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TF2118-TAH高邊 IGBT MOSFET驅(qū)動

型號： TF2118-TAH
品牌： TFSS(德律風(fēng)根)

--- 產(chǎn)品參數(shù) ---

  • 驅(qū)動配置 高邊
  • 驅(qū)動通道數(shù) 1
  • 負載類型 MOSFET/IGBT
  • 是否隔離 非隔離
  • Vin Max 600V
  • Vcc Max 10V-20V
  • IO-/IO+ 600mA/290mA
  • Inputs IN*
  • Deadtime none
  • ton/toff 125ns/105ns
  • tr/tf 75ns/35ns
  • Package SOIC8

--- 數(shù)據(jù)手冊 ---

TF2118 AI ds r2.2.pdf

--- 產(chǎn)品詳情 ---

      TF2118(M)是高壓、高速的門驅(qū)動器，能夠在引導(dǎo)操作中驅(qū)動一個n通道MOSFETs和IGBTs。TF半導(dǎo)體公司的高壓工藝使TF2118(M)和能夠在600V下切換。TF2118(M)和邏輯輸入與標準CMOS輸出（至3.3V)兼容。驅(qū)動器輸出的特點是高脈沖電流緩沖器設(shè)計為最小的驅(qū)動器交叉?zhèn)鲗?dǎo)。單浮式通道可用于高側(cè)或低側(cè)配置。

     TF2118-TAH采用的是SOIC-8的封裝.主要應(yīng)用領(lǐng)域為：電池管理系統(tǒng)/DC‐DC/開關(guān)電源等行業(yè)

     TF2118-TAH可完美替代兼容 IRS2118STRPBF，IR2118STRPBF  。

典型應(yīng)用

 

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