雙向可控硅怎么測量好壞
用萬用表測量的方法如下：
1、T2極的確定：用萬用表R*1檔或R*100檔，分別測量各管腳的反向電阻，其中若測得兩管腳的正反向電阻都很小（約100歐姆左右），即為T1和G極，而剩下的一腳為T2極。
2、T1和G極的區分：將這兩極其中任意一極假設為T1極而另一極假設為G極，萬用表設置為R*1檔，用兩表筆（不分正負極）分別接觸已確定的T2極和假設的T1極，并將接觸T1的表筆同時接觸假設的G極，在保證不斷開假設的T1極的情況下，斷開假設的G極，萬用表仍顯示導通狀態。
3、將表筆對換，用同樣的方法進行測量，如果萬用表仍然顯示同樣的結果，那么所假設的T1極和G極是正確的。如果在保證不斷開假設的T1極的情況下，斷開假設的G極，萬用表顯示斷開狀態，說明假設的T1和G極相反了，從新假設再進行測量，結果一定正確。
如果測量不出上述結果，說明該雙向可控硅是壞的。這種方法雖然不能測出具體參數，但判斷是否可用還是可行的。
雙向可控硅使用條件
（1）外加電壓下允許超過正向轉折電壓，否則控制極將不起作用。
（2）可控硅的通態平均電流從安全角度考慮一般按最大電流的1.5~2倍來取。
（3）為保證控制極可靠觸發，加到控制極的觸發電流一般取大于其額值，除此以外，還必須采取保護措施，一般對過流的保護措施是在電路中串入快速熔斷器，其額定電流取可控硅電流平均值的1.5倍左右，其接入的位置可在交流側或直流側，當在交流側時額定電流取大些。
一般多采用前者，過電壓保護常發生在存在電感的電路上，或交流側出現干擾的浪涌電壓或交流側的暫態過程產生的過壓。由于，過電壓的尖峰高，作用時間短，常采用電阻和電容吸收電路加以抑制。