電子發燒友網站提供《具有反極性保護、短路保護和診斷功能的100V、汽車類、低IQ 高側驅動器TPS4800-Q1數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-13 13:45:58
0 榮湃半導體近日宣布推出其最新研發的Pai8265xx系列柵極驅動器,該系列驅動器基于電容隔離技術,集成了多種保護功能,專為驅動SiC、IGBT和MOSFET等功率管而設計。這款產品的推出,標志著榮湃半導體在功率半導體領域的技術創新再次取得突破。
2024-03-12 11:11:52
248 意法半導體(ST)近日推出了一系列功率MOSFET和IGBT柵極驅動器,這些產品不僅在設計上追求穩健性和可靠性,還致力于提供高度的系統集成性和靈活性,以滿足不同應用場景的需求。
2024-03-12 10:54:43
224 想問一下,半導體設備需要用到溫度傳感器的有那些設備,比如探針臺有沒有用到,具體要求是那些,
2024-03-08 17:04:59
為了在空間受限的應用中實現高效、實時的嵌入式電機控制系統,MicrochipTechnologyInc.(微芯科技公司)推出基于dsPIC數字信號控制器(DSC)的新型集成電機驅動器系列。該系列器件
2024-03-08 08:22:30
114 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/4C/78/poYBAGKyxUaAVCbBAAAfziEvOio242.jpg)
Microchip近日宣布推出一款創新的3.3 kV XIFM即插即用mSiC?柵極驅動器,該驅動器采用了Augmented Switching?專利技術,進一步擴展了其mSiC解決方案系列,為高壓SiC電源模塊的快速采用提供了有力支持。
2024-03-07 11:31:32
313 驅動器和控制器的發展。因此,電路設計人員經常求助于為硅MOSFETs設計的通用柵極驅動器,從而需要仔細考慮各種因素以獲得最佳性能。 GaN晶體管與Si MOSFETs 與硅MOSFETs相比,eGaN FETs表現出不同的特性,影響其與專為后者設計的柵極驅動器一起工作。一些主要差
2024-03-05 14:28:16
399 ![](https://file1.elecfans.com//web2/M00/C3/9A/wKgaomXmu3yAK_zAAACp5ucy5_A039.jpg)
在電子設備領域,“驅動”一詞占據著至關重要的地位,充當推動信號、控制和電源的力量。這個復雜世界中的一個重要組件是隔離式柵極驅動器,這項技術在確保各種電子系統高效、安全運行方面發揮著關鍵作用。
2024-03-01 16:16:43
207 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/C0/EC/wKgaomXPKvyAc2S2AAPLNZwzJ8A932.png#pic_center)
GaN FETs以其體積小、切換速度快、效率高及成本低等優勢,為電力電子產業帶來了革命性的變化。然而,GaN技術的快速發展有時超出了專門為GaN設計的柵極驅動器和控制器的發展。因此,電路設計師經常轉向為硅MOSFETs設計的通用柵極驅動器,這就需要仔細考慮多個因素以實現最佳性能。
2024-02-29 17:54:08
188 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/C2/27/wKgZomXgVDyAM1HWAAEVFTqp4sk962.png)
意法半導體(下文為ST)的功率MOSFET和IGBT柵極驅動器旨在提供穩健性、可靠性、系統集成性和靈活性的完美結合。
2024-02-27 09:05:36
578 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/C2/26/wKgaomXdNdOAcM6FAAAXrEL41h0539.png)
本文通過分析低側柵極驅動器的等效電路來計算如何合理的選取RGATE電阻的阻值,既要保持MOS管的良好開關性能,還要有效抑制振鈴的產生。
2024-02-26 18:14:34
1236 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/C1/12/wKgZomXcZSSAarPpAAAgeMT3-So194.png)
Analog Devices Inc. LT8418半橋GaN驅動器 - TI | 貿澤Analog Devices Inc. LT8418半橋GaN驅動器是一款100V器件,集成了頂部和底部驅動器
2024-02-22 13:39:55
CCS產品圖標準版 01、脈沖半導體激光管驅動器產品介紹 AeroDIODE的CCS是一款脈沖半導體激光管驅動器,工作波長為1064納米。它的輸出電流為0.8 - 2 A(連續)和1.5
2024-01-30 06:31:08
144 ![](https://file1.elecfans.com//web2/M00/BE/DD/wKgZomW4JyqABOYhAABYOYr-VYk081.jpg)
H6203G 是一款150V高耐壓芯片支持100V轉3.3V 100V轉5V 100V轉12V。
產品描述
H6203G是一種內置150V耐壓MOS,支持輸入高達120V的高壓降壓開關控制器,可以向負載
2024-01-26 14:13:26
半橋電路的電壓是24V,ADUM6132接5V和15V能正常驅動它嗎?是A通道驅動上功率管,B通道驅動下管嗎?
芯片除了正常的供電接地還需要接什么別的元件嗎?
2024-01-11 06:09:16
。特點● 內置100V MOS● 輸入電壓范圍:8V-100V● 效率90%● 輸出電流范圍:100MA-1.5A● 平均電流工作模式● 過溫時減小輸出電流● 工作頻率:140KHz應用● 直流或交流輸入LED驅動器● RGB背光LED驅動● 電動自行車照明● 摩托車照明● 汽車照明電路圖
2024-01-10 16:03:35
必易微新推出的柵極驅動器 KP85402,專為家用電器和工業新能源等應用場景而設計。這款產品旨在為客戶提供一個高可靠性、低成本的解決方案,以滿足各種柵極驅動需求。
2024-01-08 15:33:25
390 深圳市港禾科技有限公司產品描述NSD1624是一款高壓半橋柵極驅動器,能提供最大4A/6A的拉灌電流能力,驅動MOSFET或IGBT等功率管。NSD1624可應用于高達1200V母線電壓系統。它擁有
2023-12-20 11:30:41
深圳市港禾科技有限公司產品描述NSD1624是一款高壓半橋柵極驅動器,能提供最大4A/6A的拉灌電流能力,驅動MOSFET或IGBT等功率管。NSD1624可應用于高達1200V母線電壓系統。它擁有
2023-12-20 11:13:03
深圳市港禾科技有限公司產品描述NSD1624是一款高壓半橋柵極驅動器,能提供最大4A/6A的拉灌電流能力,驅動MOSFET或IGBT等功率管。NSD1624可應用于高達1200V母線電壓系統。它擁有
2023-12-20 11:09:10
深圳市港禾科技有限公司產品描述NSD1624是一款高壓半橋柵極驅動器,能提供最大4A/6A的拉灌電流能力,驅動MOSFET或IGBT等功率管。NSD1624可應用于高達1200V母線電壓系統。它擁有
2023-12-19 13:43:56
深圳市港禾科技有限公司產品描述NSD1624是一款高壓半橋柵極驅動器,能提供最大4A/6A的拉灌電流能力,驅動MOSFET或IGBT等功率管。NSD1624可應用于高達1200V母線電壓系統。它擁有
2023-12-19 13:39:52
深圳市港禾科技有限公司產品描述NSD1624是一款高壓半橋柵極驅動器,能提供最大4A/6A的拉灌電流能力,驅動MOSFET或IGBT等功率管。NSD1624可應用于高達1200V母線電壓系統。它擁有
2023-12-19 13:36:17
深圳市港禾科技有限公司產品描述NSD1624是一款高壓半橋柵極驅動器,能提供最大4A/6A的拉灌電流能力,驅動MOSFET或IGBT等功率管。NSD1624可應用于高達1200V母線電壓系統。它擁有
2023-12-19 12:01:33
深圳市港禾科技有限公司產品描述NSD1624是一款高壓半橋柵極驅動器,能提供最大4A/6A的拉灌電流能力,驅動MOSFET或IGBT等功率管。NSD1624可應用于高達1200V母線電壓系統。它擁有
2023-12-19 11:55:58
報告內容包含:
效率和功率密度推動變革
基本的 MOSFET 柵極驅動器功能
驅動器演進以支持 IGBT(絕緣柵雙極晶體管)
驅動器進化以支持 SiC(碳化硅)
2023-12-18 09:39:57
156 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/B7/CF/wKgZomV_o5mAaqhtAAAZMd5XQ5k444.png)
圣邦微電子推出 SGM48541/2/3/4/5 系列,一款耐受 -10V 輸入電壓的單通道高速低側柵極驅動器。 該系列器件被廣泛應用于 DC/DC 轉換器、太陽能和電機驅動器中的功率 MOSFET
2023-12-13 10:10:01
271 在當今的數字時代,電子元件是塑造我們生活的無數技術奇跡的支柱。從智能手機到電動汽車以及介于兩者之間的所有產品,電子元件都發揮著至關重要的作用。稱為柵極驅動器的關鍵組件在控制半導體器件的開關方面發揮著關鍵作用。本文深入探討了柵極驅動器的原理、其重要性以及它們如何促進電子電路和系統的高效運行。
2023-12-06 10:05:32
431 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/B4/8E/wKgZomVv1oeAYINkAAWnV4l0jL4643.png#pic_center)
近日,武漢芯源半導體正式發布首款基于Cortex?-M0+內核的CW32A030C8T7車規級MCU,這是武漢芯源半導體首款通過AEC-Q100 (Grade 2)車規標準的主流通用型車規MCU產品
2023-11-30 15:47:01
電子發燒友網站提供《單通道柵極驅動器ADuM4135應用筆記.pdf》資料免費下載
2023-11-29 11:00:58
0 電子發燒友網站提供《4.0 A隔離式半橋柵極驅動器ADuM7223應用筆記.pdf》資料免費下載
2023-11-29 09:13:23
1 使用隔離式柵極驅動器的設計指南(一)
2023-11-28 16:18:10
271 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/B0/16/wKgaomVdfwKAH4xHAADCYwm8o0Y900.jpg)
我想把1V(100MHz)的信號放大成100V(100MHz)的信號,請問我應該選什么型號的芯片?
2023-11-24 07:05:04
電子發燒友網站提供《實現隔離式半橋柵極驅動器的設計基礎.pdf》資料免費下載
2023-11-22 16:57:32
0 在電力電子領域,為了最大限度地降低開關損耗,通常希望開關時間短。然而快速開關同時隱藏了高壓瞬變的危險,這可能會影響甚至損壞處理器邏輯。因此,必須設計更高性能的開關驅動系統 。 目前,寬帶隙半導體
2023-11-17 18:45:01
326 ![](https://file1.elecfans.com//web2/M00/B0/B1/wKgZomVXRVqAS0ICAAaBFR5SnVI842.png)
ROHM Semiconductor宣布推出新型BD2311NVX-LB柵極驅動器IC。該器件可實現納秒 (ns) 級的柵極驅動速度,因此非常適合高速 GaN 功率器件開關。 通過對氮化鎵技術的全面
2023-11-14 15:04:58
438 引言:對于中壓或高壓的電源系統,對MOS組的要求特別高,DrMOS已經不能滿足設計參數要求,此時將DrMOS再次分拆開來,將驅動部分獨立成為柵極驅動器。柵極驅動器的強度和抗擾度極佳,非常適用于電機驅動、家用電器、SMPS、電池供電應用和大功率照明。
2023-11-10 16:00:48
912 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/AF/4D/wKgZomVN4neAON2lAAGF0zMHhLg577.jpg)
深圳市三佛科技有限公司供應SA2601矽塔科技600V單相半橋柵極驅動芯片SOP8,原裝現貨 半橋柵極動心片.半橋柵極驅動芯片是一種用于驅動半橋功率器件(例如電力 MOSFET、IGBT等
2023-11-07 17:06:58
AL5801Q 產品簡介DIODES 的AL5801Q這是一款 100V N 溝道 MOSFET 與預偏置 NPN 晶體管相結合,形成簡單、小尺寸 LED 驅動器。LED 電流由連接
2023-10-24 11:34:13
DGD0597FUQ 產品簡介DIODES 的DGD0597FUQ這是一款高頻高側和低側柵極驅動器,能夠驅動半橋配置中的 N 溝道 MOSFET。浮動高側驅動器的額定電壓高達
2023-10-24 10:45:14
羅姆半導體推出了雙 MOSFET,該器件在單個封裝中集成了兩個 100V 芯片,使其適用于驅動通信基站和工業設備中的風扇電機。這五款新型號已添加到HP8KEx/HT8KEx(Nch+Nch
2023-10-23 15:44:02
482
高電池電池組(電動自行車,電動摩托車)
汽車驅動器,四軸飛行器
工業自動化控制車輛配件
描述
ZCC8820KP是一款高壓高性能異步降壓型DC-DC轉
換器,具有寬輸入電壓 9V 到 100V
2023-10-23 15:03:33
LP9961 是一款帶有高壓半橋驅動的全集成 LLC 控 制器。內部實現了 600V 的高壓柵極驅動,使得可 以采用極簡的外圍元件,就可以實現高效、可靠的 LLC 諧振系統。自適應的死區時間控制可以
2023-10-10 11:37:12
近日,意法半導體推出了首款具有電流隔離功能的氮化鎵 (GaN) 晶體管柵極驅動器,新產品 STGAP2GS縮小了芯片尺寸,降低了物料清單成本,能夠滿足應用對寬禁帶芯片的能效以及安全性和電氣保護的更高要求。
2023-09-12 09:01:31
457 2023 年 9 月 6 日,中國 ——意法半導體推出了首款具有電流隔離功能的氮化鎵 (GaN) 晶體管柵極驅動器,新產品 STGAP2GS縮小了芯片尺寸,降低了物料清單成本,能夠滿足應用對寬禁帶芯片的能效以及安全性和電氣保護的更高要求。
2023-09-07 10:12:13
183 用于IGBT的STGAP2HD和用于SiC MOSFET的STGAP2SICD,采用意法半導體新型6kV電流隔離技術,以及SO-36W寬體封裝。瞬態抗擾度為±100V/ns,可防止電噪音工作條件
2023-09-05 06:59:59
單芯片半橋式STDRIVEG600柵極驅動器專為特定的GaN FET驅動要求而設計,具有較短的45ns傳播延遲和低至5V的工作電壓。STDRIVEG600通過較高的共模瞬態抗擾度、一套集成式保護功能
2023-09-05 06:58:54
先楫半導體使用上怎么樣?
2023-08-08 14:56:29
使用LM1875功率音頻放大器集成電路可以設計出非常簡單的音頻音頻放大器,可以在30歐姆負載下提供8瓦的最大輸出功率。
美國國家半導體公司制造的LM1875是一款單片功率放大器,為消費類音頻
2023-08-04 17:22:35
運算放大器,特別注重音頻系統的性能。
該電路的ton控制基于美國國家半導體公司的運算放大器和兩個RC濾波器(低通和高通)。
使用下面給出的公式,我們可以修改音調控制電路的頻率 - RC濾波器
2023-08-02 17:50:28
本用例將討論隔離式柵極驅動器在便攜式發電站中的應用。
2023-08-02 11:41:49
372 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/B1/63/poYBAGTBA2GAU07JAAPbp80Ae_w148.png)
電子發燒友網站提供《二極管柵極驅動器的啟動時序.pdf》資料免費下載
2023-07-24 16:18:42
0 電子發燒友網站提供《DGD2101高壓柵極驅動器IC.pdf》資料免費下載
2023-07-24 15:55:43
0 介紹
在設計電源開關系統(例如電機驅動器或電源)時,設計人員必須做出重要決定。什么電機或變壓器符合系統要求?什么是最好的MOSFET或IGBT來匹配該電機或變壓器?以及哪種柵極驅動器 IC 最適合
2023-07-24 15:51:43
0 通常GaN Hemt驅動存在2個難題:驅動電壓低,容易誤啟動;柵極耐電壓低,柵極容易損耗,因此需要專門的驅動器,不僅增加了設計復雜度,也額外增加了系統成本。
2023-07-23 15:08:36
442 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/8D/89/wKgZomS80laAYThSAAA5HFKvGQg814.png)
柵極驅動器是一種電子器件,它能夠將信號電平作為輸入,通過放大和轉換等過程,產生適合于驅動下級器件的電源信號。柵極驅動器廣泛應用于各種電子設備中,如顯示器、LED燈、電源逆變器等。
2023-07-14 14:48:44
1356 Allegro 在行業盛事慕展期間發布氮化鎵(GaN)隔離柵極驅動器AHV85110,這是Allegro Power-Thru產品系列的首次發布,AHV85110能夠提供2倍功率密度,以及更簡單
2023-07-13 16:05:02
416 ![](https://file1.elecfans.com//web2/M00/9D/C0/wKgZomToC0eACeYIAABjGYUXhy8173.jpg)
傳統柵極驅動器的實現需要隔離柵極驅動器和單獨的隔離電源,在系統組裝時,驅動器、電源和FET之間的連接可能會帶來不必要的噪聲,并產生電磁干擾(EMI),從而降低系統性能。而要減輕這些影響可能會帶來更多設計復雜性,增大項目進度時間和成本,以及解決方案的體積和重量。
2023-07-13 09:47:40
361 TF1388M/TF2366M/TF2388M是一種三相柵極驅動IC,設計用于高壓三相應用,在半橋配置中驅動n通道模塊和igbt。TF半導體的高壓工藝使TF2388M高側
2023-07-04 11:38:27
TF23892M是一種三相柵極驅動IC,設計用于高壓、高速應用,驅動半橋配置的n通道MOSFETs和igbt。TF半導體的高壓工藝使TF23892M高側能夠在引導操作中切
2023-07-04 11:14:43
TF21364M是一種三相柵極驅動器IC,設計用于高壓、高速應用,驅動半橋配置的n通道MOSFETs和igbt。TF半導體的高壓工藝使TF21364M高側能夠在引導操作中切
2023-07-04 10:59:30
TF2136M是一種三相柵極驅動器IC,設計用于高壓、高速應用,驅動半橋配置的n通道MOSFETs和igbt。TF半導體的高壓工藝使TF2136M高側能夠在引導操作中切
2023-07-04 10:46:50
TFB0527是一個半橋式柵極驅動器,內部集成了自舉二極管,能夠在半橋式配置中驅動n通道mosfet和igbt。TF半導體的先進工藝,使浮動高側驅動器操作到100V的引導
2023-06-28 17:08:12
TFB0504是一個半橋式柵極驅動器,內部集成了自舉二極管,能夠在半橋式配置中驅動n通道mosfet和igbt。TF半導體的先進工藝,使浮動高側驅動器操作到100V的引導
2023-06-27 17:01:42
TF2003M是一種高壓、高速的柵極驅動器,能夠在半橋式配置中驅動n-通道MOSFETs和igbt。TF半導體的高壓過程使TF2003M高側切換到250V的引導操作
2023-06-27 16:35:30
納芯微全新推出120V半橋驅動NSD1224系列產品,該系列產品具備3A/-4A的峰值驅動電流能力,集成 高壓自舉二極管 ,提供使能、互鎖、欠壓保護不同版本,有SOP8、HSOP8、DFN10
2023-06-27 15:14:07
TF2304M是一種高壓、高速的柵極驅動器,能夠在半橋式配置中驅動n-通道MOSFETs和igbt。TFSemi的高壓過程使TF2304M的高側能夠在引導操作中切
2023-06-26 15:48:29
TF21844M是一種高壓、高速柵極驅動器,能夠在半橋配置中驅動n通道MOSFET和IGBT。TF半導體的高壓過程使TF21844M的高側能夠在引導操作中切換到600V
2023-06-26 15:00:48
TF2104M是一種高壓、高速的柵極驅動器,能夠在半橋式配置中驅動n-通道MOSFETs和igbt。TFSemi的高壓過程使TF2104M的高側能夠在引導操作中切
2023-06-26 09:27:41
TF2103M是一種高壓、高速的柵極驅動器,能夠在半橋式配置中驅動n-通道MOSFETs和igbt。TF半導體的高壓過程使TF2103M高側切換到600V的引導操作
2023-06-25 16:39:30
TF2184是一種高壓、高速柵極驅動器,能夠在半橋配置中驅動n通道MOSFET和igbt。TF半導體的高壓過程使TF2184的高側能夠在引導
2023-06-25 16:25:20
100V,輸出電壓對應為50V,在輸出功率達100W的條件下,半橋BUCK工況波形如圖4所示。由圖可以看出,整體波形良好,Vds過沖電壓最大值為136.7V,處于200V GaN器件的安全工作區內。
圖4
2023-06-25 15:59:21
升級到半橋GaN功率半導體
2023-06-21 11:47:21
用于AC/DC變換器應用的新型650V GaNFast半橋IC(氮化鎵)
2023-06-19 07:57:31
概述
OC4000 是一款內置 100V 功率 MOS的寬輸入輸出電壓范圍的高精度、高效率的升降壓型 LED 恒流驅動控制芯片。OC4000 采用電流模閉環控制方式,可實現高精度的恒流驅動
2023-06-13 10:24:29
電源是電子設備的基礎,其中的柵極驅動器是穩定提供設備電源的關鍵。柵極驅動器是一種功率放大器,它接受來自控制器芯片的低功率輸入,并為高功率晶體管(例如IGBT或功率MOSFET)的柵極產生高電流驅動
2023-06-08 14:03:09
362 ? 2023 年 5 月 24 日,中國 —— 意法半導體的STL120N10F8 N溝道100V功率MOSFET擁有極低的柵極-漏極電荷(QGD)和導通電阻RDS(on),優值系數 (FoM
2023-05-26 14:11:20
701 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/88/BA/wKgZomRwTbWAbzyTAAgl8ZiaV1Y701.jpg)
中國—— 意法半導體的STL120N10F8N溝道100V功率MOSFET擁有極低的柵極-漏極電荷(QGD)和導通電阻RDS(on),優值系數 (FoM) 比上一代同類產品提高40%。
2023-05-25 10:08:23
330 上海數明半導體有限公司最新推出的雙通道 30V, 5A/5A 的高速低邊門極驅動器 SiLM27624 系列,支持高達 30V 的輸入電源供電,滿足更高的驅動電壓輸出。
2023-05-17 11:18:21
438 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/82/D8/wKgZomRkR--ASgePAAAkxOMJpGc722.png)
功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件,可用作電源電路、電機驅動器和其他系統中的開關元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET 的其他端子是源極和漏極。
為了操作 MOSFET,通常須將一個電壓施加于柵極(相對于源極或發射極)。使用專用驅動器向功率器件的柵極施加電壓并提供驅動電流。
2023-05-17 10:21:39
1473 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/81/F8/wKgaomQrg-WAepMFAABFvg5gcYY144.jpg)
柵極驅動器是一個用于放大來自微控制器或其他來源的低電壓或低電流的緩沖電柵極驅動器的原理及應用分析用中,微控制器輸出通常不適合用于驅動功率較大的晶體管。
2023-05-17 10:14:52
6240 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/82/D6/wKgZomRkNxeAGms9AABDmVd_W60795.jpg)
半橋驅動電路通過 SPWM 已經能生成正弦波了,請問一下各位大神,能不能修改程序生成半波啊
2023-05-09 13:21:57
美國商務部國家標準與技術研究院(NIST)發布了一份文件,概述了其對國家半導體技術中心(NSTC)的愿景和戰略,該中心是美國芯片與科學法案設立的研發計劃的重要組成部分,支持和擴大美國在半導體研究
2023-05-05 15:23:17
347 LTC?4440 是一款高頻、高端 N 溝道 MOSFET 柵極驅動器,專為在 VIN 高達 80V 的應用中運作而設計。而且,LTC4440 還能安全承受 100V VIN 瞬
2023-04-21 13:42:03
LTC?4446 是一款高頻高電壓柵極驅動器,可利用一個 DC/DC 轉換器和高達 100V 的電源電壓來驅動兩個 N 溝道 MOSFET。強大的驅動能力降低了具高柵極電容 MOSFET 中
2023-04-21 11:28:09
TMI8723是一款專為H橋驅動器應用而設計的柵極驅動器集成電路。它能夠驅動由四個高達40V的N溝道功率MOSFET組成的H橋。TMI8723集成了一個可調節的電荷泵來產生柵極驅動功率,峰值和源極電流可以是500mA和250mA。同時,TMI8723可以通過引腳VDS設置過電流點的值。
2023-04-20 15:00:31
1 您好,我正在嘗試使用 MC34GD3000 柵極驅動器,但我們遇到了設備故障和損壞高側 MOSFET 柵極驅動器的問題。首先,是否有任何關于正確設置柵極驅動器輸出的應用說明。我們看到的是在沒有任何
2023-04-19 06:36:06
,工程師們需要選用合適的柵極驅動器,提高UPS的轉換效率和響應速度,以滿足不斷增長的UPS市場需求。高速低側柵極驅動器是一種電路,用于控制半導體開關(例如MOSFET或IGBT)的導通和斷開,從而實現對電路的控制和調節。正確選擇高速低側柵極驅動器
2023-04-11 12:39:14
279 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/9E/C7/pYYBAGQ05CaAe3NhAAENVU6FP10022.png)
”。電機作為工業生產的一種重要設備,為了能夠滿足不同應用場景需求,對電機的控制要求也不斷的提高。 因此,工程師們在設計電機控制的解決方案時,需要選用合適的柵極驅動器,從而實現對電機的高效、精準控制,以達到節能增效目
2023-04-10 15:07:04
851 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/9E/72/pYYBAGQztViAa9G1AABfkK89Ays401.png)
具體而言,大電流柵極驅動器可以通過最小化開關損耗來幫助提高整體系統效率。當 FET 打開或打開和關閉時,會發生開關損耗。要打開FET,柵極電容必須充電超過閾值電壓。柵極驅動器的驅動電流有利于柵極電容
2023-04-07 10:23:29
1227 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/9D/D9/pYYBAGQvgc2AYRayAABB40VolR0193.png)
半導體器件是現代電力電子系統的核心。這些系統利用許多門控半導體器件,如普通晶體管、FET、BJT、MOSFET、IGBT等作為開關模式電源(SMPS)、通用電源(UPS)和電機驅動器中的開關元件。電力電子的現代技術發展通常跟隨功率半導體器件的發展。
2023-04-04 10:23:45
546 功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件,可用作電源電路、電機驅動器和其他系統中的開關元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET 的其他端子是源極和漏極。
2023-04-04 09:58:39
1001 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/81/F8/wKgaomQrg-WAepMFAABFvg5gcYY144.jpg)
LTC7060驅動兩個采用半橋配置的N通道MOSFET,電源電壓高達100V。高端和低端驅動器可以驅動具有不同接地基準的MOSFET,提供出色的瞬變抗擾度。其功能強大的0.8Ω下拉和1.5Ω上拉
2023-03-31 10:49:48
LTC7061驅動兩個采用半橋配置的N通道MOSFET,電源電壓高達100V。高端和低端驅動器可以驅動具有不同接地基準的MOSFET,提供出色的瞬變抗擾度。其功能強大的0.8Ω下拉和1.5Ω上拉
2023-03-31 10:44:27
電源模塊時,這種非常低的電流將有助于實現非常低的輸入待機功耗。UCC27282 VDD工作范圍已擴展至5.5V至16V。這可以使設計人員優化VDD工作電壓,以實現更低的柵極驅動損耗。UCC27282包括輸入互鎖功能,防止在LI和HI輸入同時為高電平時,兩個柵極驅動器輸出也同時處于高電平狀態。
2023-03-30 09:50:03
656 ![](https://file.elecfans.com//web2/M00/9B/8B/poYBAGQk6saAJU8oAACfb4CLpn4674.png)
柵極驅動器是一種功率放大器,它接受來自控制器IC的低功耗輸入,并為功率器件產生適當的高電流柵極驅動。隨著對電力電子器件的要求不斷提高,柵極驅動器電路的設計和性能變得越來越重要。
2023-03-23 16:48:48
535 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/9A/AA/pYYBAGQcEkOAZiSxAAA9UJpspXM977.png)
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