賓夕法尼亞、MALVERN — 2014 年 10 月9 日 — 日前，Vishay Intertechnology， Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出新的500V家族里首款MOSFET--- SiHx25N50E，該器件具有與該公司600V和650V E系列器件相同的低導(dǎo)通電阻和低開關(guān)損耗優(yōu)點。新器件的低導(dǎo)通電阻和柵極電荷在高功率、高性能的消費類產(chǎn)品、照明應(yīng)用和ATX/桌面PC機開關(guān)電源（SMPS）里將起到節(jié)能的重要作用。

　　Vishay Siliconix SiHx25N50E 500 V MOSFET使用第二代超級結(jié)技術(shù)，為采用高性能平面技術(shù)的Vishay現(xiàn)有500V D系列器件補充了高效率產(chǎn)品。這些25A器件的導(dǎo)通電阻為145mΩ ，提供TO-220 （SiHP25N50E）、TO-247AC （SiHG25N50E）和細引線的TO-220 FULLPAK （SiHA25N50E）等多種封裝選項，這些低外形封裝適用于薄型消費類產(chǎn)品。

　　新的MOSFET具有57nC的超低柵極電荷，柵極電荷與到導(dǎo)通電阻乘積也較低，該參數(shù)是功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用里MOSFET的優(yōu)值系數(shù)（FOM）。與Vishay的600V和650V E系列器件類似，500V技術(shù)具有低導(dǎo)通電阻和優(yōu)化的開關(guān)速度，能夠提高功率因數(shù)校正（PFC）、雙開關(guān)正激轉(zhuǎn)換器和反激轉(zhuǎn)換器應(yīng)用里的效率和功率密度，

　　器件符合RoHS，可承受雪崩和開關(guān)模式里的高能脈沖，保證極限值通過100% UIS測試。

　　器件規(guī)格表：

　　VISHAY簡介

　　Vishay Intertechnology， Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財富1000 強企業(yè)”，是全球分立半導(dǎo)體（二極管、MOSFET和紅外光電器件）和無源電子元件（電阻器、電感器、電容器）的最大制造商之一。這些元器件可用于工業(yè)、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航天、電源及醫(yī)療市場中幾乎所有類型的電子設(shè)備和裝備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購戰(zhàn)略，以及“一站式”服務(wù)使Vishay成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者。