立元件、半導(dǎo)體功率模塊及mosfet等。
2023-11-30 10:07:46343 全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（ROHM）開發(fā)出一款高輸出功率半導(dǎo)體激光二極管RLD90QZW3，非常適用于搭載測(cè)距和空間識(shí)別用LiDAR的工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域的AGV（無人搬運(yùn)車）和服務(wù)機(jī)器人、消費(fèi)電子設(shè)備領(lǐng)域的掃地機(jī)器人等應(yīng)用。
2023-11-28 09:03:32309 
隨著科技的飛速發(fā)展，功率半導(dǎo)體已經(jīng)深入到我們生活的各個(gè)領(lǐng)域。從我們?nèi)粘Ｊ褂玫募译姡江h(huán)保出行的電動(dòng)汽車，再到航空航天領(lǐng)域的飛機(jī)和宇宙飛船，都離不開功率半導(dǎo)體。下面介紹的就是市場(chǎng)上功率半導(dǎo)體制造商中的領(lǐng)導(dǎo)者。
2023-11-27 14:53:24233 
功率半導(dǎo)體有多種類型，我們可以使用它們的應(yīng)用甚至更多。基本上，所有功率半導(dǎo)體器件都可以分為三類：二極管、晶閘管和晶體管。
2023-11-27 13:24:26239 2023年11月，日本三菱電機(jī)、安世半導(dǎo)體（Nexperia）宣布，將聯(lián)合開發(fā)高效的碳化硅（SiC）MOSFET分立產(chǎn)品功率半導(dǎo)體。
2023-11-25 16:50:53451 雖然是同一電力半導(dǎo)體公司，但是三菱電機(jī)與安世半導(dǎo)體的另一個(gè)焦點(diǎn)、電子電力半導(dǎo)體為中心的“各離散元件的組合”，高性能sic模塊產(chǎn)品的信賴性的性能提供業(yè)界名聲；onse半導(dǎo)體元件的開發(fā)、生產(chǎn)、認(rèn)證領(lǐng)域具有幾十年的豐富經(jīng)驗(yàn)。目前還提供高品質(zhì)的寬帶配件。
2023-11-24 12:28:54282 三菱電機(jī)今天宣布，將與安世半導(dǎo)體建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，共同開發(fā)面向電力電子市場(chǎng)的碳化硅 (SiC) 功率半導(dǎo)體。
2023-11-15 15:25:52473 
意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)發(fā)布了ACEPACK DMT-32系列碳化硅(SiC)功率模塊，采用方便的32引腳雙列直插式模制通孔封裝，適用于汽車應(yīng)用。針對(duì)車載充電器 (OBC
2023-11-14 15:48:49356 11月13日， 三菱電機(jī)株式會(huì)社（TOKYO：6503）宣布，將與Nexperia B.V.建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系，共同開發(fā)面向電力電子市場(chǎng)的碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體。三菱電機(jī)將利用其寬禁帶半導(dǎo)體技術(shù)開發(fā)和供應(yīng)SiC MOSFET芯片，Nexperia將用于開發(fā)SiC分立器件。
2023-11-14 10:34:33456 一、功率器件在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中的位置功率半導(dǎo)體器件，簡(jiǎn)稱功率器件，又稱電力電子器件，屬于半導(dǎo)體產(chǎn)品中的分立器件。功率集成電路也就是如下圖的【功率IC】，典型產(chǎn)品有【電源管理芯片】和【各類驅(qū)動(dòng)芯片
2023-11-08 17:10:15822 
功率半導(dǎo)體是電力電子技術(shù)的關(guān)鍵組件，主要用作電路和系統(tǒng)中的開關(guān)或整流器。如今，功率半導(dǎo)體幾乎廣泛應(yīng)用于人類活動(dòng)的各個(gè)行業(yè)。我們的家電包括功率半導(dǎo)體，電動(dòng)汽車包括功率半導(dǎo)體，飛機(jī)和宇宙飛船包括功率半導(dǎo)體。
2023-11-07 10:54:05459 
功率半導(dǎo)體，作為現(xiàn)代電子領(lǐng)域的關(guān)鍵組成部分，扮演著將電能轉(zhuǎn)化、控制和分配到各種設(shè)備的重要角色。專門設(shè)計(jì)用于處理高功率電信號(hào)和控制電力流動(dòng)的半導(dǎo)體器件，與低功率應(yīng)用中使用的小信號(hào)半導(dǎo)體不同，功率半導(dǎo)體經(jīng)過優(yōu)化可以處理高電壓、高電流和高溫。
2023-11-06 15:10:27490 
中瑞宏芯將于2021年在海外回國(guó)技術(shù)專家和國(guó)內(nèi)電力半導(dǎo)體業(yè)界的最佳產(chǎn)品被開發(fā)組成立了，新一代節(jié)能高效碳化硅功率正致力于開發(fā)芯片和模塊，而且電力半導(dǎo)體及碳化硅材料器件領(lǐng)域具有10年以上的技術(shù)積累。
2023-11-03 11:19:55398 半導(dǎo)體是我們生活中使用的電器里比較常用的一種器件，那么你對(duì)半導(dǎo)體有多少了解呢？今天我們就從最基礎(chǔ)的半導(dǎo)體功率器件入手，全面了解半導(dǎo)體的“前世今生”。
2023-11-02 10:29:34807 充電機(jī)(OBC)、 DC/DC直流變壓器、油液泵、空調(diào)等汽車系統(tǒng)，產(chǎn)品優(yōu)點(diǎn)包括高功率密度、設(shè)計(jì)高度緊湊和裝配簡(jiǎn)易等，提供四管全橋、三相六管全橋和圖騰柱三種封裝配置，增強(qiáng)了系統(tǒng)設(shè)計(jì)靈活性。 ? 新模塊內(nèi)置1200V SiC功率開關(guān)管，意法半導(dǎo)體第二代和第三代 SiC MOSFET先進(jìn)技術(shù)確保碳化硅開關(guān)管具有
2023-10-31 15:37:59887 
泵、空調(diào)等汽車系統(tǒng)，產(chǎn)品優(yōu)點(diǎn)包括高功率密度、設(shè)計(jì)高度緊湊和裝配簡(jiǎn)易等，提供四管全橋、三相六管全橋和圖騰柱三種封裝配置，增強(qiáng)了系統(tǒng)設(shè)計(jì)靈活性。 ? 新模塊內(nèi)置1200VSiC功率開關(guān)管，意法半導(dǎo)體第二代和第三代 SiC MOSFET先進(jìn)技術(shù)確保碳化硅開關(guān)管具有很低的導(dǎo)通電阻RDS(o
2023-10-30 16:03:10262 IGBT模塊（Insulated Gate Bipolar Transistor Module）是一種集成了多個(gè)IGBT芯片、驅(qū)動(dòng)電路、保護(hù)電路等功能的模塊化電子元件。它是一種用于高功率電力電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件，常用于高壓、高電流的交流/直流變換器、逆變器和直流/直流變換器中。
2023-10-27 11:40:052492 
高功率密度、非常緊湊的設(shè)計(jì)和簡(jiǎn)化的裝配過程。該產(chǎn)品系列為系統(tǒng)設(shè)計(jì)人員提供了四件裝、六件裝和圖騰柱配置的選擇，以提高其靈活性。 這些模塊包括1,200V SiC電源開關(guān)，采用意法半導(dǎo)體尖端的第二代和第三代SiC MOSFET技術(shù)，以確保最小的RDS(on)值。這些器件以最小的溫度依賴性
2023-10-26 17:31:32741 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)開發(fā)出一款高輸出功率半導(dǎo)體激光二極管“RLD90QZW8”，該產(chǎn)品非常適用于搭載測(cè)距和空間識(shí)別用LiDAR*1的工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域的AGV(Automated Guided Vehicle/無人搬運(yùn)車)和服務(wù)機(jī)器人、消費(fèi)電子領(lǐng)域的掃地機(jī)器人等應(yīng)用。
2023-10-26 13:27:37196 
傳統(tǒng)的功率模塊基本結(jié)構(gòu)分層圖來說說其構(gòu)成：可見，我們前面聊的很多的半導(dǎo)體芯片，只是功率模塊中的一部分，除此之外還包括其他的成分。而這些成分的選擇和搭配，再結(jié)合半導(dǎo)體芯片的特性，將決定功率模塊的整體性
2023-10-24 09:45:033032 改變功率模塊市場(chǎng)。通過用寬帶隙碳化硅（SiC）取代標(biāo)準(zhǔn)半導(dǎo)體中使用的硅，它們有可能將半導(dǎo)體功率模塊的適用性擴(kuò)展到更高功率、更高溫度的用例。 碳化硅不辜負(fù)其高期望，到2026年占據(jù)功率模塊市場(chǎng)25%的份額 ^1^ ，開發(fā)人員將不得不克服幾個(gè)挑戰(zhàn)。首先，他們
2023-10-23 16:49:36372 
解更多公司，建議查詢相關(guān)網(wǎng)站。 sic功率半導(dǎo)體技術(shù)如何實(shí)現(xiàn)成果轉(zhuǎn)化 SIC功率半導(dǎo)體技術(shù)的成果轉(zhuǎn)化可以通過以下途徑實(shí)現(xiàn)： 與現(xiàn)有產(chǎn)業(yè)合作：尋找現(xiàn)有的使用SIC功率半導(dǎo)體技術(shù)的企業(yè)，與他們合作，共同研究開發(fā)新產(chǎn)品，將技術(shù)轉(zhuǎn)化為商業(yè)化
2023-10-18 16:14:30586 功率半導(dǎo)體器件與普通半導(dǎo)體器件的區(qū)別在于，其在設(shè)計(jì)的時(shí)候，需要多一塊區(qū)域，來承擔(dān)外加的電壓，如圖5所示，300V器件[1]的“N-drift”區(qū)域就是額外承擔(dān)高壓的部分。與沒有“N-drift”區(qū)的普通半導(dǎo)體器件[2]相比，明顯尺寸更大，這也是功率半導(dǎo)體器件的有點(diǎn)之一。
2023-10-18 11:16:21878 
。
比亞迪半導(dǎo)體2007年建立IGBT模塊生產(chǎn)線，2009年完成首款車規(guī)級(jí)IGBT芯片開發(fā)，可提供包含裸芯片、單管、功率模塊等不同形式的產(chǎn)品。于2008年底發(fā)布其自研車規(guī)級(jí)IGBT4.0技術(shù)。
l 揚(yáng)杰
2023-10-16 11:00:14
，更多的研究經(jīng)費(fèi)投入于 MOSFET管的研究。MOSFET 管的額定電壓和額定電流得到了顯著提高，成本卻逐漸下降，使它可以應(yīng)用于大量新的場(chǎng)合。
目前已經(jīng)開發(fā)出在高頻率、高磁通密度條件下有更低損耗的磁性
2023-09-28 06:33:09
SiC器件是一種新型的硅基MOSFET，特別是SiC功率器件具有更高的開關(guān)速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN結(jié)組成。
在眾多的半導(dǎo)體器件中，碳化硅材料具有低熱導(dǎo)率、高擊穿
2023-09-26 16:42:29342 
介紹了一種以小型PLC為控制核心的大功率半導(dǎo)體激光治療儀。該治療儀采用單管激光器光纖耦合技術(shù)設(shè)計(jì)了波長(zhǎng)為808rim、輸出功率30W 的激光器模塊，采用恒流充電技術(shù)設(shè)計(jì)了高效激光器驅(qū)動(dòng)電路，整機(jī)具有散熱好、低功耗和高可靠性等優(yōu)點(diǎn)。
2023-09-19 08:23:52
設(shè)計(jì)了半導(dǎo)體激光器恒定功率驅(qū)動(dòng)電路，采用負(fù)反饋運(yùn)算放大電路構(gòu)成恒流源，電容充放電模塊構(gòu)成穩(wěn)壓環(huán)節(jié)，以高精度電流檢測(cè)芯片 MAX4008監(jiān)測(cè) PIN光電探測(cè)器探測(cè)電流，以此為基準(zhǔn)，引入功率反饋環(huán)節(jié)，穩(wěn)定輸出功率。闡述并分析了電路原理與實(shí)驗(yàn)結(jié)果，表明電路運(yùn)行穩(wěn)定，實(shí)現(xiàn)了精確的自動(dòng)功率控制。
2023-09-19 07:15:15
半導(dǎo)體是我們生活中使用的電器里比較常用的一種器件，那么你對(duì)半導(dǎo)體有多少了解呢？今天我們就從最基礎(chǔ)的半導(dǎo)體功率器件入手，全面了解半導(dǎo)體的“前世今生”。
2023-09-15 09:49:25889 ?
全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM的SiC MOSFET和SiC肖特基勢(shì)壘二極管(以下簡(jiǎn)稱“SiC SBD”)已被成功應(yīng)用于大功率模擬模塊制造商Apex?Microtechnology的功率模塊
2023-09-14 19:15:14351 “非對(duì)稱AMP”雙系統(tǒng)是什么AMP(AsymmetricMulti-Processing)，即非對(duì)稱多處理架構(gòu)。“非對(duì)稱AMP”雙系統(tǒng)是指多個(gè)核心相對(duì)獨(dú)立運(yùn)行不同的操作系統(tǒng)或裸機(jī)應(yīng)用程序
2023-09-13 08:07:11761 
? 點(diǎn)擊上方? “?意法半導(dǎo)體中國(guó)” ， 關(guān)注我們 ???????? ?? 意法半導(dǎo)體為博格華納的Viper功率模塊提供碳化硅 （ SiC ） 功率MOSFET，支持沃爾沃汽車在2030年前全面實(shí)現(xiàn)
2023-09-07 08:10:01407 
和管理者。今年，Nexperia（安世半導(dǎo)體）的熱插拔MOSFET與碳化硅肖特基二極管兩款明星產(chǎn)品現(xiàn)已雙雙入圍年度功率半導(dǎo)體！ 采用SMD銅夾片LFPAK88封裝的熱插拔專用MOSFET(ASFET) 同時(shí)
2023-08-28 15:45:311140 先楫半導(dǎo)體使用上怎么樣？
2023-08-08 14:56:29
列。 ? ? ? ? ? 公司汽車電子事業(yè)部總監(jiān)李海鋒應(yīng)邀在會(huì)上作了《汽車電氣化中國(guó)產(chǎn)半導(dǎo)體的機(jī)遇和挑戰(zhàn)》主題演講。 ? ? ? 士蘭微電子功率器件中，MOSFET、IGBT大功率模塊（PIM）、肖特基管、穩(wěn)壓管、開關(guān)管、TVS管等產(chǎn)品的增長(zhǎng)較快，公司的超
2023-08-07 11:34:091676 貞光科技從車規(guī)微處理器MCU、功率器件、電源管理芯片、信號(hào)處理芯片、存儲(chǔ)芯片、二、三極管、光耦、晶振、阻容感等汽車電子元器件為客戶提供全產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)解決方案。■功率半導(dǎo)體的定義功率半導(dǎo)體，又稱電力
2023-07-27 16:20:04415 
功率半導(dǎo)體包括功率半導(dǎo)體分立器件（含模塊）以及功率 IC 等。其中，功率半導(dǎo)體分立器件，按照器件結(jié)構(gòu)劃分，可分為二極管、晶閘管和晶體管等。
2023-07-26 09:31:035043 
從當(dāng)前國(guó)內(nèi)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)整體來看，呈現(xiàn)產(chǎn)業(yè)鏈完整、廠家數(shù)量多、發(fā)展迅速等特點(diǎn)。按區(qū)域來看，目前中國(guó)功率半導(dǎo)體企業(yè)主要分布在長(zhǎng)三角和珠三角等地。據(jù)統(tǒng)計(jì)，截至2022年6月底，廣東共有相關(guān)功率半導(dǎo)體企業(yè)數(shù)114家，江蘇則有82家。
2023-07-13 11:36:34640 
及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、研發(fā)中心建設(shè)及第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)項(xiàng)目等。 華羿微電成立于2017年，是一家聚焦高性能功率器件研發(fā)、設(shè)計(jì)、封裝測(cè)試、銷售為主的半導(dǎo)體企業(yè)，主要產(chǎn)品包括自有品牌的SGT MOSFET、Trench MOSFET等功率器件和硅基MOSFET及模塊、IGBT、二極管
2023-07-06 16:45:02520 
研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目、研發(fā)中心建設(shè)及第三代半導(dǎo)體功率器件研發(fā)項(xiàng)目等。 ? 華羿微電成立于2017年，是一家聚焦高性能功率器件研發(fā)、設(shè)計(jì)、封裝測(cè)試、銷售為主的半導(dǎo)體企業(yè)，主要產(chǎn)品包括自有品牌的SGT MOSFET、Trench MOSFET等功率器件和硅基MOSFET及模塊、IGB
2023-07-06 01:16:001409 
斯達(dá)半導(dǎo)體長(zhǎng)期致力于新能源汽車功率半導(dǎo)體芯片和模塊的研發(fā)、生產(chǎn)和銷售，是國(guó)內(nèi)新能源汽車大功率車規(guī)級(jí)功率模塊的主要供應(yīng)商。2022年斯達(dá)半導(dǎo)體車規(guī)級(jí)模塊配套超過120萬輛新能源汽車，為國(guó)內(nèi)新能源汽車產(chǎn)業(yè)的自主化高質(zhì)量發(fā)展提供了有力技術(shù)和戰(zhàn)略支撐。
2023-06-27 16:50:19302 功率半導(dǎo)體器件，簡(jiǎn)稱功率器件，又稱電力電子器件，屬于半導(dǎo)體產(chǎn)品中的分立器件。功率集成電路也就是如下圖的【功率IC】，典型產(chǎn)品有【電源管理芯片】和【各類驅(qū)動(dòng)芯片】等，屬于半導(dǎo)體產(chǎn)品中的集成電路。
2023-06-27 11:36:36806 
據(jù)公告，此次建設(shè)的第三代半導(dǎo)體輸出配件生產(chǎn)項(xiàng)目位于湖北省武漢市東湖新技術(shù)開發(fā)區(qū)，總投資額約為60億元，包括36億元股權(quán)融資和24億元銀行貸款。構(gòu)筑第3代半導(dǎo)體外延、晶片制造、組裝測(cè)試等生產(chǎn)線的該事業(yè)，將具備能夠生產(chǎn)6英寸硅晶片及外延36萬個(gè)、輸出配件模塊6100萬個(gè)的能力。
2023-06-27 09:54:38539 無獨(dú)有偶，在車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體領(lǐng)域布局的車企不止吉利一家。近日，深藍(lán)汽車與斯達(dá)半導(dǎo)體達(dá)成合作，雙方組建了一家名為 " 重慶安達(dá)半導(dǎo)體有限公司 " 的全新合資公司，雙方將圍繞車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體模塊開展合作，共同推進(jìn)下一代功率半導(dǎo)體在新能源汽車領(lǐng)域的商業(yè)化應(yīng)用。
2023-06-25 16:47:45556 
，以及分享GaN FET和集成電路目前在功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域替代硅器件的步伐。
誤解1：氮化鎵技術(shù)很新且還沒有經(jīng)過驗(yàn)證
氮化鎵器件是一種非常堅(jiān)硬、具高機(jī)械穩(wěn)定性的寬帶隙半導(dǎo)體，于1990年代初首次用于生產(chǎn)高
2023-06-25 14:17:47
GaN功率半導(dǎo)體與高頻生態(tài)系統(tǒng)(氮化鎵)
2023-06-25 09:38:13
突破GaN功率半導(dǎo)體的速度限制
2023-06-25 07:17:49
升級(jí)到半橋GaN功率半導(dǎo)體
2023-06-21 11:47:21
用于無線充電應(yīng)用的高壓GaN功率半導(dǎo)體單級(jí)6.78 MHz功率放大器設(shè)計(jì)
2023-06-21 11:45:06
采用GaNFast?功率半導(dǎo)體的高效有源箝位反激變換器的設(shè)計(jì)考慮
2023-06-21 06:24:22
GaN功率半導(dǎo)體帶來AC-DC適配器的革命(氮化鎵)
2023-06-19 11:41:21
GaN功率半導(dǎo)體在快速充電市場(chǎng)的應(yīng)用(氮化鎵)
2023-06-19 11:00:42
GaN功率半導(dǎo)體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢(shì)
2023-06-19 09:28:46
GaNFast功率半導(dǎo)體建模(氮化鎵)
2023-06-19 07:07:27
功率半導(dǎo)體器件或模塊是電機(jī)控制器的心臟。電機(jī)控制器、電機(jī)和減速器一起組 成電動(dòng)汽車的電力驅(qū)動(dòng)總成。
2023-06-09 16:48:232758 
在功率半導(dǎo)體市場(chǎng)，自2021年第二季度以來，器件制造商的積壓訂單有所增加。因此，2021年全球市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到223.7億美元，同比增長(zhǎng)20.1%。預(yù)計(jì) 2022 年的訂單將保持強(qiáng)勁，但由于半導(dǎo)體制造所用設(shè)備和材料的需求緊張，預(yù)計(jì)全球功率半導(dǎo)體市場(chǎng)將同比增長(zhǎng) 6.8% 至 238.9 億美元。
2023-06-02 16:05:33553 
實(shí)現(xiàn)了一種基于非均勻非對(duì)稱定向耦合器的新型寬帶波長(zhǎng)平坦3dB光耦合器。在1300-1600nm波長(zhǎng)范圍內(nèi)，實(shí)現(xiàn)了3 dB± 0.3 dB的分束比。
2023-05-30 17:04:261002 
AEROPULSE FS50工業(yè)級(jí)高功率飛秒激光器NKTAEROPULSE FS50工業(yè)級(jí)高功率飛秒激光器是NKT基于優(yōu)異的的光子晶體光纖平臺(tái)的新型50W工業(yè)級(jí)飛秒光纖激光器。aeroPULSE
2023-05-24 14:02:03
貞光科技從車規(guī)微處理器MCU、功率器件、電源管理芯片、信號(hào)處理芯片、存儲(chǔ)芯片、二、三極管、光耦、晶振、阻容感等汽車電子元器件為客戶提供全產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)解決方案。功率半導(dǎo)體概況功率半導(dǎo)體介紹及分類功率
2023-05-06 18:01:01577 
ROHM | 開發(fā)出具有業(yè)界超低導(dǎo)通電阻的Nch MOSFET
2023-05-03 11:31:44372 
我想知道 NXP 是否提供了使用加密模塊實(shí)現(xiàn)非對(duì)稱密鑰導(dǎo)入（RSA 或 ECC）的示例？
RTD 中的示例僅實(shí)現(xiàn)對(duì)稱密鑰導(dǎo)入 (AES)。
2023-04-28 06:54:24
接下來幾篇將做一個(gè)流水燈電路，本文是流水燈電路的第一節(jié)，介紹用反相器產(chǎn)生非對(duì)稱式多諧振蕩器。
2023-04-26 14:51:041438 
及前瞻產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù)，預(yù)計(jì)2021年我國(guó)半導(dǎo)體分立器件市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到3,229億元。就國(guó)內(nèi)市場(chǎng)而言，二極管、三極管、晶閘管等分立器件產(chǎn)品大部分已實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化，而MOSFET、IGBT等分立器件產(chǎn)品由于其
2023-04-14 16:00:28
功率半導(dǎo)體產(chǎn)品介紹及主要種類！
2023-04-14 15:26:45554 
及前瞻產(chǎn)業(yè)研究院數(shù)據(jù)，預(yù)計(jì)2021年我國(guó)半導(dǎo)體分立器件市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到3,229億元。就國(guó)內(nèi)市場(chǎng)而言，二極管、三極管、晶閘管等分立器件產(chǎn)品大部分已實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化，而MOSFET、IGBT等分立器件產(chǎn)品由于其
2023-04-14 13:46:39
我有 DNA 424 NFC 標(biāo)簽，但遇到了問題。標(biāo)簽是對(duì)稱加密的。這意味著我不能與其他想要獨(dú)立驗(yàn)證掃描的來源共享密鑰（這是我的實(shí)現(xiàn)想要允許的）。更具體地說，該實(shí)現(xiàn)將使用區(qū)塊鏈，我不能將對(duì)稱密鑰放在
2023-04-14 06:21:54
評(píng)估，以改善動(dòng)態(tài)特性和可靠性，并開發(fā)有助于實(shí)現(xiàn)碳中和的更具吸引力的高性能功率半導(dǎo)體器件。新研發(fā)的格子花紋嵌入式SBD-SiC MOSFET的示意圖1,2kV級(jí)SiC MOSFET特性對(duì)比
2023-04-11 15:29:18
、實(shí)時(shí)的控制能力。先楫HPM6000 系列中的16bit 分辨率的ADC、 12bit DAC, 高速模擬比較器，雙精度FPU和皮秒級(jí)的高精度PWM等模塊能極大幫助客戶實(shí)現(xiàn)精準(zhǔn)的信號(hào)采集、運(yùn)算和控制。同時(shí)
2023-04-10 18:39:28
2023年3月29日下午14：30，成都復(fù)錦功率半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展有限公司召開首次產(chǎn)品發(fā)布會(huì)，推出微模塊電源、1/16磚隔離DC-DC電源模塊、超寬高壓直流電源模塊、客制電源開發(fā)等產(chǎn)品和技術(shù)服務(wù)。 產(chǎn)品
2023-03-29 19:23:34313 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基勢(shì)壘二極管（以下簡(jiǎn)稱“SiC SBD”）已被成功應(yīng)用于大功率模擬模塊制造商ApexMicrotechnology
2023-03-29 15:06:13
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