晶體管的放大能力可以用萬用表的hFE檔測量。測量時，應先將萬用表置于ADJ檔進行調零后，再撥至hFE檔，將被測晶體管的C、B、E三個引腳分別插入相應的測試插孔中(采用TO-3封裝的大功率晶體管，可將其3個電極接出3根引線后，再分別與三個插孔相接)，萬用表即會指示出該管的放大倍數。

　　若萬用表無hFE檔，則也可使用萬用表的R×1k檔來估測晶體管放大能力。測量PNP管時，應將萬用表的黑表筆接晶體管的發射極E，紅表筆接晶體管的集電極C，再在晶體管的集電結(B、C極之間)上并接1只電阻(硅管為100kΩ鍺管為20 kΩ)，然后觀察萬用表的阻值變化情況。若萬用表指針擺動幅度較大，則說明晶體管的放大能力較強。若萬用表指針不變或擺動幅較小，則說明晶體管無放大能力或放大能力較差。

　　測量NPN管時，應將萬用表的黑表筆接晶體管的集電極C，紅表筆接晶體管的發射極E，在集電結上并接1只電阻，然后觀察萬用表的阻值變化情況。萬用表指針擺動幅度越大，說明晶體管的放大能力越強。

　　也可以用晶體管直流參數測試表的hFE/測試功能來測量放大能力。測量時，先將測試表的hFE/ICEO檔置于hFE–100檔或hFE–300檔，選擇晶體管的極性，將晶體管插入測試孔后，按動相應的hFE鍵，再從表中讀出hFE值即可。

　　3.反向擊穿電壓的檢測

　　晶體管的反向擊穿電壓可使用晶體管直流參數測試表的V(BR)測試功能來測量。測量時，先選擇被測晶體管的極性，然后將晶體管插入測試孔，按動相應的V(BR)鍵，再從表中讀出反向擊穿電壓值。

　　對于反向擊穿電壓低于50V的晶體管，也可用圖5-58中所示的電路進行測試。將待測晶體管VT的集電極C、發射極E與測試電路的A端、B端相連(PNP 管的E極接A點，C極接B點;NPN管的E有接B點，C極接A點)后，調節電源電壓，當發光二極管LED點亮時，A、B兩端之間的電壓值即是晶體管的反向擊穿電壓。

　　(三)特殊晶體管的檢測

　　1.帶阻尼行輸出管的檢測

　　用萬用表R×1檔，測量發射結(基極B與發射極E之間)的正、反向電阻值。正常的行輸出管，其發射結的正、反向電阻值均較小，只有20"50Ω。

　　用萬用表R×1k檔，測量行輸出管集電結(基極B與集電極C之間)的正、反向電阻值。正常時，正向電阻值(黑表筆接基極B，紅表筆接集電極C)為 3"10kΩ，反向電阻值為無窮大。若測得正、反向電阻值均為0或均為無窮大，則說明該管的集電結已擊穿損壞或開路損壞。

　　用萬用表R×1k檔，測量行輸出管C、E極內部阻尼二極管的正、反向電阻值，正常時正向電阻值較小(6"7 kΩ)，反向電阻值為無窮大，若測得C、E極之間的正反向電阻值均很小，則是行輸出管C、E極之間短路或阻尼二極管擊穿損壞。若測得C、E極之間的正、反向電阻值均為無窮大，則是阻尼二極管開路損壞。

　　帶阻尼行輸出管的反向擊穿電壓可以用晶體管直流參數測試表測量，其方法與普通晶體管相同。

　　帶阻尼行輸出管的放大能力(交流電流放大系數β值)不能用萬用表的hFE檔直接測量，因為其內部有阻尼二極管和保護電阻器。測量時可在行輸出管的集電極C 與基極B之間并接1只30 kΩ的電位器，然后再將行輸出管各電極與hFE插孔連接。適當調節電位器的電阻值，并從萬用表上讀出β值。

　　2.帶阻晶體管的檢測

　　因帶阻晶體管內部含有1只或2只電阻器，故檢測的方法與普通晶體管略有不同。檢測之前應先了解管內電阻器的阻值。

　　測量時，將萬用表置于R×1k檔，測量帶阻晶體管集電極C與發射極E之間的電阻值(測NPN管時，應將黑表筆接C極，紅表筆接E極;測PNP管時，應將紅表筆接C極，黑表筆接E極)，正常時，阻值應為無窮大，且在測量的同時，若將帶阻晶體管的基極B與集電極C之間短路后，則應有小于50kΩ的電阻值。否則，可確定為晶體管不良。

　　也可以用測量帶阻晶體管BE極、CB極及CE極之間正、反向電阻值的方法(應考慮到內含電阻器對各極間正、反向電阻值的影響)來估測晶體管是否損壞。

　　3.光敏三極管的檢測

　　光敏三極管只有集電極C和發射極E兩個引腳，基極B為受窗口。通常，較長(或靠近管鍵的一端)的引腳為E極，較短的引腳的C極。達林頓型光敏三極管封裝缺圓的一側為C極。

　　檢測時，先測量光敏三極管的暗電阻：將光敏三極管的受光窗口用黑紙或黑布遮住，再將萬用表置于R×1k檔。紅表筆和黑表筆分別接光敏三極管的兩個引腳。正常時，正、反向電阻均為無窮大。若測出一定阻值或阻值接近0，則說明該光敏三極管已漏電或已擊穿短路。

　　測量光敏三極管的亮電阻：在暗電阻測量狀態下，若將遮擋受光窗口的黑紙或黑布移開，將受光窗口靠近光源，正常時應有15"30kΩ的電阻值。則說明光敏三極管已開路損壞或靈敏度偏低。